专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果238085个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]确定软磁薄膜材料饱和磁化强度的方法-CN201110084285.8无效
  • 柴国志;李喜玲;薛德胜 - 兰州大学
  • 2011-04-02 - 2011-11-16 - G01R33/16
  • 本发明公开一种测试有高频磁导率谱的软磁薄膜材料的饱和磁化强度的方法。本发明的方法是:对待测软磁薄膜材料施加最大正磁场饱和磁场,再逐渐减小外磁场至零磁场,然后再逐渐减小外磁场饱和磁场,或者先对待测软磁薄膜材料施加最小负磁场饱和磁场,再逐渐增大外磁场至零磁场,直至最大正饱和磁场,同时测量并记载被测软磁薄膜材料随H变化时对应的共振频率fr的平方,获得待测软磁薄膜材料的共振频率fr的平方与外磁场H强度的函数关系,再通过求解斜率γ2μ0Ms得到待测软磁薄膜材料的饱和磁化强度μ0Ms
  • 确定薄膜材料饱和磁化强度方法
  • [发明专利]选择性可控电磁屏蔽-CN201180046316.9无效
  • D.W.巴曼;W.T.小斯托纳;J.K.施万内克;K.J.特纳;B.C.梅斯 - 捷通国际有限公司
  • 2011-09-23 - 2013-05-15 - H05K9/00
  • 用于在屏蔽中选择性地生成孔的机构可以是生成具有使屏蔽材料的全部或一部分基本上饱和的足够强度的磁场磁场源。例如,可以使用永磁体或DC电磁体来使屏蔽选择性地饱和。在其未饱和状态下,磁屏蔽具有高磁导率,使得其将大部分电磁场吸引到自身中并充当用于磁场的通量路径。实际上,该屏蔽指引大部分磁场的流过屏蔽,使得从屏蔽的一侧传递至另一侧的场的量显著减少。一旦饱和,基本上降低了屏蔽的磁导率,使得磁场线不再以相同的程度被吸引到屏蔽中。结果,一旦饱和,则降低了饱和区域中的屏蔽的有效性,并且基本上更大量的电磁场可以流过被磁体饱和的区域中的屏蔽或在其周围流动。
  • 选择性可控电磁屏蔽
  • [发明专利]一种等效气隙长度变化的磁通切换电机磁场饱和补偿方法-CN202110357541.X有效
  • 周扬忠;崔征山;周祎豪 - 福州大学
  • 2021-04-01 - 2022-06-14 - G06F30/23
  • 本发明涉及一种等效气隙长度变化的磁通切换电机磁场饱和补偿方法,包括以下步骤:建立定子永磁型磁通切换电机的解析模型,获得线性磁路无槽情况下气隙磁通密度;根据转子位置角,确定出定子齿、转子齿重叠结构模式及其对应的定子齿、转子齿之间的重叠角,采用有限元法分析电机铁芯饱和时的磁密分布,根据定、转子的重合角重叠角,估算出定子齿饱和磁阻、转子齿饱和磁阻;将定、转子齿饱和部分的磁阻等效为对应齿前气隙磁阻的增加,同时重新构建出气隙长度等效后的相对磁导函数本发明可以快速分析电机的饱和情况下的磁场分布,以解决磁场解析法在分析电机饱和磁场时存在的缺陷。
  • 一种等效长度变化切换电机磁场饱和补偿方法
  • [发明专利]一种磁光开关-CN200910163139.7有效
  • 赵强;林立良 - 招远招金光电子科技有限公司
  • 2006-02-09 - 2010-03-17 - G02F1/09
  • 反射镜和磁性元件;所述输入半波片被设置成可分别将o光和e光朝相同方向旋转45度,输出半波片被设置成可让反射回来的o光和e光旋转90度;所述磁性元件为状态锁存式电磁铁,可以对所述第二法拉第旋光晶体产生外加正向饱和磁场或保持外加正向饱和磁场或产生外加反向饱和磁场或保持外加反向饱和磁场
  • 一种开关
  • [发明专利]反射型可变光衰减器-CN201180035334.7有效
  • 小野博章;中田英则;河合博贵;大田犹子;中村太郎 - 湖北工业株式会社
  • 2011-06-27 - 2016-10-26 - G02F1/09
  • 本发明提供一种使法拉第转子磁饱和的机构等小型化、简化的可变光衰减器。该可变光衰减器沿光轴依次设置光输入输出口、双折射元件(11)、可变偏振波旋转机构(14)、反射体(15)。可变偏振波旋转机构包括:永久磁铁(21),该永久磁铁对法拉第转子(20)的面内方向施加固定磁场,以便实现磁饱和;以及螺旋管(22),其对法拉第转子的光轴方向施加可变磁场。另外,永久磁铁的固定磁场在容易磁饱和的<211>方向施加。由此,可通过1000e左右的小磁场实现饱和,永久磁铁可采用磁力弱的铁氧体类,可变磁场小也无妨,因此可通过空芯的线圈而实现。
  • 反射可变衰减器
  • [发明专利]一种用于批量小件烧结钕铁硼磁体的充磁方法-CN200710098404.9有效
  • 程星华;郭炳麟;廖静;杜世举 - 安泰科技股份有限公司
  • 2007-04-17 - 2007-11-14 - H01F13/00
  • 本发明公开了一种用于批量小件烧结钕铁硼磁体的充磁方法,该方法包括以下步骤:(一)预充磁:给充磁机一个较小的电流,在充磁机的充磁区域形成外加磁场,将待充磁的小件磁体用软布包裹后放入充磁机的充磁区域,小件磁体在该外加磁场作用下预充磁;(二)饱和充磁:将上述步骤(一)中预充磁后的各小件磁体的N、S极都朝一个方向排列,然后将排列好的小件磁体放入充磁机的充磁区域,使充磁机外加饱和充磁电流,从而产生与各小件磁体的磁场方向相同的磁场,使小件磁体达到饱和充磁本发明方法既减少了小件磁体间的相互碰撞,又避免了出现个别磁体不能饱和充磁的现象,同时也避免了充磁机需要产生过高磁场的要求。
  • 一种用于批量小件烧结钕铁硼磁体充磁方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top