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[发明专利]基于两种量子点之间能量转移的黄曲霉毒素B1检测方法-CN201310682387.9有效
发明人：熊勇华;江湖;徐威;许杨;郭亮;许恒毅 -专利权人：南昌大学
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G01N33/577 文献下载
摘要：本发明属于分析检测领域，公开了一种基于两种量子点间能量转移的黄曲霉毒素B1检测方法。本发明选择绿色量子点偶联AFB1，红色量子点偶联抗AFB1的单克隆抗体，二者混合后，由于抗原抗体特异性结合，两种量子点间距离靠近而发生能量共振转移，导致绿色量子点荧光下降，红色量子点荧光增强。当反应体系含有AFB1时，游离的AFB1与绿色量子点偶联的AFB1共同竞争红色量子点偶联的抗体，AFB1的浓度直接影响绿色量子点能量转移效率，且在一定范围内绿色量子点能量转移效率与AFB1浓度对数成反比例关系本发明方法为均相免疫学检测AFB1，具有检测时间短，灵敏度和准确性高，操作流程简单和检测成本低等特点。
基于量子之间能量转移黄曲霉毒素 b1 检测方法

[发明专利]量子点LED封装方法以及封装结构-CN201510406549.5有效
发明人：刘胜;郑怀;雷翔;郭醒;楚劲草;刘亦杰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及量子点LED，提供了一种量子点LED封装方法，采用量子点与聚合物的混合溶液制备量子点薄膜，同时还在LED芯片上制备顶部具有凹陷部的球冠状透镜，然后将量子点薄膜置于球冠状透镜的正上方且形成对引线框架的密封；本发明还提供一种量子点LED封装结构，包括引线框架以及LED芯片，LED芯片上罩盖有球冠状透镜，还包括量子点薄膜，量子点薄膜密封引线框架的开口，且球冠状透镜的顶部设置有凹陷部，凹陷部位于LED芯片正上方本发明的封装方法可以成型封装结构，量子点薄膜与球冠状透镜之间没有添加填充物，可以有效提高量子点薄膜的取光效率和流明效率，同时球冠状透镜凹陷部结构可以提高发出光空间颜色的均匀性，保证高电流时的光学性能稳定性
量子 led 封装方法以及结构

[发明专利]一种量子点光学膜及背光模组-CN201510762711.7在审
发明人：王增敏;李彩翠;王辉;刘红妹;汪志松;霍新莉 -专利权人：合肥乐凯科技产业有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子点光学膜及背光模组，包括量子点核心层，上隔水隔氧封装层和下隔水隔氧封装层；所述量子点核心层包括以下组份：基体胶粘剂，80～110重量份，量子点微胶囊，6～44重量份，扩散粒子，1～15本发明的量子点光学膜发光效率和稳定性好，在高温高湿条件下测试，亮度与色域衰减小。
一种量子光学背光模组

[实用新型]一种包覆型量子点制备装置-CN201921233072.5有效
发明人：伍燕锋;何江 -专利权人：深圳市联宝威科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B01J13/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包覆型量子点制备装置，包括外壳、可拆卸设置在所述外壳中的内胆、以及对量子点预制溶液进行雾化形成包覆型量子点的雾化组件；所述雾化组件包括超声波雾化机以及与所述超声波雾化机连接且可伸入所述内胆设置的雾化喷头该包覆型量子点制备装置具有操作简单、制备效率高、耗时短、以及量子点包覆效果好的优点。
一种包覆型量子制备装置

[发明专利]包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法-CN202111618294.0在审
发明人：叶芸;彭宇;郭太良;陈恩果;徐胜 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。
包覆式多量 nled 阵列结构及其制作方法

