专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]周期矩形阵列排布的二维相控阵天线-CN202022129135.1有效
  • 王欣;赵玉国;陈超;汪波;刘华林;曾传宝 - 零八一电子集团有限公司
  • 2020-09-25 - 2021-05-11 - H01Q1/36
  • 本实用新型公开的一种非周期矩形阵列排布的二维相控阵天线,旨在提供一种能够兼顾非周期阵列,降低设计难度的二维相控阵天线。本实用新型通过下述技术方案实现:在xoy直角坐标系中,从第一象限底面阵列内层的矩形子阵以n≤3为项数,按等差数列进行阶梯层叠阵列向外均匀排布;层叠阶梯的第一外层矩形子阵,子阵内采用矩形栅格、单元间距d进行阵列排布,并且每个矩形子阵以矩形角块对角进行首尾相接,形成边缘不发生重叠的第一外层阶梯子阵;第二外层阶梯子阵的最外层以两个矩形对角首尾相接矩形阵元进行低阶方块无缝层叠,按照阵列中心沿直角方向不同阶梯布阵;整个阵面的其他象限以第一象限镜像对称构成大间距非周期矩形阵列平面阵天线
  • 周期矩形阵列排布二维相控阵天线
  • [发明专利]基于SSEL-EMVS稀疏阵列的2D-DOA估计方法-CN202210925114.1在审
  • 陈伯孝;朱东晨;井佳秋 - 西安电子科技大学
  • 2022-08-02 - 2022-12-09 - G01S3/14
  • 本发明提供了一种基于SSEL‑EMVS稀疏阵列的2D‑DOA估计方法,通过获取矩形SSEL‑EMVS阵列接收到的数据,利用ESPRIT算法对接收到的数据进行处理,获得传播矢量存在周期模糊的高精度估计结果;一方面,在阵列EMVS的电尺寸已知或未知时,分别使用矢量叉积法和基于电磁矢量实部和虚部组合的方法得到了低精度但无周期模糊的2D‑DOA估计结果。另一方面,本发明将这种低精度但无周期模糊的估计算法与存在周期性模糊的精确估计结果的ESPRIT算法相结合,得到高精度且无周期模糊的闭式2D‑DOA估计结果,提高了2D‑DOA估计性能。
  • 基于sselemvs稀疏阵列doa估计方法
  • [发明专利]一种双周期波荡器-CN202310128202.3在审
  • 周蜀东;张伟;相升旺;朱亚;雷阳阳 - 中国科学院上海高等研究院
  • 2023-02-17 - 2023-05-23 - H01S4/00
  • 本发明提供一种双周期波荡器,包括彼此可相对移动的上下磁载结构、固定于下磁载结构上的两个磁体阵列结构、以及固定于上磁载结构上的两个磁体阵列结构,其中四个磁体阵列结构两两组成第一和第二波荡器;四个磁体阵列结构在z方向上的相对位置使得第一和第二波荡器的其中一台的两磁体阵列结构对齐并工作时,另一台的两磁体阵列结构在z方向上处于能够产生斥力的彼此错开的位置,z方向为双周期波荡器的束流传播方向。本发明的双周期波荡器在其中两个磁体阵列对齐时另外两个错开,产生排斥力来补偿对齐的磁体阵列的吸引力,从而基于磁力补偿缩减波荡器的磁力负载,减小波荡器的整体的体积,在相同的波荡器体积下扩大辐射光子的能量范围
  • 一种双周波荡
  • [发明专利]一种基于液晶显示开关控制的激光微透镜阵列光刻系统-CN202310669913.1在审
  • 朱宇超;洪明辉 - 厦门大学
  • 2023-06-07 - 2023-09-05 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种基于液晶显示开关控制的激光微透镜阵列光刻系统,激光发生装置用于产生激光,且使激光照射至液晶显示屏背离微透镜阵列一侧的表面;控制组件控制液晶显示屏中像素点的显示状态,显示状态包括第一显示状态和第二显示状态,照射至所述液晶显示屏上的激光被第一显示状态下的像素点截止,通过第二显示状态下的像素点入射至微透镜阵列上进而聚焦在样品表面。该激光微透镜阵列光刻系统基于液晶显示开关控制使液晶显示屏可以控制激光的通过与截止,即使微透镜阵列光刻的单个微透镜直写可控,显然充分利用液晶显示开关控制的可编程性结合微透镜阵列光刻周期性大面积快速的优势,即可实现激光微透镜阵列周期性和非周期阵列图案化光刻。
  • 一种基于液晶显示开关控制激光透镜阵列光刻系统
  • [发明专利]金属超材料波片-CN201710650278.7在审
  • 韦欣;胡晓斌;宋国峰;李健 - 中国科学院半导体研究所
  • 2017-08-01 - 2017-10-10 - G02B5/30
  • 本发明提供了一种金属超材料波片,包括介质衬底;金属超材料层,设置于介质衬底上;该金属超材料层包括金属颗粒周期阵列;介质包覆层,设置于金属超材料层上,用于提供阻抗匹配;其中,金属颗粒周期阵列中的金属颗粒按矩形阵列排布;金属颗粒周期阵列中的每个金属颗粒至少包含一对平行的光滑平面侧壁,用于在垂直于光滑平面侧壁方向的相邻金属颗粒之间形成法布里珀罗谐振腔。
  • 金属材料
  • [发明专利]质量分析器和质量分析方法-CN201180070450.2有效
  • L.丁;M.苏达科夫;S.库马希罗 - 株式会社岛津制作所
  • 2011-09-28 - 2014-01-01 - H01J49/42
  • 一种用于质量分析的静电离子阱包括第一电极阵列和与第一电极阵列分隔开的第二电极阵列。第一和第二电极阵列可以是由平行的带状电极或者由同心的圆形或部分圆形的导电环形成的平面阵列。这些阵列的电极被提供有基本相同的电压模式,由此阵列之间的空间内电位的分布如此以至于在飞行方向等时地反射离子,使得它们在所述空间内经受基本聚焦在阵列之间的中间位置的周期振荡运动。放大器电路用于检测像电流,所述像电流具有与经受周期振荡运动的离子的质荷比有关的频率分量。
  • 质量分析器分析方法
  • [发明专利]指纹识别方法及装置-CN201910574840.1在审
  • 郑智仁;江忠胜;王笛 - 北京小米移动软件有限公司
  • 2019-06-28 - 2020-12-29 - G06K9/00
  • 本公开是关于一种指纹识别方法及装置,包括:在第一指纹图像中存在过曝时,确定光敏器件阵列中的过曝区域,过曝区域中包括过曝的光敏器件,第一指纹图像是光敏器件阵列基于第一曝光周期采集的;针对过曝区域确定第二曝光周期,使得过曝区域中的光敏器件基于第二曝光周期采集的指纹图像满足曝光条件,其中,第二曝光周期小于第一曝光周期;控制光敏器件阵列中至少包括过曝区域的第一区域基于第二曝光周期采集指纹图像,得到第二指纹图像,并基于第二指纹图像进行指纹识别本公开实施例有效提高了调整曝光周期的效率,减少过曝问题的发生,从而有效提高指纹识别的效率。
  • 指纹识别方法装置

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