专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高强度抗震型闪烁晶体阵列-CN201621461131.0有效
  • 李国铭;刘冰;边建盟;程娜;程豪妍 - 三河晶丽方达科技有限公司
  • 2016-12-29 - 2017-07-04 - G01T1/202
  • 本实用新型提供了一种高强度抗震型闪烁晶体阵列,属于医疗器械设备领域,解决了现有技术中闪烁晶体阵列因受到外力影响导致结构松散或晶体受损从而产生漏光、收光与成像效果不佳的问题,提供一种强度高、抗震性好、不易受损或漏光的高强度抗震型闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体阵列与保护套,所述保护套为套状,底面内层大小与闪烁晶体阵列底面外层大小形状相同尺寸一致,高度等于闪烁晶体阵列高度,嵌套在闪烁晶体阵列外,保留闪烁晶体阵列一端面作为出光面;所述保护套内表面为均匀平滑的面,还包括高反射层,所述高反射层包裹在闪烁晶体阵列外,位于闪烁晶体阵列和保护套之间。
  • 强度抗震闪烁晶体阵列
  • [发明专利]制备闪烁晶体阵列的工艺方法-CN202011442632.5有效
  • 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 - 清远先导材料有限公司
  • 2020-12-08 - 2021-10-22 - C30B28/06
  • 本发明提供了一种制备闪烁晶体阵列的工艺方法,其包括步骤:用金属丝编织成金属网;将闪烁晶体加工成块状结构并将其置于闪烁晶体上;将金属网和闪烁晶体放入充有保护气体的箱体内;对金属网进行通电加热;在垂直方向上向下移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体;在垂直方向上向上移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体;将闪烁晶体从箱体内移出并将其放置在恒温箱内以进行退火处理,由此获得闪烁晶体阵列;在闪烁晶体阵列的上表面、侧表面和下表面粘贴反射膜。本发明的工艺方法不仅加工程序简单、且无需进行灌胶或者涂胶工艺即可制备出闪烁晶体阵列,且获得的闪烁晶体阵列的稳定性和一致性好,由此提高了闪烁晶体阵列的加工效率和闪烁性能。
  • 制备闪烁晶体阵列工艺方法
  • [发明专利]一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法-CN202110197080.4有效
  • 董鸿林;王强;王璐;丁雨憧;方承丽 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2021-02-22 - 2022-09-20 - G01T1/202
  • 本发明公开了一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法,采用装夹夹具对多根闪烁晶条进行装夹定位,然后向固化容器的初步固化槽内倒入混合胶液,多根阵列分布的闪烁晶条下端与槽内的混合胶液接触,然后与固化容器一同进行真空干燥,将固化容器、装夹夹具与多根阵列分布的闪烁晶条相互分离,得到底部具有胶层的初步闪烁晶体阵列;完全固化槽内倒满混合胶液,将离心容器与初步闪烁晶体阵列一同真空混料设备中真空离心,将真空离心后的离心容器与初步闪烁晶体阵列一同进行真空干燥,将离心容器与初步闪烁晶体阵列分离,得到闪烁晶体阵列。本发明能够提高闪烁晶体阵列中反射层的尺寸一致性,并排除反射层内的空气,提高闪烁晶体阵列的反射性能。
  • 一种真空离心闪烁晶体阵列制作方法
  • [发明专利]多层闪烁晶体及PET探测器-CN201310045926.8有效
  • 谢庆国;奚道明;朱俊;王璐瑶 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2012-06-21 - 2014-01-15 - G01T1/29
  • 一种多层闪烁晶体,其包括n层阵列闪烁晶体和m层内部未经过切割的连续闪烁晶体,n与m均为大于等于1的整数,且n与m的和小于等于10,阵列闪烁晶体由长条型闪烁晶体条沿其宽度和长度方向排列构成,阵列闪烁晶体与连续闪烁晶体沿长条型闪烁晶体条的高度方向按顺序耦合构成多层闪烁晶体,多层闪烁晶体的底层为连续闪烁晶体。本发明在阵列闪烁晶体与光电探测器系统之间增加连续闪烁晶体,有利于闪烁光光子的扩散,通过对连续闪烁晶体厚度的优化设计,可以使得被光电探测器器件所接受到的闪烁光分布携带更为丰富的能量沉积信息。配合相应的信息提取算法,充分利用这种丰富的能量沉积信息可以更为精确的获得γ光子在闪烁晶体中的能量沉积信息。本发明还公开了一种PET探测器。
