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- [发明专利]多晶片堆迭结构-CN201010230468.1无效
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黄婷婷;陈贤德
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黄婷婷
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2010-07-15
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2011-05-04
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H01L23/52
- 本发明的多晶片堆迭结构,包括有一底层,其为具有一线路重配置层的基板;一第一晶片,其至少包括一非导体层及一金属层,该非导体层设有一金属填充通道,该金属层倒置地设置于该底层的线路重配置层上;至少两个堆迭晶片,其依序向上堆迭,各堆迭晶片至少包括:一金属层;一非导体层,其设置有一金属填充通道,该金属填充通道与对应堆迭的堆迭晶片的金属层电性连接,且堆迭在最下面的非导体层的金属填充通道与该第一晶片的非导体层的金属填充通道电性连结
- 多晶片堆迭结构
- [实用新型]一种铅酸蓄电池-CN201320274399.3有效
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熊益国;方驰;吴泽民;冯超
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东风汽车公司
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2013-05-20
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2013-11-06
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H01M4/73
- ,所述电池槽体与电池盖密封连接,所述电池槽体内设有由负极板、隔板和正极板叠合而成的极板组,所述负极板与所述负极端子连接,所述正极板与所述正极端子连接,其中,所述负极板或正极板由板栅和涂覆在板栅上的活性物质层组成,所述板栅包括基板,所述基板表面设有网孔,所述基板边缘连接有板耳,所述基板边缘设有用于将活性物质层限位在基板上的非导体边框,所述非导体边框凸出于基板。本实用新型可实现在较薄而轻的基板上涂覆较多的活性物质,得到较厚而轻且容量高的平面极板。
- 一种蓄电池
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