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[发明专利]IGBT结温标定方法及装置-CN202011181532.1在审
发明人：河内·路易索尔;王伟;渠晓明;史胜利;杜松贺 -专利权人：蜂巢传动系统（江苏）有限公司保定研发分公司;蜂巢传动系统（江苏）有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：方法包括：以第一条件控制IGBT工作在饱和区以标定IGBT的饱和压降与结温的对应关系；以第二条件控制IGBT工作在线性区并获取IGBT的功率损耗，切换第一条件控制IGBT工作在饱和区并采集IGBT的饱和压降，以标定IGBT的功率损耗与饱和压降的对应关系；依据IGBT的饱和压降与结温的对应关系及IGBT的功率损耗与饱和压降的对应关系，标定IGBT的功率损耗与饱和压降的对应关系。本发明通过标定IGBT的功率损耗与饱和压降的对应关系，从而只需检测IGBT的功率损耗即可得到对应的结温，使得结温检测更方便且成本更低。
igbt 温标方法装置

[实用新型]一种基于IGBT的饱和压降检测电路-CN201920512095.3有效
发明人：车兰秀;徐之文;薛英杰;邱瑞鑫 -专利权人：广州华工科技开发有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种基于IGBT的饱和压降检测电路，所述饱和压降检测电路位于电源和三相交流电机的线路上，所述饱和压降检测电路包括：第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元、饱和压降检测单元、门极驱动单元、电流检测单元和霍尔传感器。在本实用新型实施例中基于该饱和压降检测电路配合电流检测单元可以实现对相应线路上各IGBT单元的饱和压降检测功能，使得对各IGBT单元的监控和维护实现了可能性。
饱和压降检测电流检测单元电路本实用新型三相交流电机霍尔传感器电路配合驱动单元门极电源监控维护

[发明专利]IGBT的失效检测方法和装置-CN201610992543.5有效
发明人：赵研峰;姚吉隆;石磊;刘泽伟 -专利权人：西门子公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了IGBT的失效检测方法及装置，其中，包括：检测所述IGBT的当前集电极电流和当前饱和导通压降；基于一个预警温度值下的所述IGBT的第一集电极电流和第一饱和导通压降的第一对应关系，查询所述IGBT的当前集电极电流所对应的第一饱和导通压降；比较所述IGBT的当前饱和导通压降和所述对应的第一饱和导通压降，当所述IGBT的当前饱和导通压降高于所述对应的第一饱和导通压降时，则判断IGBT有失效可能；计算所述
igbt 失效检测方法装置

[发明专利]一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路-CN202210866659.X在审
发明人：李勇;庞鹏;骆树权;张熙 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种自适应IGBT饱和管压降同步测量电路。该电路包括：N个IGBT饱和管压降单元、ADC采样模块及控制模块；各IGBT饱和管压降单元包括电压电流变换模块及隔离信号采集模块；电压电流变换模块将IGBT饱和管压降电流电压信号转化为光信号输出至隔离信号采集模块；隔离信号采集模块将光信号隔离转化为预设比例电压信号；ADC采样模块将各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号转化为数字预设比例电压信号；控制模块根据数字预设比例电压信号确定各IGBT饱和管压降；控制模块还用于调节各隔离信号采集模块输出的预设比例电压信号本方案实现了同步测量各IGBT饱和管端电压，测量范围及测量精度可根据设置进行自动调节，还提高了电压测量的抗扰能力。
一种自适应 igbt 饱和管压降同步测量电路

[发明专利]一种直流过压保护电路-CN201310285468.5有效
发明人：孙伟锋;赵明平;钱钦松;王永平;刁龙;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种直流过压保护电路，包括输入滤波电路、过压检测电路、可变阻抗电子开关驱动电路、可变阻抗电子开关电路、稳压电路、降低饱和压降电路、输出滤波稳压电路及负载；输入滤波电路的输入端连接输入信号，输入滤波电路的输出端分别连接过压检测电路及降低饱和压降电路，过压检测电路的输出连接可变阻抗电子开关驱动电路，可变阻抗电子开关驱动电路的输出连接可变阻抗电子开关电路，可变阻抗电子开关电路的输出连接稳压电路，稳压电路的输出连接降低饱和压降电路，降低饱和压降电路的输出连接输出滤波稳压电路
一种流过保护电路