[发明专利]一种有机硅修饰量子点的制备方法-CN201911273321.8有效
发明人：孙小卫;王恺;杨鸿成;刘乙樽;徐冰;李祥;吴耿锋;陈家宝 -专利权人：深圳扑浪创新科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供一种有机硅修饰量子点的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将阳离子源与聚硅氧烷溶剂混合分散，得到阳离子前驱体溶液；(2)向阳离子前驱体溶液中注入阴离子源溶液，反应，得到所述有机硅修饰量子点所述制备方法通过聚硅氧烷溶液的引入直接合成了表面含有硅氧烷配体的量子点，无需后续通过硅烷偶联剂做进一步修饰，避免了修饰过程对量子点光学性能的影响。本发明提供的制备方法得到的有机硅修饰量子点荧光量子产率高、粒径均一，通过所述有机硅修饰量子点制备的薄膜的量子效率高、发光性能好。因此，本发明提供的制备方法简便、高效，可以得到光学性能好的有机硅修饰量子点，具有广阔的工业化推广前景。
一种有机硅修饰量子制备方法

[发明专利]一种水凝胶修饰的高稳定碳基全息光盘的制备方法及应用-CN202011153886.5有效
发明人：刘益春;王一茜;王秀莉;李鑫;付申成;张昕彤 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：一种水凝胶修饰的高稳定碳基全息光盘的制备方法及应用涉及信息存储技术领域，解决了需要一种具有高信息存储稳定性、高衍射效率的存储介质的制备方法的问题，包括在光盘型的玻璃衬底上制备多孔二氧化钛薄膜；浸在碳量子点溶液中使多孔二氧化钛薄膜负载碳量子点，得到碳量子点/二氧化钛复合薄膜；浸在硝酸银溶液中并采用紫外灯辐照制备银/碳量子点/二氧化钛复合薄膜；采用提拉浸渍法附着一层水凝胶。本发明的制备方法方便可靠、成本低、适用于商业化大量生产，制备的光盘具有信息存储高稳定性、高效率、高均匀性的性能优势，这使全息光存储在未来数据存储领域脱颖而出成为可能，能够很好地应用于全息数据存储领域。
一种凝胶修饰稳定全息光盘制备方法应用

[发明专利]一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法-CN202110152717.8在审
发明人：张建立;刘庭;王小兰;郑畅达;高江东 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基高In组分多量子阱的生长方法，该生长方法是在生长多量子阱垒层的时候，按照量子阱生长先后顺序，从第二个量子阱开始，每个量子阱的生长温度高于其前一个量子阱的生长温度。本发明既使得所有量子阱的发光波长一致，半峰宽变窄，载流子分布更均匀，又提高了多量子阱的晶体质量，解决了多量子阱内In组分不均匀、发光波长不一致的问题，从而有效地减小发光峰半峰宽，提升LED的发光效率。
一种 gan in 组分多量生长方法

[发明专利]一种无镉量子点及其制备方法-CN202110957148.4在审
发明人：曹璠;杨绪勇;王胜 -专利权人：浙江臻纳科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及量子点合成技术领域，特别是涉及一种无镉量子点及其制备方法，方法包括：将磷前驱体、脂肪酸铟前驱体及非配位溶剂在第一温度下混合，并升温至第二温度下反应，得到磷化铟量子点核；将卤化铟前驱体逐滴滴加至磷化铟量子点核的反应体系中，对磷化铟量子点核进行表面处理，获得无镉量子点，本发明的方法可以减少无镉量子点的表面缺陷，显著改善了磷化铟量子点的形貌、发光效率和稳定性以低成本、简单地获得制备的无镉磷化铟量子点半峰宽较窄，荧光产率高。
一种量子及其制备方法

