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[发明专利]产生随机数的存储系统与产生随机数的方法-CN201310328869.4有效
发明人：薛昶圭;孔骏镇;孙弘乐;尹弼相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在非易失性存储单元的存储器中，通过以下步骤产生随机数：对非易失性存储单元编程；利用随机数读取电压读取编程的非易失性存储单元以产生随机读取数据，所述随机数读取电压依照非易失性存储单元的特性选择；并从随机读取数据产生随机数
产生随机数存储系统方法

[发明专利]一种非易失性数据的存储和检索方法及装置-CN200910171878.0有效
发明人：党茂昌 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性数据的存储和检索方法，包括：将已分类的非易失性数据定义为树形结构，并对树中节点赋值；对节点已被赋值的树形结构进行编译链接，烧写编译链接的结果并存储烧写时的基地址；根据编译链接的结果及烧写时的基地址计算待检索的非易失性数据的偏移和大小，根据烧写时的基地址和对待检索非易失性数据的偏移和大小的计算结果检索非易失性数据。本发明还同时公开了一种非易失性数据的存储和检索装置，运用该方法和装置使得存储的非易失性数据易于扩展、可深层嵌套，提高存储空间利用率，且检索方法直观。
一种非易失性数据存储检索方法装置

[发明专利]非易失性FPGA片上数据流文件的保密系统及解密方法-CN201610534391.4有效
发明人：高三达;朱璟辉;蒂瓦卡·乔珀拉 -专利权人：广东高云半导体科技股份有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性FPGA片上数据流文件的保密系统及解密方法，系统配置非易失性的存储器模块只允许全擦写操作，全擦写操作完成后非易失性的存储器模块进入初始状态，初始状态下对非易失性的存储器模块的操作才有效，进而在非易失性的存储器模块中设置加密区域单元，只有在初始状态下写入加密区域单元的解密的数据才能使非易失性的存储器模块可读，从而完成对系统的解密，这样就大大提高的了保密精度。
非易失性 fpga 数据流文件保密系统解密方法

[发明专利]非易失性存储装置及其编程方法、非易失性存储系统-CN202210356591.0在审
发明人：陈轶;侯春源;郭晓江;王美 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程方法、非易失性存储系统。该非易失性存储装置的编程方法包括：在第一编程时间内，对与第一字线连接的多个存储单元中的至少一个第一存储单元执行写入操作和验证操作；以及对与第一字线连接的多个存储单元中、除第一存储单元以外的其它存储单元执行写入操作该非易失性存储装置及其编程方法、非易失性存储系统，有利于缩短编程时间(例如，连续编程)，有利于在提高编程数据完整性的前提下，提高非易失性存储装置的传输速度。
非易失性存储装置及其编程方法存储系统

[发明专利]3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法-CN202111199608.8在审
发明人：周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法。该3D非易失性存储装置包括：控制晶圆，设有NVM接口；缓存晶圆，设置在控制晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；非易失性存储晶圆，设置在控制晶圆设有缓存晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；控制晶圆接收写请求，判断缓存晶圆是否还有缓存空间，若否，控制晶圆将缓存晶圆中存储的部分数据转存至非易失性存储晶圆，并将写请求对应的数据写入缓存晶圆；其中，转存至非易失性存储晶圆中的部分数据为优先级低的数据。本申请能够实现3D结构的非易失性存储装置，且能够降低非易失性存储装置的读写时延，进而提高其数据读写效率，且提高非易失性存储装置的集成度，节约成本。
非易失性存储装置及其读数方法数据

[发明专利]操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统-CN201310206487.4有效
发明人：李知尚;金武星;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统。操作非易失性存储装置的方法可包括识别在非易失性存储装置中的已进行从擦除的状态到至少部分编程的状态的无意的编程的一个或多个多位非易失性存储单元。可通过执行多个读取操作以产生差错检测数据并且随后对差错检测数据进行解码以识别具有差错的特定单元，来检测对第一多个非易失性存储单元中进行编程的操作期间产生的差错。编程的第一多个多位非易失性存储单元和在编程操作期间更改的强迫位数据矢量可被读取以支持差错检测。该数据以及从与第一多个多位非易失性存储单元相关联的页缓冲器读取的数据随后可被解码，以识别第一多个多位非易失性存储单元中的哪个是无意地编程的单元。
操作非易失性存储装置方法集成电路存储系统

[发明专利]数据读出装置及半导体装置-CN201410742815.7有效
发明人：渡边考太郎;见谷真 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供能够防止非易失性存储元件的数据读出中的误写入的数据读出装置。本发明的数据读出装置包括：伪读出电路，具备写入电压比数据读出电路的非易失性存储元件低的非易失性存储元件；以及状态检测电路，检测伪读出电路的非易失性存储元件的写入状态，构成为在数据读出中检测到伪读出电路的非易失性存储元件被误写入时
数据读出装置半导体

[发明专利]一种多线程快速周期串行外设操作非易失存储器的方法-CN201711360569.9有效
发明人：董少阳;李泽林;苏二峰;谢卫;许斌斌 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明属于软件操控非易失存储器技术，具体涉及一种多线程快速周期串行外设操作非易失存储器的方法。本发明中主要针对CPU软件快速周期读写耗时较长的非易失存储器问题，在软件的运行周期中，有多个任务可能同时需要对非易失存储器进行读写，本方法设置了队列的模式对同时需要非易失存储器的操作进行队列排序，并且通过信号量Mutex互斥对非易失存储器进行管理。当多个非易失存储器读写请求到来时，首先对所有的请求进行队列的排序，并一一处理，在处理过程中，再次发生了非易失存储器读写请求时，则使用互斥信号量Mutex对非易失存储器进行保护，确保非易失存储器读写数据的准确性，并进一步提高CPU工作效率和安全性。
一种多线程快速周期串行外设操作非易失存储器方法

