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- [发明专利]一种半导体晶圆减薄方法-CN202010034702.7在审
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卢文胜
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2020-01-14
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2021-07-30
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H01L21/02
- 本发明公开了一种半导体晶圆减薄方法,其包括:对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨,粗磨的深度为预设的第一深度;对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨,精磨的深度为预设的第二深度;所述第二深度小于所述第一深度;用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀,腐蚀的深度为第三深度;所述第三深度小于所述第二深度;所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下,能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀,并且对半导体晶圆的整个减薄的作业时间大大减少,从而能够大大降低对半导体晶圆的减薄成本,并提高了减薄效率。
- 一种半导体晶圆减薄方法
- [实用新型]一种新型抛光磨头-CN201120276034.5有效
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许登伟
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晋江伟业机械有限公司
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2011-08-01
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2012-05-09
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B24B41/04
- 本实用新型提供一种新型抛光磨头,包括磨盘、主轴和固定盘,该磨盘固装在该主轴的第一端上,该主轴的第二端以可旋转的方式安装在该固定盘内,该主轴位于该磨盘与该固定盘之间的部位处设有套在该主轴外的减振装置,该磨盘面向该固定盘的一侧面上凸设有圆筒;上述减振装置为橡胶减振垫,上述橡胶减振垫的上部与上述固定盘相配合,上述橡胶减振垫的下部与上述圆筒相配合。采用上述技术方案后,本实用新型的一种新型抛光磨头,由于减振装置为橡胶减振垫,橡胶减振垫的减振效果比弹簧的减振效果好,提高了抛光磨头的整体减振效果,大大减弱了磨盘在工作过程中产生的振动。
- 一种新型抛光
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