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[发明专利]仿生机器鱼-CN201610533069.X有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生机器鱼，包括躯干骨架及设置在躯干骨架上的鱼鳍，鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架及鳍部摆动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接；鱼鳍上安装有位置探测装置，位置探测装置包括鳍部霍尔传感器及鳍部磁铁，鳍部磁铁设置在鳍部电机盒上，鳍部霍尔传感器设置在鳍部支架，在鳍部支架位于初始位置时，鳍部磁铁与鳍部霍尔传感器对齐，仿生机器鱼的控制系统可控制鳍部摆动电机停止作动。
鳍部摆动电机鱼鳍支架电机盒仿生机器鱼霍尔传感器磁铁位置探测装置摆动装置躯干骨架枢转连接转轴部曲柄转盘骨架连接控制系统可控制转盘套对齐穿出

[实用新型]仿生机器鱼-CN201620718864.1有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种仿生机器鱼，包括躯干骨架及设置在躯干骨架上的鱼鳍，鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架及鳍部摆动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接；鱼鳍上安装有位置探测装置，位置探测装置包括鳍部霍尔传感器及鳍部磁铁，鳍部磁铁设置在鳍部电机盒上，鳍部霍尔传感器设置在鳍部支架，在鳍部支架位于初始位置时，鳍部磁铁与鳍部霍尔传感器对齐，仿生机器鱼的控制系统可控制鳍部摆动电机停止作动。
仿生机器

[发明专利]仿生机器鱼-CN201610536330.1有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生机器鱼，包括鱼头及与鱼头连接的鱼身，鱼身包括与躯干骨架、尾部骨架及鱼鳍，鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架，鳍部摆动装置及鳍部转动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接；鳍部转动装置包括鳍部转动电机及连接杆，鳍部转动电机与鳍部支架固定连接，连接杆与鱼鳍骨架固定连接，连接杆与鳍部转动电机的转轴部连接。
仿生机器

[实用新型]仿生机器鱼-CN201620723027.8有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种仿生机器鱼，包括鱼头及与鱼头连接的鱼身，鱼身包括与躯干骨架、尾部骨架及鱼鳍，鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架，鳍部摆动装置及鳍部转动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接；鳍部转动装置包括鳍部转动电机及连接杆，鳍部转动电机与鳍部支架固定连接，连接杆与鱼鳍骨架固定连接，连接杆与鳍部转动电机的转轴部连接。
仿生机器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710877564.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部材料层；在鳍部材料层上形成分立的牺牲鳍部图形、中心鳍部图形以及边缘鳍部图形；对中心鳍部图形进行减薄处理；刻蚀鳍部材料层，形成位于第二区域上的牺牲鳍部、位于第一区域上的边缘鳍部和中心鳍部；去除牺牲鳍部；去除牺牲鳍部之后，在边缘鳍部和中心鳍部露出的衬底上形成隔离层。通过对中心鳍部图形进行减薄处理，使刻蚀鳍部图形层之后，形成宽度大于中心鳍部的边缘鳍部，从而能够有效改善边缘鳍部受到隔离层形成过程影响而引起的的厚度变小问题，有利于提高边缘鳍部的厚度与中心鳍部的厚度均匀性
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910740653.6有效
发明人：张冬平;纪世良;胡昌杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：形成基底，包括衬底以及凸出于衬底的初始鳍部；在靠近初始鳍部的顶部一侧，形成覆盖初始鳍部的部分侧壁的保护层，被保护层覆盖的初始鳍部作为顶部鳍部，保护层露出的初始鳍部作为初始底部鳍部；沿垂直于初始鳍部的侧壁的方向，对初始底部鳍部进行减薄处理，适于减小初始底部鳍部的宽度，在减薄处理后，剩余初始底部鳍部作为底部鳍部，底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁，且隔离结构的顶部低于顶部鳍部的底部。隔离结构露出的鳍部用于作为有效鳍部，通过减薄处理，减小了有效鳍部的顶部宽度和底部宽度的差值，从而提高了半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110914814.6在审
发明人：赵振阳;柯星;郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、以及衬底上的底部鳍部材料层，衬底包括第一器件区以及第二器件区；在底部鳍部材料层上形成第一鳍部材料层，第一鳍部材料层的材料与底部鳍部材料层的材料不同；去除位于第二器件区的第一鳍部材料层，形成露出底部鳍部材料层顶部的开口；在开口中形成第二鳍部材料层；进行鳍部图形化处理，将底部鳍部材料层图形化为底部鳍部，将第一鳍部材料层图形化为凸立于第一器件区底部鳍部的第一器件鳍部，将第二鳍部材料层图形化为凸立于第二器件区底部鳍部的第二器件鳍部。形成的第二器件鳍部以及第一器件鳍部与底部鳍部的接触面均较为平整，提升了第二器件鳍部和第一器件鳍部的高度一致性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811068579.X有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，用于形成器件的鳍部为有源鳍部，剩余鳍部为伪鳍部，鳍部顶部上形成有鳍部掩膜层；对伪鳍部顶部的鳍部掩膜层进行离子掺杂处理，离子掺杂处理所掺杂的离子为中性离子；在离子掺杂处理后，去除伪鳍部顶部的鳍部掩膜层；去除伪鳍部顶部的鳍部掩膜层后，对所述伪鳍部进行刻蚀处理。本发明对伪鳍部顶部的鳍部掩膜层进行离子掺杂处理，离子掺杂处理所掺杂的离子为中性离子，不仅有利于减小刻蚀伪鳍部的工艺对有源鳍部造成损伤的概率，还提高了对伪鳍部的刻蚀效果，减小出现刻蚀残留问题的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]仿生机器鱼-CN201610539730.8有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生机器鱼，包括鱼头及与鱼头连接的鱼身，所述鱼身包括与鱼头连接的躯干骨架、与所述躯干骨架连接的尾部骨架及设置在躯干骨架上的鱼鳍，所述鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架及用于驱动鱼鳍骨架摆动的鳍部摆动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，其中，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，所述鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，所述鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接。
仿生机器

