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[发明专利]高性能超导体带材的质量控制-CN201780053387.9在审
发明人：戈兰·马吉克;文卡特·塞尔瓦马尼卡姆 -专利权人：休斯敦系统大学
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导体带材及其制造、测量、监视和控制方法。实施例针对于一种超导体带材，其包括覆盖在缓冲层上方的超导体膜，所述缓冲层覆盖在衬底上方。在一个实施例中，超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。在另一个实施例中，超导体膜包括BaMO₃，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且具有沿着从超导体膜的(001)峰的轴起在60°至90°之间的轴延伸的BaMO_3<
超导体膜超导体带材缓冲层临界电流性能晶格常数纳米柱状对齐高磁场轴延伸质量控制衬底带材覆盖测量监视制造

[实用新型]飞轮能量存储系统-CN201721028828.3有效
发明人： R·A·巴德科克;K·A·汉密尔顿;S·S·卡尔西 -专利权人：维多利亚联结有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H02K7/02 文献下载
摘要：第二端部部分及桥部分，其中第一端部部分和第二端部部分具有多个叠层，使得磁通能够沿径向和轴向行进，并且其中桥部分具有多个叠层，使得磁通能够在围绕第一端部部分和第二端部部分之间的桥部分的弧形路径中行进；位于定子和转子之间的超导体场线圈，其中超导体场线圈包括高温超导(HTS)材料；以及电磁屏蔽件，其定位在超导体场线圈和电枢线圈布置之间，电磁屏蔽件配置成限制交变场从电枢绕组通过而到达超导体场线圈。
超导体场线圈转子第二端部第一端部电磁屏蔽件存储系统飞轮能量磁通单极叠层凸角行进飞轮电枢绕组电枢线圈高温超导弧形路径环形电枢线圈布置转子主体交变场轴向配置

[发明专利]利用磁场触发的超导限流器-CN201010143744.0无效
发明人：罗伯特·杜默克;瑟奇耶·贝默特 -专利权人：尼克桑斯公司
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用磁场触发的超导限流器部件，其具有管状超导体元件(1)，该元件与触发线圈(3)并联，其中，触发线圈从管状超导体元件(1)的第一端在管状超导体元件(1)的侧表面的一侧上沿着管状超导体元件(
利用磁场触发超导限流

[发明专利]高温超导结构体-CN202080012672.8在审
发明人： P·布罗伊宁格-维迈;B·C·霍洛韦;V·Z·克莱森;S·A·沃夫;G·A·萨瓦兹基;C·海尔 -专利权人：深度科学有限责任公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L39/00 文献下载
摘要：超导体器件包括低维材料，该低维材料的临界温度高于对应于该低维材料的块体形式的临界温度。该低维材料可包括该低维材料的形状和结构的变体。该超导体器件可包括诸如纳米带、纳米管或螺旋结构的低维材料的各种构造排列。该超导体器件可包括连接到低维材料的诸如氢的官能团。该超导体器件可包括位于低维材料附近的金属簇。该超导体器件可包括单层、双层或多层的低维材料。
高温超导结构

[发明专利]一种二分型三相同轴超导电缆及其设计方法-CN202210297066.6有效
发明人：诸嘉慧;杨启帆;陈盼盼;曹京荥;陈杰;杨艳芳;张宏杰;韦德福;刘佳鑫 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：一种二分型三相同轴超导电缆及其设计方法，二分型三相同轴超导电缆包括波纹管骨架，波纹管骨架的内部形成制冷工质流入通道，波纹管骨架的外部由内至外依次同轴设置有A相通电超导体层、B相通电超导体层、C相通电超导体层以及屏蔽层；所述的A相通电超导体层、B相通电超导体层以及C相通电超导体层中的任意一相、任意两相或全部三相由绕制方向不同的两段带材连接组成。所述的屏蔽层由带材绕制而成，屏蔽层的带材也可以选择在超导电缆长度的二分之一处改变节距和方向继续绕制。本发明将三相同轴超导电缆三相通电超导体层和铜屏蔽层二分后，每层分为两段，各段的节距和绕制方向都可以不同，阻抗调节更加容易，有利于三相同轴超导电缆阻抗平衡。
一种二分三相同轴超导电缆及其设计方法

