“黄光微影制程”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果447463个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于有机发光二极管显示器的制造设备-CN201810605898.3在审
发明人：李嘉宸;施国兴;严进嵘 -专利权人：上海自旭光电科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于有机发光二极管显示器的制造设备，有机发光二极管显示器通过蒸镀制程及黄光微影制程形成，其包括蒸镀流水线及黄光微影流水线，蒸镀流水线包括多个第一传输装置、多个线状蒸镀装置、多个第一点状蒸镀装置、至少一个第一电浆清洁装置，多个线状蒸镀装置、多个第一点状蒸镀装置及至少一个第一电浆清洁装置分别连接对应的第一传输装置；黄光微影流水线至少包括多个第二传输装置、光阻涂布装置、曝光装置、显影装置及湿式剥膜装置本发明的设备整合蒸镀流水线及黄光微影流水线，以提升制造效率，本发明的制造设备能制造一般有机发光二极管显示器。
流水线有机发光二极管显示器蒸镀装置蒸镀黄光微影制造设备第二传输装置光阻涂布装置剥膜装置传输装置曝光装置清洁装置显影装置点状电浆湿式线状黄光微影制程设备整合制程制造

[实用新型]用于有机发光二极管显示器的制造设备-CN201820911590.7有效
发明人：李嘉宸;施国兴;严进嵘 -专利权人：上海自旭光电科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本创作公开了一种用于有机发光二极管显示器的制造设备，有机发光二极管显示器通过蒸镀制程及黄光微影制程形成，其包括蒸镀流水线及黄光微影流水线，蒸镀流水线包括多个第一传输装置、多个线状蒸镀装置、多个第一点状蒸镀装置、至少一个第一电浆清洁装置，多个线状蒸镀装置、多个第一点状蒸镀装置及至少一个第一电浆清洁装置分别连接对应的第一传输装置；黄光微影流水线至少包括多个第二传输装置、光阻涂布装置、曝光装置、显影装置及湿式剥膜装置本创作的设备整合蒸镀流水线及黄光微影流水线，以提升制造效率，本创作的制造设备能制造一般有机发光二极管显示器。
流水线有机发光二极管显示器蒸镀装置蒸镀黄光微影制造设备第二传输装置光阻涂布装置剥膜装置传输装置曝光装置清洁装置显影装置点状电浆湿式线状创作黄光微影制程设备整合制程制造

[发明专利]触控面板及其制造方法-CN201610506814.1有效
发明人：张志鹏;陈秉扬;江英杰;林子祥 -专利权人：业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明是公开一种触控面板及其制造方法，有别于采用单片印刷黑色矩阵于保护玻璃上再与触控感测结构贴合的方式，乃提出利用黄光微影制程来取代，使用黑色矩阵光阻于触控感测结构上直接制作遮光层来覆盖边框区之导电线路，再以填充层填补遮光层露出感测区的凹陷部位，使得填充层可以与遮光层的高度齐平，不仅可避免印刷段差所产生的贴合气泡，以减少面板外观的瑕疵，同时，藉由黄光微影制程可使遮光层达到厚度减薄，而提高触控效能，更可搭配采用多排版设计
面板及其制造方法

[发明专利]一种通孔结构及其制作方法-CN201910937839.0有效
发明人：黄光伟;李立中;林伟铭;吴淑芳;陈智广;马跃辉;吴靖;庄永淳 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种通孔结构及其制作方法，本方案采用正面孔洞和背面孔洞相结合的方式制程通孔。通过第一氮化层的沉积，实现背面蚀刻的孔洞与正面蚀刻的孔洞的对接，同时也保证了整体侧壁的垂直度。通过正面孔洞和背面孔洞相结合的方式保证了所涂布光阻的厚度，从而避免显影轮廓及晶圆表面异常等问题的发生，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。提升制程效率，减少光阻用量，避免显影时发生轮廓及晶圆表面异常，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。
一种结构及其制作方法

[发明专利]有机发光二极管结构及其制造方法-CN201810642272.X在审
发明人：施国兴;李嘉宸;严进嵘 -专利权人：上海自旭光电科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种有机发光二极管结构及其制造方法，其包括阳极层设置于基板上；电洞传输层设置于阳极层上；电洞传输辅助层设置于电洞传输层上，并进行黄光微影制程，电洞传输辅助层对电洞传输层的表面进行保护；至少一发光区块设置于电洞传输辅助层上，电洞传输辅助层电性导通于至少一发光区块与电洞传输层间；电子传输辅助层设置于至少一发光区块上，并进行黄光微影制程，电子传输辅助层对至少一发光区块的表面进行保护；电子传输层设置于电子传输辅助层上，电子传输辅助层电性导通于电子传输层与至少一发光区块间本发明于有机发光二极管结构之制造方法中，更增加蒸镀电洞传输辅助层或/及电子传输辅助层的步骤，其有利于使用黄光微影制程进行有机发光二极管结构的制造。
传输辅助电子传输发光区块辅助层有机发光二极管结构电洞电洞传输层黄光微影制程电子传输层电性导通阳极层制造阴极层基板蒸镀

[发明专利]半导体元件-CN200510076776.2有效
发明人：陈桂顺;林进祥;严永松;赖志明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，半导体元件包含有多个散射条设置于一隔离导线两侧，以改善微影制程的结果，各散射条具有一定的宽度并与隔离的导线间距有一定距离，以增加对半导体元件进行图案化时的微影制程的聚焦深度，且在完成半导体元件的制作后本发明所述半导体元件，可增加导线图案在黄光制程中的聚焦深度，因此可改善半导体元件的关键尺寸。
半导体元件