  • 多层闪烁晶体pet探测器
  • [实用新型]射线探测器及核医学成像设备-CN201921600008.6有效
  • 韩振杰 - 上海联影医疗科技有限公司
  • 2019-09-24 - 2020-05-26 - G01T1/202
  • 本实用新型一种射线探测器,包括闪烁晶体阵列、第一光传感器阵列、第二光传感器阵列及第一反射层,第一光传感器阵列与第二光传感器阵列分别设置于闪烁晶体阵列的两个端部上,第一反射层围设闪烁晶体阵列的外侧面;闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体,射线探测器还包括第二反射层,第二反射层夹设于多个闪烁晶体之间,第二反射层的至少一端与闪烁晶体阵列的端部相间隔设置。本实用新型提供的射线探测器通过设置第二反射层,利用第二反射层与闪烁晶体阵列端面之间的间隔设置,在闪烁晶体阵列的内部形成内嵌式的光导结构,避免了闪烁光子在传输过程中的光强损耗。
  • 射线探测器核医学成像设备
  • [发明专利]组合式成像探测器模块及其制备方法和成像设备-CN202111334100.4在审
  • 李新颖;梁国栋;赵健;蒋毅 - 东软医疗系统股份有限公司
  • 2021-11-11 - 2022-03-25 - G01T1/20
  • 本发明公开了一种组合式成像探测器模块及其制备方法和成像设备,该组合式成像探测器模块包括多层外围尺寸相同的闪烁晶体阵列,以及第一光电探测器阵列和第二光电探测器阵列,其中,每层闪烁晶体阵列晶体像素尺寸沿射线入射方向逐层增大,且每层闪烁晶体阵列晶体像素个数是射线出射端的闪烁晶体阵列晶体像素个数的整数倍,第一光电探测器阵列耦合在射线入射端的闪烁晶体阵列上,第二光电探测器阵列耦合在射线出射端的闪烁晶体阵列上,多层闪烁晶体阵列的最外层施加有反射层;第一光电探测器阵列用于对低能射线进行探测,第一光电探测器阵列和第二光电探测器阵列用于对高能射线进行探测。
  • 组合式成像探测器模块及其制备方法设备
  • [发明专利]晶体阵列探测器和发射成像设备-CN202211630230.7在审
  • 顾峥;赵鑫;何文;赵阳洋;黄文杰;张志在 - 深圳湾实验室
  • 2022-12-19 - 2023-03-14 - A61B6/03
  • 本发明提供一种晶体阵列探测器和发射成像设备。该晶体阵列探测器包括晶体阵列阵列反光层和光传感器层。晶体阵列包括复合晶体层,复合晶体层包括在横向平面内密贴排列的第一类型的多个第一闪烁晶体和第二类型的多个第二闪烁晶体,多个第一闪烁晶体分散在多个第二闪烁晶体中,多个第一闪烁晶体中的每个具有第一闪烁光衰减时间,多个第二闪烁晶体中的每个具有不同于第一闪烁光衰减时间的第二闪烁光衰减时间。由于在使用具有不同闪烁光衰减时间的多个第一闪烁晶体和多个第二闪烁晶体,可以在光传感器层中检测到的能量沉积事件中筛选出在两种类型的闪烁晶体内都发生过能量沉积的ICS事件。
  • 晶体阵列探测器发射成像设备
  • [实用新型]晶体阵列探测器和发射成像设备-CN202223395470.1有效
  • 顾峥;赵鑫;何文;赵阳洋;黄文杰;张志在 - 深圳湾实验室
  • 2022-12-19 - 2023-06-06 - A61B6/03
  • 本实用新型提供一种晶体阵列探测器和发射成像设备。该晶体阵列探测器包括晶体阵列阵列反光层和光传感器层。晶体阵列包括复合晶体层,复合晶体层包括在横向平面内密贴排列的第一类型的多个第一闪烁晶体和第二类型的多个第二闪烁晶体,多个第一闪烁晶体分散在多个第二闪烁晶体中,多个第一闪烁晶体中的每个具有第一闪烁光衰减时间,多个第二闪烁晶体中的每个具有不同于第一闪烁光衰减时间的第二闪烁光衰减时间。由于在使用具有不同闪烁光衰减时间的多个第一闪烁晶体和多个第二闪烁晶体,可以在光传感器层中检测到的能量沉积事件中筛选出在两种类型的闪烁晶体内都发生过能量沉积的ICS事件。
  • 晶体阵列探测器发射成像设备

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