[发明专利]用于悬挂或地下传输线的导体系统-CN202180085029.2在审
发明人： S·P·阿什沃斯;F·莫里科尼;T·D·海德尔 -专利权人：维尔股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01B12/14 文献下载
摘要：一种用于传输电力的导体组件包括限定形状的成形器、部署在成形器周围的超导体材料，以及部署在超导体材料周围并与其间隔开的热绝缘护套(TIJ)。超导体材料的外表面和TIJ的内表面能够限定冷却剂能够流过的环。导体组件还能够包括部署在TIJ的外表面周围的外层，以便为导体组件提供结构支撑。导体组件还能够包括部署在TIJ的外表面周围或超导体材料周围的电绝缘层。
用于悬挂地下传输线导体系统

[发明专利]超导发动机-CN93101413.1无效
发明人：高步 -专利权人：高步
申请日： 1993-02-16 - 公布日： 1994-08-31 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明理论根据超导体完全抗磁性、和磁屏蔽理论、磁回路理论，用超导体薄膜卷成的超导管、无缝超导管、超导体螺线管、冻结磁通超导管，用开闭机构，插销轮盘、重铁、平衡铁组成。
超导发动机

[发明专利]钇系超导体用包复粉的制造方法-CN91109806.2无效
发明人：杜泽华;周廉;孙宝莲;于广聪 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 1991-11-07 - 公布日： 1996-03-27 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：目前，国际上制造高温超导体，普遍采用定向生长法，熔融织构生长法、淬火熔融生长法等。但这些方法，所使用的粉末熔点低、均匀性不好，采用包复粉制造高温超导体，可以克服上述缺点。包复粉制造超导体是以硝酸铜、氢氧化钡、Y2Ba1Cu1O5为原料。
超导体用包复粉制造方法

[实用新型]超导体零电阻实验演示装置-CN92226901.7无效
发明人：柴璋;李碧钦;郑众;陈沛东 -专利权人：中国科学技术大学研究生院
申请日： 1992-07-10 - 公布日： 1992-12-30 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：超导体零电阻实验演示装置属于超导技术领域，该装置由杜瓦筒，液氮，氧化物超导体，阻值变化显示电路和显示器组成。该装置直观性强、价廉，特别适合大学、中学作为讲授超导体在临界温度时阻值变化和零电阻现象的教学工具。
超导体电阻实验演示装置

[发明专利]构成超导体的前体的金属组合件及适于制备超导体的方法-CN200980152077.8有效
发明人：尤卡·索默科斯基 -专利权人：诺而达埃斯波公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种构成超导体的前体的金属元件组合件(1、35、71)。所述组合件包含至少一个适合在超导体成品中提供超导丝的导体元件(5、41、73)和至少一个提供掺杂源以掺杂所述导体元件的掺杂元件(7、43、75)。本发明还涉及一种适于制备超导体的方法。
构成超导体金属组合适于制备方法

[发明专利]高临界电流密度甘氨酸掺杂MgB₂超导体及制备方法-CN201110429542.7有效
发明人：刘永长;蔡奇;马宗青;余黎明;高志明 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种高临界电流密度甘氨酸掺杂MgB2超导体及制备方法，本发明的甘氨酸掺杂二硼化镁超导体的制备方法，将Mg粉和B粉和甘氨酸颗粒充分混合，得到MgB2+2～8％％Gly混合粉末；在2～10MPa的压力下压制成圆柱体薄片，之后放入高温差示扫描量热仪或管式烧结炉中进行烧结；以5～20℃/min的升温速率的连续加热到750～850℃烧结并保温0.5～1小时，然后以30～40℃/min的冷却速度降至室温。本发明在尽量不降低超导转变温度Tc的前提下，采用一种新的含碳化合物甘氨酸掺杂来实现C取代效应，从而提高临界电流密度Jc，获得高性能的MgB2超导体。克服了传统C掺杂降低低场下临界电流密度的弊端，使临界电流密度在整个磁场下都有了提高，获得了具有优越超导电性的超导体。
临界电流密度甘氨酸掺杂 mgb sub 超导体制备方法

