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[发明专利]基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法-CN201611068958.X有效
发明人：刘宝丹;张兴来;刘青云;杨文进;李晶;刘鲁生;姜辛 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法，属于光电探测器领域。本发明是通过化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长GaN纳米线阵列，然后在GaN纳米线阵列上沉积一层Pt纳米颗粒，最后利用光刻技术在单根沉积有Pt纳米颗粒的GaN纳米线两端沉积一层金属电极。紫外探测器的光电性能测试结果显示，相比于没有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器，有Pt纳米颗粒修饰的GaN纳米线紫外光电探测器显示出更大的光电流、更高的光响应度、外量子效率、开/关比，以及更快的开光速度和更好的光电流稳定性
纳米线紫外光电探测器修饰沉积纳米线阵列光电流光电探测器领域光电性能测试化学气相沉积器件制造工艺工艺可控性外量子效率紫外探测器光刻技术光响应度金属电极蓝宝石衬底单根制造生长应用

[发明专利]一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷方法-CN202010207286.6有效
发明人：王建立;陈涛;刘昌华;曹景太;李洪文;刘洋;张恒 -专利权人：长春长光奥闰光电科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/024 文献下载
摘要：一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置，涉及光电成像探测器真空制冷封装领域，解决现有探测器制冷装置结构复杂，体积较大，进而影响探测器的制冷效果等问题，包括大靶面探测器、冷板、阵列多级半导体制冷器和热沉；所述大靶面探测器与冷板之间采用高导热的环氧树脂胶粘接，所述阵列多级半导体制冷器冷端与冷板之间、阵列多级半导体制冷器热端与热沉之间均采用低温焊料焊接。本发明的阵列式多级半导体制冷为热电制冷方式，无噪声、无振动、不使用制冷剂，多级半导体可以实现探测器成像大温差的需求，阵列式半导体可以实现探测器发热量大的需求，本发明能够很好的应用在当前大靶面(像素6K×6K)CMOS探测器中。
一种大靶面探测器阵列多级半导体制冷方法

[发明专利]探测器及其制造方法-CN201510387414.9在审
发明人：胡小燕;王玺;韩建忠 -专利权人：中国电子科技集团公司信息科学研究院;中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种探测器及其制造方法，所述探测器包括：衬底；偏振光栅，阵列式排布在衬底的上表面，偏振光栅用于对入射光进行偏振分光；光电二极管，阵列式排布在衬底的下表面，光电二极管与偏振光栅像素一一对应，用于吸收经偏振光栅分光后的偏振光而产生光电流；读出电路，与光电二极管相连接，用于接收和处理光电流。相应地，本发明还提供了探测器的制造方法。本发明实施例提出的探测器及其制造方法，通过在衬底的上下表面分别设置偏振光栅和光电二极管，偏振光栅与光电二极管像素一一对应，从而将偏振分光功能集成在探测器上，这种集成式设计有效的减少整个探测系统的体积和重量，显著提高了探测器系统的机械稳定性。
探测器及其制造方法

[发明专利]一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法-CN202211509913.7在审
发明人：陈一仁;张志伟;宋航;蒋红;缪国庆 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法，克服了现有短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器技术中依赖于深度刻蚀和电极爬坡等复杂工艺和低成品率的问题。该探测器包括：去除衬底后自上而下依次设置的平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列、In柱阵列、Si基读出电路阵列和公共电极引线；所述平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列和Si基读出电路阵列之间通过所述In柱阵列连接，由树脂填充所述平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列和Si基读出电路阵列之间的空隙；所述公共电极引线的两端分别连接在平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列与Si基读出电路阵列上。
一种短波拓展 ingaas 雪崩平面探测器及其制作方法