[实用新型]功率半导体模块和逆变器装置-CN201921871709.3有效
发明人：李俊 -专利权人：富士电机（中国）有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率半导体模块和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT；以及寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命，由于影响功率半导体器件寿命的主要原因是功率半导体器件材料结合部连接劣化，一般主要发生在绑定线与芯片结合处、芯片与DBC绝缘基板焊锡层、DBC绝缘基板与铜底板焊锡层，以上三处的连接劣化(松脱或剥离)都会导致连接处的电阻升高，进而导致饱和压降VCESAT的升高，通过对饱和压降VCESAT的检测，测算功率半导体器件的使用寿命。
功率半导体模块逆变器装置

[发明专利]IGBT寿命估算方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211502092.4在审
发明人：汪扬;杜长虹;刘立;冉彦杰;周洪波 -专利权人：重庆长安新能源汽车科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及电机控制技术领域，特别涉及一种IGBT寿命估算方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：采集绝缘栅双极型晶体管IGBT集电极‑发射极的饱和压降；基于预设的饱和压降‑结温模型，根据饱和压降计算IGBT的结温值，并根据IGBT的结温值提取IGBT的结温循环数据，其中，预设的饱和压降‑结温模型由饱和压降‑结温曲线或训练目标神经网络得到；将IGBT的结温循环数据输入至预设的IGBT寿命预测模型，计算
igbt 寿命估算方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种基于偏流预补偿的结温标定及散热组件性能评估装置-CN201910081034.0有效
发明人：禹健;郭天星;高红斌;张海燕;王琦;白建云 -专利权人：山西大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：标定模式是由恒流源激励下的被测器件与伴随负载并联组成，控制伴随负载漏、源极两端电压，使得恒流源两端电压在被测器件导通前后保持不变，测量被测器件在不同结温下的饱和导通压降，得到结温、饱和导通压降的关系；测量模式是由恒流源激励下的被测器件组成，将被测器件置于散热组件上，控制饱和导通压降使被测器件工作于不同发热功率下，测量被测器件的饱和导通压降，根据上述结温、饱和导通压降的关系反推被测器件的结温，得到器件在不同发热功率下的结温特性，用以评价散热组件散热性能
一种基于偏流补偿温标散热组件性能评估装置

[发明专利]一种基于饱和压降检测的并联IGBT延时过流保护电路-CN201910777540.3在审
发明人：马红星;董诗阳;唐厚君;杨喜军;谢伟新;韩永馗;方万;孟祥群;田威 -专利权人：江阴市六和智能设备有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于饱和压降检测的并联IGBT延时过流保护电路，其特征在于：包括PWM脉冲主回路和饱和压降延时检测控制电路，所述PWM脉冲主回路将控制系统发来的控制脉冲转变为具有驱动能力的PWM驱动脉冲，驱动IGBT开通和关断；与门U1和U3对饱和压降延时检测控制电路生成的过流故障信号进行处理，当该过流故障信号为高电平时，PWM脉冲主回路逻辑不变；当该过流故障信号为低电平时，无论控制脉冲是高电平还是低电平本发明中对IGBT饱和压降进行延时检测，避免IGBT开通时饱和压降不稳定造成的误保护，提高了电路的合理性和可靠性。
饱和压降过流故障信号延时检测低电平主回路控制电路控制脉冲与门饱和压降检测过流保护电路并联IGBT 过流保护控制系统驱动脉冲驱动能力高电平低电高电关断开通延时合理性电路驱动输出

