专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种适用于非有接地配电网的三相配电线路模型-CN201710463525.2有效
  • 唐金锐;王琳;苏国星 - 武汉理工大学
  • 2017-06-19 - 2019-12-31 - G01R31/08
  • 本发明提供了一种适用于非有接地配电网的三相配电线路模型,可用于测试验证暂态量故障选线和零残流故障消弧方法的有效性。所提出的改进型三相配电线路模型参数确定方法包括,一是限定三相配电线路模型适用的线路长度范围,能够保证在数千赫兹频率范围内配电线路零序网络模型均处于容性范围内;二是给出修正系数a和b的确定方法,使所提模型满足单相接地故障下配电系统稳态响应特性,具体指能使三相配电线路零序网络阻抗首次由容性变化为感性的边界频率与真实配电线路相等;三是确定虚拟电阻的数值,能使所提单相接地故障下配电线路模型的时间常数与真实配电线路相等。
  • 一种适用于有效接地配电网三相配电线路模型
  • [发明专利]沉积掩模-CN202110105063.3在审
  • 孙晓源;朴宰奭 - LG伊诺特有限公司
  • 2017-03-23 - 2021-06-11 - H01L51/56
  • 一种沉积掩模,包括金属板,该金属板包括:具有多个通孔和介于通孔之间的桥的有效区域;设置在有效区域的外部的非有区域;设置在非有区域中且位置靠近金属板的一个纵向端部的第一凹槽;以及位置靠近与该一个纵向端部相对的另一个纵向端部的第二凹槽其中,d1是在介于第一凹槽和与第一凹槽相邻的有效区域之间的非有区域处测量的金属板的宽度,d2是在介于第二凹槽和与第二凹槽相邻的有效区域之间的非有区域处测量的金属板的宽度,B是在有效区域的中间点处测量的金属板的宽度
  • 沉积
  • [发明专利]一种利用蛋白组学技术区分有机大米和非有机大米的方法-CN201810812539.5有效
  • 马莺;肖然;李琳;何胜华;王荣春 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-07-23 - 2021-02-12 - G01N30/88
  • 本发明公开了一种利用蛋白组学技术区分有机大米和非有机大米的方法,属于谷物鉴别技术领域。该方法是分别对有机大米样品、非有机大米样品和待检测大米进行蛋白提取,得蛋白粗提取液;利用胰蛋白酶对蛋白粗提取液进行酶解,得酶解液;利用毛细管液相色谱串联三重四极杆质谱对酶解产物进行分离和鉴定,得蛋白信息;对有机大米和非有机大米的蛋白信息进行缺失筛选,得有机大米和非有机大米的差异蛋白,根据每个有机大米样品和非有机大米样品的差异蛋白在其酶解液中的含量数据建立偏最小二乘‑判别分析模型,获得偏最小二乘‑判别分析模型本发明方法能够有效区分有机大米和非有机大米,结果直观、准确可靠。
  • 一种利用蛋白组技术区分有机大米方法
  • [发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201110401468.8有效
  • 王晓亮;毕杨;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 - 中国科学院半导体研究所
  • 2011-12-06 - 2012-04-25 - H01L29/20
  • 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一低温氮化镓成核层,该低温氮化镓成核层制作在衬底上面;一非有意掺杂氮化镓高阻层,该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面;一非有意掺杂高迁移率氮化镓层,该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面;一非有意掺杂铟铝氮势垒层,该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面;一非有意掺杂铝镓氮势垒层,该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层,该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
  • 氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

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