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[发明专利]芯片集群的拓扑结构的枚举方法和装置-CN202011502920.5有效
发明人：邓良策 -专利权人：上海燧原科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H04L41/12 文献下载
摘要：本发明提供的一种芯片集群的拓扑结构的枚举方法和装置，所述方法将芯片集群中的一个芯片节点作为当前芯片节点；对所述当前芯片节点的互联端口中未遍历过的互联端口进行依次遍历；利用每一个所述当前芯片节点的互联端口的互联端口信息以及与该互联端口相连的其它芯片节点的互联端口的互联端口信息组成互联端口对连接信息；分别将本次遍历后写入所述序号的芯片节点作为当前芯片节点；当所述芯片集群中全部芯片节点中每一个互联端口对应的互联端口对连接信息时，将各个互联端口所对应的互联端口对连接信息作为芯片集群的拓扑结构进行保存。本发明通过任一芯片节点对整个芯片集群进行拓扑结构的枚举，进而实现数据在不同的芯片中的交换传输。
芯片集群拓扑结构枚举方法装置

[发明专利]一种实现芯片互联超高带宽的方法及芯片互联结构-CN201810137133.1有效
发明人：许俊;段光生;郑晓阳 -专利权人：盛科网络（苏州）有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种实现芯片互联超高带宽的方法及芯片互联结构，方法包括采用位于晶圆顶部的至少两层金属层作为互联线的布线层，根据两层金属层的连线间距、互联线的线宽，以及每个互联线的带宽计算达到目标互联带宽时互联线需要占用芯片边长的长度，使两芯片上需要互联的端部相对设置，根据互联线需要占用芯片边长的长度将两芯片进行互联。本发明可使芯片互联后获得超过12.8Tbps的互联带宽，适用于边长为10mm～30mm的芯片互联。
一种实现芯片超高带宽方法联结

[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法-CN202011628981.6在审
发明人：王国军;曹立强;严阳阳 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，第一芯片层位于第一互联结构层一侧表面，第一芯片层包括多个第一芯片，第一芯片层中的第一芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接；第二芯片层，第二芯片层位于第一互联结构层背向第一芯片层一侧表面，第二芯片层包括多个第二芯片，第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接。第一芯片层和第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层，通过第一互联结构层实现对面焊接。需要对接的芯片对面直接焊接，可有效减少线路传输损耗，相比于锡球焊接，芯片之间的第一互联结构层的厚度相对较薄，可以有效降低封装结构的整体厚度。
一种半导体封装结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202023348107.5有效
发明人：王国军;曹立强;严阳阳 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，第一芯片层位于第一互联结构层一侧表面，第一芯片层包括多个第一芯片，第一芯片层中的第一芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接；第二芯片层，第二芯片层位于第一互联结构层背向第一芯片层一侧表面，第二芯片层包括多个第二芯片，第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接。第一芯片层和第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层，通过第一互联结构层实现对面焊接。需要对接的芯片对面直接焊接，可有效减少线路传输损耗，相比于锡球焊接，芯片之间的第一互联结构层的厚度相对较薄，可以有效降低封装结构的整体厚度。
一种半导体封装结构

[实用新型]人工智能训练卡、人工智能服务器和专用处理卡-CN201920507498.9有效
发明人：郭锐;王刚;张胜;刘向东 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：人工智能训练卡包括互联芯片、人工智能芯片和网络芯片。人工智能芯片与互联芯片连接，通过互联芯片接受训练任务，并执行训练任务。网络芯片通过互联芯片与人工智能芯片连接。
人工智能训练服务器专用处理

[发明专利]验证芯片接口互联成功的方法及其第一芯片-CN201710643804.7有效
发明人：周玉龙 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F11/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种验证芯片接口互联成功的方法，包括：确定第一芯片与第二芯片的高速接口第i次尝试互联成功；当所述第一芯片与所述第二芯片的高速接口尝试互联成功次数达到阈值次数N时，确定所述第一芯片与所述第二芯片互联成功因此，本申请实施例针对高速互联接口互联容易失败的现状，在不需要更改原先的硬件设计的前提下，给出了一种提高高速互联接口成功互联的方法，提高了高速互联接口互联的成功率和可靠性。
验证芯片接口联成方法及其第一