[发明专利]信号处理电路和包括该信号处理电路的光电探测系统-CN201910489621.3在审
发明人：徐青;徐振;杨健;李开富;王麟 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G01J1/46 文献下载
摘要：本申请实施例公开了信号处理电路和包括该信号处理电路的光电探测系统，该信号处理电路包括：第一级运算放大器，其被配置为对光电探测器阵列输出的电信号的幅值进行叠加处理，并且包括与所述光电探测器阵列中的至少一组光电探测器对应的至少一个第一运算放大器；无源装置，所述光电探测器阵列中的每一组所述光电探测器通过其耦合至对应的所述第一运算放大器的同一个输入端；第一滤波装置，其与所述第一级运算放大器的输出端连接以对所述第一级运算放大器输出的电信号进行滤波处理
信号处理电路运算放大器光电探测器阵列第一级光电探测系统光电探测器输出端连接二极管输出电容并联叠加处理滤波处理滤波电路滤波装置无源装置耦合输入端电阻申请噪声配置恢复

[发明专利]一种量子点光电探测器以及制备方法-CN202110807337.3在审
发明人：陈龙;高亮;唐江;张琳祥;张建兵;刘宇轩;刘沛林;刘婧;李豪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点光电探测器及其制备方法。所述量子点光电探测器包括基底、量子点层和顶电极层；所述量子点层位于所述基底的上方；所述顶电极层位于所述量子点层的上方；所述顶电极层为整面化的形状。该量子点光电探测器利用量子点本身迁移率低的特点，在光电探测器上采用整面覆盖的透明导电电极作为顶电极，而不用像传统探测器那样将顶电极光刻为像素化阵列，避免了额外的走线，同时实现了对水氧的隔绝。
一种量子光电探测器以及制备方法

[发明专利]一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法-CN202310630353.9在审
发明人：郝璐;杨喜业;董升;黄飞 -专利权人：广州光达创新科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法。所述基于微腔结构的光电探测器，包括玻璃基底、光电探测微腔；其中，所述光电探测微腔包括由一个透射电极层、一个全反射电极层的形成的反射镜，厚度调控层和光敏层；通过设置多个不同厚度的光电探测微腔，可形成半峰宽较小的窄带的光电探测器不同厚度的调控层可以具备导电性，高透过率，可以精细调控每个光电探测器中光敏层到两个反射镜之间的距离，实现光电探测器对入射光线中吸收响应增强波段的有效区分，在距离反射镜厚度不同的光腔内，入射光多次反射，对于特定波长响应增强，形成谐振波，而且单个光电探测器即仅对特定波长响应增强，有效滤光，峰宽较小。
一种基于结构光电探测器阵列及其制备方法

[发明专利]一种用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构-CN200510086765.2有效
发明人：李元景;张清军;赵书清;代主得;李树伟 -专利权人：清华大学;清华同方威视技术股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：一种用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构，属于辐射检测技术领域。它包括多个闪烁晶体和与之耦合的光电二极管。其结构特点是各闪烁晶体和光电二极管粘接固化并涂有反射层形成单个探测器。各探测器依次排列用隔板相互隔离并固化。各光电二极管的底部套装绝缘子。各隔板、绝缘子嵌接在金属槽上形成探测器阵列。探测器阵列上铺设有铅板及海绵橡胶层，由金属外罩将其包容并固定在金属槽板上。
一种用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构

[实用新型]用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构-CN200520114599.8无效
发明人：李元景;张清军;赵书清;代主得;李树伟 -专利权人：清华大学;清华同方威视技术股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构，属于辐射检测技术领域。它包括多个闪烁晶体和与之耦合的光电二极管。其结构特点是各闪烁晶体和光电二极管粘接固化并涂有反射层形成单个探测器。各探测器依次排列用隔板相互隔离并固化。各光电二极管的底部套装绝缘子。各隔板、绝缘子嵌接在金属槽上形成探测器阵列。探测器阵列上铺设有铅板及海绵橡胶层，由金属外罩将其包容并固定在金属槽板上。
用于辐射成像系统中的固体探测器阵列结构

