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[发明专利]用于旋转角测量的磁场传感器系统和方法-CN201910795180.X有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;艾德温·沙彭顿克;约尔格·科克;丹尼斯·赫尔姆博尔特;拉尔夫·范奥腾;亚普·鲁伊戈罗克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：一种系统包括具有旋转轴的磁体，所述磁体被配置成产生磁场。所述系统另外包括多个磁阻传感器元件，所述磁阻传感器元件中的每一个具有磁性自由层，所述磁性自由层被配置成在所述磁性自由层中生成涡流磁化图案，且所述磁阻传感器元件被配置成响应于所述磁场而产生输出信号。可使用所述多个输出信号确定所述磁体所耦合到的旋转元件的旋转角。
用于旋转测量磁场传感器系统方法

[发明专利]具有杂散场抵消的磁阻式传感器及并有此类传感器的系统-CN201811514642.8有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;简·普日塔斯奇;约尔格·科克;艾德温·沙彭顿克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R33/025 文献下载
摘要：一种系统包括用于检测沿感测轴线的外部磁场的磁感元件和接近所述磁感元件用于提供沿所述感测轴线的辅助磁场的磁场源。所述磁感元件产生具有响应于所述外部磁场的磁场信号分量的第一输出信号，所述磁场信号分量通过响应于所述辅助磁场的辅助磁场信号分量调制。处理电路从所述第一输出信号中鉴定磁干扰场对所述辅助磁场信号分量的影响，所述磁干扰场沿所述磁感元件的非感测轴线导向，所述处理电路还将校正系数应用于所述磁场信号分量以产生其中基本上除去所述磁干扰场的所述影响的第二输出信号。
具有散场抵消磁阻传感器系统

[发明专利]杂散磁场鲁棒的磁场传感器和系统-CN201811018563.8有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克;哈特穆特·马茨;马克·艾斯勒;丹尼斯·赫尔姆博尔特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种磁场传感器包括形成在基板上的磁感元件和屏蔽结构。所述屏蔽结构完全环绕所述磁感元件以用于抑制沿着第一轴线和第二轴线的杂散磁场，所述第一轴线和所述第二轴线均与所述基板的表面平行并且彼此垂直。磁场沿着与所述基板的所述表面垂直的第三轴线朝向，并且所述磁感元件被配置成感测沿着所述第一轴线的磁场。在所述基板上靠近所述磁感元件形成的磁场偏转元件将所述磁场从所述第三轴线重定向到所述第一轴线中，以被所述磁感元件感测为测量磁场。各自被屏蔽结构完全环绕的至少两个磁场传感器形成用于确定磁场梯度的梯度单元。
磁场传感器系统

[发明专利]用于使用具有磁化配置的磁体进行角度感测的系统和方法-CN201910534239.X有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;艾德温·沙彭顿克;丹尼斯·赫尔姆博尔特;亚普·鲁伊戈罗克;拉尔夫·范奥腾;简·普日塔斯奇;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：一种系统包括被配置成产生磁场的磁体，所述磁体具有在所述磁场中产生独特特征的非对称磁化配置。所述非对称磁化配置能够通过非对称物理特性、不均匀磁化强度、不均匀磁化分布、偏心磁体等产生。磁场传感器被配置成响应于所述磁场而产生输出信号，所述输出信号指示所述磁场中的所述独特特征。处理电路接收所述输出信号并且使用所述输出信号确定所述磁体的旋转角度，所述旋转角度的范围为0‑360°。
用于使用具有磁化配置磁体进行角度系统方法

[发明专利]具有磁场屏蔽结构的磁场传感器及结合磁场传感器的系统-CN201810760725.9有效
发明人：斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克;马克·艾斯勒;哈特穆特·马茨;丹尼斯·赫尔姆博尔特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种系统包括至少一个磁场传感器，所述至少一个磁场传感器具有在基板上形成的磁感测元件。所述感测元件感测沿着朝向平行于所述基板的表面的第一方向的感测轴的磁场。屏蔽结构在所述基板上形成。所述屏蔽结构具有第一和第二屏蔽部分，并且所述磁感测元件被安置在所述屏蔽部分之间。所述屏蔽部分中的每一个屏蔽部分包括主体以及从所述主体的相对端延伸的第一和第二边沿段。所述主体平行于第二方向对准，所述第二方向垂直于所述第一方向并且平行于所述基板的所述表面。所述边沿段基本上平行于所述第一方向对准。所述屏蔽部分被布置成镜像对称，其中，所述屏蔽部分中的每一个屏蔽部分的所述边沿段朝彼此延伸。
具有磁场屏蔽结构传感器结合系统