[发明专利]多量子阱半导体激光器及其制备方法-CN201210275276.1有效
发明人：张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本发明采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。
多量半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种Cd_xZn_1-xSe@ZnS量子点制备的白光LED器件-CN201810463340.6在审
发明人：李金梅;李栋宇;黄贞;黄洁仪;黄贺杰 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点制备的白光LED器件，包括设有散热器的反光罩、设置于所述反光罩内侧底部的LED 芯片、与所述反光罩盖合的透光罩和用于覆盖所述LED芯片表面的量子点发光胶体，所述量子点发光胶体由Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点和硅胶混合制备而成，所述Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点由Cd_xZn_1‑xSe核层和ZnS壳层组成，所述ZnS壳层表面包裹有疏水配体，其中x大于0且小于1。本发明提供的白光LED器件的量子点发光胶体由Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点和硅胶混合制备而成，Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点的转换效率高，能量损耗低；Cd_xZn_1‑xSe@ZnS量子点制备的白光LED器件具有光色更加均匀、发光效率高、稳定性好的优点，在照明领域具有极好的应用前景
量子点白光LED器件制备发光胶体反光罩硅胶散热器发光效率反光罩盖壳层表面能量损耗疏水配体照明领域转换效率透光罩光色核层壳层芯片覆盖应用

[实用新型]基于钙钛矿量子点的复合薄膜层以及显示背光模组-CN201921499342.7有效
发明人：李飞;钟海政;王晶晶;柏泽龙 -专利权人：致晶科技（北京）有限公司;北京理工大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的复合薄膜层及显示背光模组。该基于钙钛矿量子点的复合薄膜层包括钙钛矿量子点发光层、粘合剂层和阻隔膜层；所述阻隔膜层包括第一阻隔膜层和第二阻隔膜层；所述钙钛矿量子点发光层与粘合剂层均位于所述第一阻隔膜层和第二阻隔膜层之间。该复合薄膜层具有生产成本低，发光效率高，稳定性高的特点。
基于钙钛矿量子复合薄膜以及显示背光模组

[发明专利]蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备-CN202210412087.8在审
发明人：田建军;毕成浩 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及纳米科技和发光显示技术领域，提供了一种蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备。采用富溴离子溶液化学合成法获得高荧光产率(PLQY)90％的蓝光发射钙钛矿量子点，通过配体交换工艺获得有机配体量子点PQD‑1和无机配体量子点PQD‑2，然后制备由PQD‑1层、氯化锌钝化层、PQD‑2层构成三层结构量子点薄膜，最后与透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成电致发光二极管。本发明电致发光二极管显著降低激子结合能来抑制俄歇复合，并降低电子注入速率来与空穴注入速率达到平衡；本发明电致发光二极管的电流效率和外量子效率高、稳定性好、工作寿命长。
蓝光钙钛矿量子薄膜电致发光二极管制备

[发明专利]多量子阱太阳能电池及多量子阱太阳能电池的制造方法-CN201380004255.9有效
发明人：板垣奈穗;白谷正治;内田仪一郎 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：以低成本提供一种抑制由于多量子阱太阳能电池中的光吸收的缘故而生成的载流子的再结合、并具有高的光电转换效率的多量子阱太阳能电池及多量子阱太阳能电池的制造方法。多量子阱太阳能电池具有基板、p型半导体层、势垒层、阱层、n型半导体层以及电极，其中，上述势垒层以及阱层由具有纤锌矿型原子排列的结晶形成，并且，上述阱层由包含从In、Ga和Al中选择的至少一种元素以及Zn根据该多量子阱太阳能电池，能够抑制由于光吸收的缘故而生成的载流子的再结合，并能够以低成本提供具有高的光电转换效率的多量子阱太阳能电池。
多量太阳能电池制造方法

[发明专利]一种含镍荧光量子点、制备方法及其应用-CN201210162712.4有效
发明人：陈苏;朱琳 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镍荧光量子点，此类量子点毒性低，具有宽的吸收光谱和较窄的荧光发射光谱，发光颜色随激发波长可调，发光效率高，稳定性好，能应用于构筑量子点太阳能敏化电池以及LED器件。本发明的含镍荧光量子点，其包括有硒化镍、碲化镍、硫化镍中一种或其组合，量子点粒径为2~20nm，量子产率为10~60%，光致发光谱的半峰宽为30~130nm；优选x=0.5时NiSe的荧光量子点。
一种荧光量子制备方法及其应用