[发明专利]一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法-CN201811579271.1有效
发明人：金立川;杨航;王宇;张岱南;张怀武;钟智勇;向全军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控
一种基于三维外延薄膜结构光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硅烷接枝TiO2-CN202010262384.X在审
发明人：凌翠翠;侯志栋;郭天超;曹敏;张拓;冯冰心;赵琳 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd顶电极、硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层、n型单晶硅基底和金属In底电极，其中n型单晶硅层与硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层构成异质结。硅烷接枝TiO2纳米棒阵列层是利用旋涂法、水热法、恒温水浴法制备的。本发明采用硅烷接枝TiO2纳米棒阵列/硅异质结，实现对紫外到近红外波长范围内的光电探测。本发明所制备的光电探测器表现出良好的自驱动光探测性能，可用于光谱仪、成像器件，激光雷达等领域。
一种基于硅烷接枝 tio base sub

[实用新型]一种应用于自来水管网的多光源水质在线检测装置-CN201920885383.3有效
发明人：李康;徐辉;周坤;胥杨艳 -专利权人：四川万江一泓环境科技有限责任公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及水质检测技术领域，目的是提供一种应用于自来水管网的多光源水质在线检测装置，其包括太阳能电池板、控制装置、光源组件、水样流通池和光电探测组件。太阳能电池板被设置用于提供电源。控制装置通过导线分别与太阳能电池板、光源组件和光电探测组件电性连接。光源组件为阵列光源，阵列光源被设置用于提供不同波长的照射光。光电探测组件包括对应设置的阵列滤光片和阵列探测器，阵列光源、阵列滤光片和阵列探测器位于同一轴线上，照射光发出后经过水样流通池传入到滤光片和阵列探测器中。该检测装置能够通过设置阵列光源，同时对自来水管网中流通水体的多种参数指标进行检测，提高检测效率，降低检测成本，利于大范围的推广使用。
一种应用于自来水管网光源水质在线检测装置

[发明专利]一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法-CN202311159452.X在审
发明人：郝群;李科学;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提出一种能够探测和识别手性光场的探测器及其制备方法，涉及新型光电探测器件领域。本发明包括衬底、金属层、矩形空气槽周期阵列、纳米线探测器、金属电极、信号采集和信号运算分析装置；矩形空气槽周期阵列所激发的SPP垂直地向两侧传播，当两列相互垂直的矩形空气槽中心在水平间距为所激发的SPP波长的1/4时，圆偏振光会产生定向耦合的SPP，从而使得矩形空气槽阵列对偏振特性不同的入射光能够精确的筛选，并将筛选的入射光传输至探测器。本发明的纳米线探测器对矩形空气槽阵列传输的光产生光响应，对应于不同的圆偏振光表现出不同的可测量光电流，从而实现对不同圆偏振光的探测和区分。
一种能够探测识别手性探测器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿纳米线阵列光电探测器及其制备方法-CN201710540484.2有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南纳昇电子科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K30/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿纳米线阵列光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括基底(1)、复合在所述基底(1)上表面的有机无机杂化钙钛矿纳米线阵列(2)以及设于所述有机无机杂化钙钛矿纳米线阵列(2)上方的电极)，所述基底(1)的上表面复合有4，4′‑环己基二[N，N‑二(4‑甲基苯基)苯胺]保护层(3)，所述4，4′‑环己基二[N，N‑二(4‑甲基苯基)苯胺]保护层(3)覆盖在所述有机无机杂化钙钛矿纳米线阵列该光电探测器光电探测性能优秀、空气中性能稳定、成本低。
一种钙钛矿纳米阵列光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于InGaN微米LED光电探测器阵列及其应用-CN201910136181.3在审
发明人：田朋飞;刘晓艳;林润泽;方志来;闫春辉;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：基于InGaN微米LED光电探测器阵列，包括基底，以及在基底上阵列分布的多个微米LED器件，每个微米LED器件的基本结构为n‑GaN，InGaN/GaN量子阱，p‑GaN外延层结构,每个微米LED器件尺寸大小相等或者不等此外该光电探测器阵列还能够用于显示、照明和太阳能电池。本发明的光电探测器阵列能够用于高速并行可见光通信，并且通过1‑100μm的不同尺寸的光电探测器阵列证明在数Mbps到数Gbps具有较低的误码率。
光电探测器阵列探测器阵列太阳能电池衬底基底并行传输数据高速光通信光信号转化可见光通信大小相等发射器件高速并行接收器件量子阱误码率自供电应用