[发明专利]磁场传感器-CN201610978326.0有效
发明人：克劳斯·莱曼;罗伯特·范费尔德温;亚普·鲁伊戈罗克;塞尔库克·埃尔索伊;拉尔夫·范奥腾;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于响应于外部磁场(Hy)提供输出信号(174)的磁场传感器(120)。所述传感器(120)包括初级磁场换能器(130)，所述初级磁场换能器(130)用于响应于所述外部磁场(Hy)产生初级信号(131)，并且具有第一磁场饱和特性；次级磁场换能器(140)，所述次级磁场换能器(140)用于响应于所述外部磁场(Hy)产生次级信号(141)，并且具有第二磁场饱和特性。所述第一磁场饱和特性与所述第二磁场饱和特性不同。所述传感器(120)被配置成使用所述次级信号(140)来校正由所述初级换能器(130)的饱和引起的输出信号(174)中的错误。
磁场传感器

[发明专利]磁场传感器、系统和斜入射沉积制造方法-CN202010695571.7在审
发明人：斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁场传感器，所述磁场传感器包括以半桥配置布置的至少两个磁阻(MR)传感器元件。所述MR传感器元件中的每一个包括具有磁各向异性与复合磁化的磁区。使用斜入射沉积(OID)技术产生所述磁各向异性，其中相对于与所述磁场传感器的表面垂直朝向的参考线以非零沉积角沉积所述磁区。一种系统，所述系统包括编码器以及半桥配置的传感器元件。所述编码器响应于所述编码器的活动而产生具有预定磁变的外部磁场，通过所述传感器元件检测所述磁场。所述传感器元件的所述复合磁化在垂直于所述外部磁场的方向的优选方向上通过OID对齐，而不是利用提供偏置磁场的永久磁体结构。
磁场传感器系统入射沉积制造方法

[发明专利]用于速度测量的磁场传感器、系统和方法-CN202010293008.7在审
发明人：克劳斯·莱曼;哈特穆特·马茨;马克·艾斯勒;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01P3/49 文献下载
摘要：一种传感器包括第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件，所述第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件被配置成响应于外部磁场而产生对应的第一输出信号和第二输出信号。所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件形成梯度单元，所述磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件包括具有涡旋磁化图案的感测层。处理电路耦接到所述传感器元件并且被配置成产生作为所述梯度单元的所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件的所述第一输出信号与所述第二输出信号之间的差的差分输出信号。系统包括产生外部磁场的编码器和具有一个或多个梯度单元的传感器，其中所述梯度单元可以以二阶梯度感测配置布置。
用于速度测量磁场传感器系统方法

[发明专利]利用辅助传感器信号进行杂散场抵消的磁阻传感器系统-CN201910106312.3在审
发明人：简·普日塔斯奇;约尔格·科克;斯特凡·马劳斯卡;艾德温·沙彭顿克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01R33/025 文献下载
摘要：一种系统包括第一和第二磁感测元件，用于响应于沿着与第一感测元件的平面平行的感测轴的外部磁场分别产生第一和第二输出信号，第二元件的磁化方向在该平面中相对于第一元件的磁化方向旋转。第二输出信号与第一输出信号的不同之处在于对沿着第一磁场的非感测轴的磁干扰场的依赖性。处理电路接收第一和第二输出信号，从第一与第二输出信号之间的关系中识别磁干扰场对第一输出信号的影响，并将校正因子应用于第一输出信号以产生其中基本上消除磁干扰场的影响的组合输出信号。
输出信号磁干扰磁化方向感测轴磁阻传感器系统组合输出信号磁感测元件辅助传感器处理电路第二元件第一元件感测元件平面平行外部磁场校正因子杂散场磁场抵消响应应用

[发明专利]形成隧道磁阻（TMR）元件和TMR传感器元件的方法-CN201810799867.6在审
发明人：马克·艾斯勒;克劳斯·莱曼;哈穆特·马茨;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种方法包括对隧道磁阻(TMR)堆叠执行离子束蚀刻过程以移除所述TMR堆叠的第一磁层和隧道势垒层的材料部分。所述离子束蚀刻过程在所述TMR堆叠的第二磁层的顶表面处停止。保护层沉积在所述TMR堆叠上方。另一个蚀刻过程被执行以移除所述保护层，使得所述第二磁层的一部分从所述保护层暴露并且由所述保护层的剩余部分形成间隔物。所述间隔物围绕所述第一磁层和所述隧道势垒层的侧壁。所述第二磁层的从所述保护层暴露的所述部分被移除，从而使得TMR传感器元件仍然存在，其中，所述TMR传感器元件包括底部磁体、顶部磁体以及隧道结。
磁层保护层堆叠蚀刻移除隧道势垒层隧道磁阻间隔物离子束保护层沉积顶表面隧道结暴露侧壁

[发明专利]旋转传感器-CN201610892306.1在审
发明人：贝恩德·奥弗曼;约尔格·科克 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种传感器封装。该传感器封装包括第一引线，其包括被配置成将该第一引线锚定到封装主体的第一锚定区域；第二引线，其包括被配置成将该第二引线锚定到该封装主体的第二锚定区域；传感器组件；以及电容器，其耦接在该第一锚定区域与该第二锚定区域之间。
旋转传感器

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