[发明专利]一种偏流动态不变的结温标定及散热组件性能评估的装置-CN201910081052.9有效
发明人：禹健;郭天星;张海燕;高红斌;王琦;白建云 -专利权人：山西大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏流动态不变的结温标定及散热组件性能评估的装置，包括标定和测量两种工作模式，标定模式由恒流源激励下的被测器件与伴随负载并联，控制伴随负载漏、源极两端电压，使得恒流源两端电压在被测器件导通前后不变，测量被测器件在不同结温下、不同栅极电压下的饱和导通压降，得到结温、饱和导通压降、栅极电压的关系；测量模式由恒流源激励下的被测器件组成，将被测器件置于散热组件上，控制饱和导通压降使被测器件工作于不同发热功率下，测量被测器件的饱和导通压降和栅极电压，根据上述结温、饱和导通压降、栅极电压的关系反推被测器件的结温，得到器件在不同发热功率下的结温特性，用以评估散热组件散热性能。
一种偏流动态不变温标散热组件性能评估装置

[实用新型]一种基于饱和压降检测的并联IGBT延时过流保护电路-CN201921375550.6有效
发明人：马红星;董诗阳;唐厚君;杨喜军;谢伟新;韩永馗;方万;孟祥群;田威 -专利权人：江阴市六和智能设备有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于饱和压降检测的并联IGBT延时过流保护电路，其特征在于：包括PWM脉冲主回路和饱和压降延时检测控制电路，所述PWM脉冲主回路将控制系统发来的控制脉冲转变为具有驱动能力的PWM驱动脉冲，驱动IGBT开通和关断；与门U1和U3对饱和压降延时检测控制电路生成的过流故障信号进行处理，当该过流故障信号为高电平时，PWM脉冲主回路逻辑不变；当该过流故障信号为低电平时，无论控制脉冲是高电平还是低电平本实用新型中对IGBT饱和压降进行延时检测，避免IGBT开通时饱和压降不稳定造成的误保护，提高了电路的合理性和可靠性。
一种基于饱和检测并联 igbt 延时保护电路

[发明专利]基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法-CN201510657533.1有效
发明人：刘宾礼;罗毅飞;肖飞;汪波;夏燕飞;陶涛;熊又星;王钰 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域，具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后，投入使用之前，在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值；器件投入使用后，定期测试IGBT器件的集射极饱和压降和焊料层空洞率并记录测量值；将测量值与初始值进行比较，根据比较结果判断IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率是否达到失效标准；当集射极饱和压降与焊料层空洞率未达到IGBT器件失效标准时测试值带入仿真模型中，计算出IGBT器件的疲劳老化进程与剩余寿命；
基于集射极饱和焊料空洞 igbt 健康状态监测方法

[发明专利]功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置-CN201911058848.9在审
发明人：李俊 -专利权人：富士电机(中国)有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体模块及其寿命检测方法和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降V
功率半导体器件饱和压降饱和压降检测绝缘基板使用寿命提示信息焊锡层劣化升高功率半导体模块半导体器件逆变器装置电性连接寿命检测寿命提示芯片结合影响功率绑定线结合部铜底板检测电阻松脱剥离测算芯片

[发明专利]IGBT状态监测电路及方法-CN202310211792.6在审
发明人：刘凤臣 -专利权人：深圳市鹏芯威电子有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种状态监测电路及方法，包括处理电路、第一检测电路、功率放大电路和IGBT模块；其中，第一检测电路包括至少三个并行比较器和导通压降检测电路；导通压降检测电路，用于在IGBT模块完全导通时，获取IGBT模块工作在目标条件下功率放大电路输出的饱和导通压降；至少三个并行比较器，用于获取在饱和导通压降的作用下，所输出的电平类型；处理电路，用于在确定饱和导通压降小于阈值电压的情况下，基于至少三个并行比较器输出的电平类型识别
igbt 状态监测电路方法

[发明专利]功率半导体器件结壳热阻状态监测方法、设备、存储介质-CN202011059283.9在审
发明人：王博;孟金磊;邓海涛 -专利权人：北京ABB电气传动系统有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法中，根据不同温度下功率半导体器件的饱和压降与导通电流之间的关系，确定预定电流，基于该预定电流，确定功率半导体器件在结壳热阻初始状态下，饱和压降与导通电流之间的关系。在功率半导体器件使用后，继续基于该预定电流，获取饱和压降与导通电流之间的关系。通过监测饱和压降与导通电流关系的变化，监测功率半导体器件结壳热阻的状态。
功率半导体器件结壳热阻状态监测方法设备存储介质

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