[发明专利]低温超导发动机机心应用新方法-CN93120652.9无效
发明人：高步;李春光;张铁丁;谈连义;杨有新;张吉福;吕纯飞;高健锋;王刚;于荣佩;孙东;唐文良;王朝钢;郭建忠 -专利权人：高步
申请日： 1993-12-06 - 公布日： 1994-07-13 - 主分类号： H02K55/00 文献下载
摘要：本发明理论根据超导体完全抗磁性和电阻为零。本发明由超导体多层单圈开缝超导箔卷成的超导管，超导体螺线管上下运动和固定磁体，运动机构组成，本发明是一种采用液氮液氦的发动机，可用作发电以及加工机械的动力源。
低温超导发动机机心应用新方法

[发明专利]一种铁基化合物超导接头及其制备方法-CN201510791958.1在审
发明人：王栋樑;马衍伟;张现平;姚超;董持衡;徐中堂 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01F6/00 文献下载
摘要：一种铁基化合物超导接头，所述超导接头包括被连接的铁基超导体、铁基超导粉末和金属包套。被连接的超导体末端间填充有铁基超导粉末，并被单层或多层金属包套包裹。该超导接头的制备步骤为：(1)将需要连接的铁基超导体末端剥离其表面非超导层，使超导芯露出；(2)将步骤(1)处理过的铁基超导体末端之间填充铁基超导粉末，同时用金属包套包裹铁基超导体末端和铁基超导粉末；(本发明非常适合在工程现场制作超导接头。
一种化合物超导接头及其制备方法

[发明专利]Bi2223氧化物超导体及其制造方法-CN201080039818.4无效
发明人：畳谷和晃;绫井直树;下山淳一 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01G1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Bi2223氧化物超导体，其由Bi、Pb、Sr、Ln、Ca、Cu和O构成，其中所述Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种该Bi2223氧化物导体在低温磁场中具有高临界电流密度并且即使在77K的自磁场中也能够保持高临界电流密度。另外，本发明还提供一种制造Bi2223氧化物超导体的方法，所述方法包括：使含有构成所述Bi2223氧化物超导体的元素的材料在溶液中离子化的步骤；和通过将所述溶液喷射到高温气氛中来除去溶剂并引起热分解反应，从而制造含有构成所述氧化物超导体的原子的粉末的步骤。
bi2223 氧化物超导体及其制造方法

[发明专利]使用超导体的电源电路保护设备-CN200610143204.6有效
发明人：李昉昱;朴权培 -专利权人： LS产电株式会社
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：在从故障电流中断起的预定时间内需要电路重新闭合的电力系统中，一种使用超导体的电力电路保护设备，该设备包括：主断路器；串联连接到主断路器上的第一超导体元件；在第一超导体元件与主断路器之间切换电路的第一辅助开关；并联连接到第一超导体元件和第一辅助开关上的第二超导体元件；第二超导体元件与主断路器之间切换电路的第二辅助开关；第一监视单元，用来探测跨过第一超导体元件的电压，把第一切换控制信号供给到第一辅助开关以切换到电路断开位置、并把第二切换控制信号供给到第二辅助开关以切换到电路闭合位置；及第二监视单元，用来探测跨过第二超导体元件的电压，该第二监视单元用来把第二切换控制信号供给到第二辅助开关以切换到电路断开位置、并把第一切换控制信号供给到第一辅助开关以切换到电路闭合位置
使用超导体电源电路保护设备