[发明专利]总线互联模块的集成方法、装置以及验证方法和装置-CN201310105360.3有效
发明人：李树杰 -专利权人：青岛中星微电子有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明提供一种系统芯片中总线互联模块的集成方法、装置以及验证方法和装置。所述系统芯片中总线互联模块的集成方法，包括：获取系统芯片中总线互联模块的设计属性列表文件；根据所述设计属性列表文件，自动生成集成所述总线互联模块的代码。所述系统芯片中总线互联模块的验证方法，包括：获取系统芯片中总线互联模块的设计属性列表文件；根据所述设计属性列表文件，自动生成测试所述总线互联模块的代码。本发明能够提供系统芯片中总线互联模块的集成和验证效率。
总线模块集成方法装置以及验证

[发明专利]芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法-CN200810043847.2无效
发明人：陈福成;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片互联工艺中芯片互联通孔的制备方法，集成在现有的芯片制备流程中，其特征在于：在硅片上完成器件制备以及氧化硅衬垫层之后，金属前介质层淀积之前，增加一先在硅片预定位置处刻蚀形成芯片互联通孔的步骤和后用导电树脂填充所述刻蚀出的芯片互联通孔的步骤；在后续的金属化工艺中，将芯片互联通孔中的导电树脂逐层通过接触孔和金属进行电连接导出，直至在最后的绝缘层上留引脚；后将去除芯片背面的硅片至露出芯片互联通孔中的导电树脂；最后将通过芯片背面的芯片互联通孔将芯片背靠背连接
芯片工艺联通制备方法

[发明专利]一种多芯片的组网系统、方法及应用-CN202010983482.2有效
发明人：施敏捷;吴滔 -专利权人：上海国微思尔芯技术股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H04L12/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种多芯片的组网系统，包括n个芯片，其中n为大于2的整数。组网系统包括位于每个芯片上的互联接口，相邻芯片之间的互联接口经线缆链接，形成互联节点。组网系统还包括软件平台，软件平台与互联节点链接，软件平台用于实时识别互联节点的位置信息，并实时识别互联节点两端的芯片之间互联通信成功或者失败的互联信息。软件平台还与控制终端通信连接，控制终端用于实时读取、显示软件平台发送的位置信息及互联信息。通过在各个芯片上设置互联接口，互联接口通过线缆连接，连接具有统一的规格，减少生产采购的周期，加快项目进程，软件控制终端具有方便的定位调试手段，操作简便，易于维护，项目整体易于调整，复制和迁移。
一种芯片组网系统方法应用

[发明专利]高速互联接口参数的自适应训练方法及设备-CN202210762492.2在审
发明人：李京;卢笙;谢水源 -专利权人：芯启源（上海）半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F8/71 文献下载
摘要：本发明提供一种高速互联接口参数的自适应训练方法及设备，方法包括：在控制器指示两两互联的芯片通信连接，且第一芯片和第二芯片处于成功通信状态下时，将第一芯片配置为主模式芯片，第二芯片配置为从模式芯片，以对处于从模式的第二芯片的高速互联接口参数进行参数训练，以检测出第二芯片的最优高速互联接口参数；待第二芯片的高速互联接口参数训练完成后，将第二芯片配置为主模式芯片，第一芯片配置为从模式芯片，以对处于从模式的第一芯片的高速互联接口参数进行参数训练，以检测出第一芯片的最优高速互联接口参数
高速联接参数自适应训练方法设备

[发明专利]一种功率芯片封装结构-CN202211325118.2在审
发明人：唐新灵;魏晓光;孙帅;金锐;王亮;林仲康;石浩;杜玉杰 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率芯片封装结构，包括：相对设置的上板组件和下板组件；依次串联连接的第一互联单元、第三互联单元组和第二互联单元，均位于上板组件和下板组件之间，第三互联单元组包括至少一个第三互联单元；第一互联单元包括若干并联连接的第一芯片、第二互联单元包括若干并联连接的第二芯片、第三互联单元包括若干并联连接的第三芯片。本发明的功率芯片封装结构能够满足高电压大功率器件的要求。
一种功率芯片封装结构