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器元件-CN200910170438.3有效
发明人：施秉嘉;石忠勤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：非易失性静态随机存取存储器元件包含一易失性电路和一非易失性电路。在电源持续供应的一般操作环境下，易失性电路能提供高速数据读取；在外部电源因故中断和重新恢复的期间，非易失性电路利用一反向电路和一非易失性可抹除可编程存储器电路来提供数据备份，因此能保存先前易失性电路内存的数据
非易失性静态随机存取存储器元件

[发明专利]双存储器平台中的功率管理-CN201680030137.9有效
发明人： T·当;J·S·伯恩斯;R·J·温德利希;J·格因巴托尔普莱姆库玛 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F1/3225 文献下载
摘要：诸方法、装置和系统可以提供传感器以监视非易失性随机存取存储器(RAM)和易失性RAM的功耗。连接到该传感器的输出的开关控制去往该非易失性RAM的功率，以及调压器调节非易失性RAM和易失性RAM的电压。一个或多个存储器插槽接纳该非易失性RAM和该易失性RAM，以及处理器从该传感器接收信息，以及基于接收到的信息控制调压器。该调压器包括多个寄存器以存储该非易失性RAM和该易失性RAM的功耗信息。
存储器平台中的功率管理

[发明专利]分栅式非易失存储器及其制造方法、控制方法-CN202210869874.5在审
发明人：陈耿川 -专利权人：芯合半导体公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明涉及分栅式非易失存储器及其制造方法、控制方法。所述分栅式非易失存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括形成于一半导体基底内的漏区和N型掺杂源区、形成于所述N型掺杂源区和所述漏区之间的栅极叠层、第一侧墙、选择栅和第二侧墙。所述漏区包括一N型掺杂区和形成于所述N型掺杂区内的一P型重掺杂区。所述存储单元兼具防止由于过度擦除而导致数据误判、编程电流较低和读取电流较高的特点，而且，分栅式结构不会明显增大存储单元的面积，提升了所述分栅式非易失存储器的综合性能。
分栅式非易失存储器及其制造方法控制

[发明专利]非易失存储器及其制造方法、控制方法-CN202210874559.1在审
发明人：陈耿川 -专利权人：芯合半导体公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及非易失存储器及其制造方法、控制方法。所述非易失存储器包括至少一个2T存储单元，每个所述2T存储单元包括半导体基底、形成于半导体基底上的第一栅极叠层、第二栅极叠层以及形成于半导体基底内的漏区、共用源漏区和源区，所述源区和所述共用源漏区均为N型掺杂，所述漏区包括一N型掺杂区和形成于所述N型掺杂区内的一P型重掺杂区。所述2T存储单元兼具防止由于过度擦除而导致数据误判、编程电流较低和读取电流较高的特点，使得非易失存储器的性能得到了提升。
非易失存储器及其制造方法控制

[发明专利]非易失性存储装置、存取装置及非易失性存储系统-CN200780024508.3有效
发明人：前田卓治;本多利行;中西雅浩;小野正;足立达也;加藤勇雄 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储装置、存取装置及非易失性存储系统。该存取装置(100)具有将存取装置(100)记录数据时所需要的存取速度通知给非易失性存储装置(200)的存取速度通知部(112)。该非易失性存储装置具有：用于决定为了满足所通知的存取速度而需要的存取条件的存取条件决定部(212)；以及基于所决定的存取条件决定存取区域的存取区域决定部(213)。存取装置(100)将需要的存取速度事先通知给非易失性存储装置(200)，以使非易失性存储装置(200)内的存取条件决定部(212)和存取区域决定部(213)在数据记录时实现满足了事先所通知的存取速度的数据记录由此，无论根据非易失性存储装置不同而不同的记录速度的特性的差异如何，对所有的非易失性存储装置都能够以希望的速度进行存取。
非易失性存储装置存取存储系统

[发明专利]信息处理设备及电源控制方法-CN200610168717.2无效
发明人：木村真敏 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：该电源控制方法包括：当信息处理设备进入待机模式时，通过操作系统的管理之外的过程，将存储在易失性存储单元中的信息保存到非易失性存储单元中；将表示上述信息被存储到非易失性存储单元中的第一信息存储在非易失性存储单元中；以及通过激活处于待机模式下的信息处理设备，来执行从待机模式中恢复的过程；该方法还包括：当电源连接至信息处理设备时，确定第一信息是否存储在非易失性存储单元中；如果第一信息存储在非易失性存储单元中，则将保存在非易失性存储单元中的信息恢复到易失性存储单元中
信息处理设备电源控制方法

[发明专利]一种单片机的升级分区系统和安全升级方法-CN201610110467.0在审
发明人：陈东海;王会 -专利权人：深圳市美贝壳科技有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明提供一种单片机的升级分区系统，包括连接主控制器的单片机，所述单片机包括闪存，单片机中的闪存包括：启动区单元、非易失性存储单元，第一应用存储单元，和第二应用存储单元；所述单片机系统启动时，先运行启动区单元的引导程序，然后判断单片机非易失性存储单元的标志是是否升级标志，进入升级流程，所述单片机升级完成后，拷贝第二应用存储单元的内容到第一应用存储单元，然后设置非易失性存储单元的标志为启动标志，复位单片机系统。
一种单片机升级分区系统安全方法

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