[发明专利]一种制作用于电子产品的合金板金属电阻的方法-CN201910892848.2有效
发明人：黄正信;刘复强;林育民;陈致龙;徐燕梅 -专利权人：丽智电子（南通）有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作用于电子产品的合金板金属电阻的方法，采用以下步骤：（1）在设定尺寸的合金板上采用微影黄光工艺制作包含多个与电阻形状相匹配的图像的阵列区域；（2）对图像阵列区域进行刻蚀至合金板的厚度与目标电阻阻值相适应即为合金阻体线路；（3）在合金阻体的正面和背面结合微影黄光工艺和电镀法依次制作正电极和背电极；（4）在非电极区域制作绝缘保护膜，并在绝缘保护膜上制作激光码；（5）将阵列区域中的电阻切割下来；（6）在电阻中对应电极区域的表面依次沉积多层金属膜本发明的制作方法通过微影黄光制程工艺得到精密的合金阻体线路且制作的产品在小尺寸的同时具备高精度、高功率特点，且方法简单高效。
一种制作用于电子产品合金金属电阻方法

[实用新型]有机发光二极管结构-CN201820957531.3有效
发明人：施国兴;李嘉宸;严进嵘 -专利权人：上海自旭光电科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本创作公开一种有机发光二极管结构，其包括阳极层设置于基板上；电洞传输层设置于阳极层上；电洞传输辅助层设置于电洞传输层上，并进行黄光微影制程，电洞传输辅助层对电洞传输层的表面进行保护；至少一发光区块设置于电洞传输辅助层上，电洞传输辅助层电性导通于至少一发光区块与电洞传输层间；电子传输辅助层设置于至少一发光区块上，并进行黄光微影制程，电子传输辅助层对至少一发光区块的表面进行保护；电子传输层设置于电子传输辅助层上，电子传输辅助层电性导通于电子传输层与至少一发光区块间
发光区块电洞传输层传输辅助电子传输辅助层电洞电子传输层有机发光二极管结构黄光微影制程电性导通阳极层阴极层基板创作

[发明专利]半导体制造的微影方法-CN201310225879.5无效
发明人：陈桂顺;林进祥;鲁定中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体制造的微影方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图案，借以形成主动图案于基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成（积体）电路。
半导体制造方法

[发明专利]半导体制造的微影方法-CN200610112136.7无效
发明人：陈桂顺;林进祥;鲁定中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是有关于一种形成图案于基材上的方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成(积体)电路。
半导体制造方法

[发明专利]一种改善图案化蓝宝石衬底良品率的方法-CN201410540402.0有效
发明人：王晓靁;刘伯彦;徐常基;钟其龙 -专利权人：厦门润晶光电有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种改善图案化蓝宝石衬底良品率的方法，其步骤是：在蓝宝石上进行多层阻挡层涂覆；在阻挡层上进行黄光微影制程；在阻挡层上进行多层阻挡层蚀刻；在蓝宝石上进行蓝宝石蚀刻；清洗。
一种改善图案蓝宝石衬底良品率方法

[发明专利]微影制程-CN03126630.4无效
发明人：黄全德 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种微影制程，其包括以下步骤：提供一基板；在该基板上涂覆一光阻层；利用光罩进行曝光步骤，其中该光罩与基板所平行的方向之间保持一角度；进行显影步骤。该微影制程可以控制微影图案的大小，通过改进微影制程，减小蚀刻制程所引起的误差。
微影制程

[发明专利]一种改善蚀刻痕迹的触摸屏制作方法-CN201710623597.9有效
发明人：卢镇州 -专利权人：福建宸为电子科技有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：这种宽度的蚀刻痕迹难以被肉眼察觉，从而在无需消影镀层的情况下实现了消影效果，避免了消影镀层所带来的透光度和色差等问题，且相对于消影底材，其材料成本降低60～70％；相对于黄光制程其生产周期短，制造成本低，并能达到与黄光制程相同的制造精度，经济实惠，适于推广应用。
一种改善蚀刻痕迹触摸屏制作方法

[发明专利]用硬掩模及两次曝光形成半导体元件的接触及导通孔-CN200980141244.9有效
发明人： S·拜尔;K·弗罗贝格;K·赖歇;K·拉特洛夫 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：结果，可用限制较少之约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中之至少一者作为两个阻剂掩模中之每一的非关键尺寸。
用硬掩模两次曝光形成半导体元件接触导通孔

[发明专利]光感测器及相应的薄膜晶体管基板的制造方法-CN200910149063.2无效
发明人：许宗义;徐文斌;赵之尧;王彦翔 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光感测器的制造方法，其包含：提供一衬底；在衬底上沉积一第一导电层；对第一导电层进行一第一微影制程从而形成一图案化的第一导电层；在图案化的第一导电层上形成一富硅绝缘层；沉积一绝缘保护层；对绝缘保护层进行一第二微影制程以暴露出部分的富硅绝缘层；沉积一第二导电层；以及对第二导电层进行一第三微影制程从而形成一图案化的第二导电层。其中，在进行第二微影制程时暴露出富硅绝缘层的一边缘以避免在进行第三微影制程时图案化的第二导电层出现断线。
光感测器相应薄膜晶体管制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条