[实用新型]芯片间可互联的堆叠结构-CN202223543255.1有效
发明人：殷炯 -专利权人：江苏华创微系统有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片间可互联的堆叠结构，包括基材、位于下层的倒装芯片、位于上层的正装芯片和底部填充胶Underfill，倒装芯片倒装在基材上，正装芯片的背面与倒装芯片的背面互联，底部填充胶Underfill填充间隙，位于上层的正装芯片的正面进行球焊，焊线连接基材；塑封料包覆所述芯片间可互联的堆叠结构。优点，本堆叠结构，适用于一种特殊结构，底下倒装芯片，上方是正装芯片；且能解决堆叠芯片间的互联，并用Underfill工艺填充结构，使WB焊线时支撑平稳。故此结构既能实现芯片的堆叠减小封装面积，且能实现芯片间特定功能区的互联，缩短互联长度，改善产品电性能及可靠性。
芯片间可互联堆叠结构

[发明专利]一种激光芯片封装结构及其封装方法-CN201810972535.3有效
发明人：王之奇 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本申请公开一种激光芯片封装结构及其封装方法，所述封装结构包括：有机基板、倒装绑定在所述有机基板表面的MEMS芯片，以及固定在有机基板上的VCSEL芯片，有机基板上设置有连接端、第一互联电路和第二互联电路，第一互联电路电性连接MEMS芯片，第二互联电路电性连接VCSEL芯片，且第一互联电路和第二互联电路均连接所述连接端，所述连接端用于与外部电路电性连接。本发明中将MEMS芯片倒装在有机基板上，并采用Fanout结构实现VCSEL芯片和MEMS芯片的封装，由于无需其他辅助结构，如体积较大的框架结构和厚度较厚的陶瓷基板等，能够实现VCSEL芯片和MEMS芯片的集成，减小激光芯片封装结构的整体体积。
一种激光芯片封装结构及其方法

[发明专利]一种云服务器主板、云服务器及其实现方法-CN201510244507.6在审
发明人：孙瑛琪;闵敏 -专利权人：曙光云计算技术有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种云服务器主板、云服务器及其实现方法，云服务器主板上集成多个SOC，每个SOC外接DIMM和SATA连接器；每个SOC分别与PCIe Switch芯片、GbE Switch芯片互联，所述PCIe Switch芯片、所述GbE Switch芯片均与背板连接器互联，所述背板连接器与管理系统互联，所述管理系统与PHY芯片互联，所述PHY芯片分别与所述GbE Switch芯片、RJ45接口互联。由于本申请实施例提供的方案，在云服务器主板上集成多个SOC，并集成PCIe Switch、GbE Switch芯片实现内部互联和外部互联，从而可以实现在高度较低的机箱中也可以放入所述云服务器主板正常使用
一种服务器主板及其实现方法

[发明专利]一种互联网芯片检测用夹具及其使用方法-CN202311015905.1有效
发明人：刘斯俭;陈兵 -专利权人：深圳华太芯创有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种互联网芯片检测用夹具及其使用方法，应用在互联网芯片夹具技术领域，本发明通过设置速夹机构，承载组件可以对底架组件进行支撑和限位，同时可以便于预检机构进行转动，底架组件可以对互联网芯片进行限位，以便于夹持组件对互联网芯片进行夹持，顶架组件可以随着预检机构的转动而移动，以便于带动夹持组件将互联网芯片夹持，夹持组件可以随着顶架组件移动到底架组件上时，因自身的弹力逐渐与底架组件上接触后并逐渐对底架组件上的互联网芯片进行夹持，从而起到了快速对互联网芯片夹持的效果。
一种互联网芯片检测夹具及其使用方法

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