[实用新型]仿生机器鱼-CN201620725430.4有效
发明人：应佳伟;陈辉 -专利权人：杭州畅动智能科技有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B63H1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种仿生机器鱼，包括鱼头及与鱼头连接的鱼身，所述鱼身包括与鱼头连接的躯干骨架、与所述躯干骨架连接的尾部骨架及设置在躯干骨架上的鱼鳍，所述鱼鳍包括鱼鳍骨架、与鱼鳍骨架连接的鳍部支架及用于驱动鱼鳍骨架摆动的鳍部摆动装置，鳍部摆动装置包括鳍部摆动电机、鳍部转盘及鳍部曲柄，其中，鳍部摆动电机设置在鳍部电机盒内并且鳍部摆动电机的转轴部穿出鳍部电机盒，所述鳍部转盘套设在鳍部摆动电机的转轴部上，所述鳍部曲柄的两端分别与鳍部转盘及鳍部支架枢转连接，鳍部支架与鳍部电机盒枢转连接。
仿生机器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810582240.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面具有鳍部结构，鳍部结构沿鳍部结构高度方向上包括掺杂区，掺杂区鳍部结构包括多层堆叠的鳍部单元，鳍部单元包括第一鳍部和位于第一鳍部顶部的第二鳍部，第一鳍部和第二鳍部的材料不同，横跨鳍部结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的掺杂区鳍部结构内形成源漏开口；去除所述源漏开口侧壁的部分第一鳍部，在相邻第二鳍部之间形成第一开口；在第一开口内形成掺杂层，掺杂层内具有掺杂离子；进行退火处理，使掺杂离子进入第二鳍部内。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910697154.3在审
发明人：赵君红 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；刻蚀基底，形成初始衬底和凸出于初始衬底的顶部鳍部；在顶部鳍部侧壁上形成保护层；刻蚀保护层和顶部鳍部露出的部分厚度初始衬底，形成衬底以及位于衬底和顶部鳍部之间的初始底部鳍部；以保护层为掩膜，对初始底部鳍部进行减薄处理，适于使剩余初始底部鳍部的顶部宽度小于顶部鳍部的底部宽度，在减薄处理后，剩余初始底部鳍部作为底部鳍部，底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于顶部鳍部底部。本发明分别形成顶部鳍部和初始底部鳍部，并结合形成保护层的步骤和减薄处理的步骤，减小有效鳍部的顶部宽度和底部宽度的差值，从而提高晶体管的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110976034.4在审
发明人：郑二虎;纪世良;宋佳;赵振阳;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和鳍部材料层；刻蚀部分厚度鳍部材料层，形成初始鳍部，且刻蚀时具有第一刻蚀速率比；刻蚀初始鳍部露出的剩余鳍部材料层，形成凸立于衬底上的鳍部，鳍部由下而上包括底部鳍部、第一部分鳍部和第二部分鳍部，第二部分鳍部和第一部分鳍部构成有效鳍部，在刻蚀初始鳍部露出的部分厚度鳍部材料层时具有第二刻蚀速率比，第二刻蚀速率比小于第一刻蚀速率比，用于使得所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；形成隔离层，覆盖底部鳍部侧壁并露出有效鳍部。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911087743.6在审
发明人：韩秋华;赵海;郑冲冲;张慧君;张继伟;张婷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括衬底和位于衬底上的初始鳍部，所述初始鳍部包括初始底鳍部和位于初始底鳍部上的顶鳍部；在所述顶鳍部的侧壁形成保护层，形成所述保护层之后；对初始底鳍部的侧壁进行氧化处理，初始底鳍部的侧壁上被氧化的部分作为氧化层，剩余的初始底鳍部作为底鳍部，底鳍部和顶鳍部作为鳍部；去除氧化层和保护层；在底鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层的顶部低于底鳍部的顶部；在隔离层上形成横跨鳍部的栅极结构本发明实施例，栅极结构覆盖顶鳍部的部分侧壁表面和部分底部表面，以及高于隔离层的底鳍部的部分侧壁，从而栅极结构覆盖的鳍部的面积较大，有利于提高栅极结构对沟道的控制能力。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010560282.6在审
发明人：韩秋华;郑二虎;王胜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：在基底上形成横跨鳍部的栅极结构以及介质层；刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽；在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断。通过刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽，所述介质层有利于削弱刻蚀鳍部，在鳍部内形成鳍部凹槽时，对鳍部形貌的影响，从而有利于所述鳍部保持较大的应力，从而提高沟道迁移率
半导体结构形成方法

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