专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金属蒸发料的制备方法-CN202310627983.0在审
  • 顾宗慧 - 基迈克材料科技(苏州)有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - B22F9/24
  • 本发明公开了一种金属蒸发料的制备方法,涉及金属材料制备领域,旨在解决获得高纯金属蒸发料;其技术方案要点是:步骤一:准备含有高纯度金属离子的溶液;步骤二,加入还原剂并加热反应溶液;步骤三:在反应过程中,金属离子被还原为金属颗粒,反应结束后,金属颗粒沉淀在水或有机溶剂中,此即为高纯金属蒸发源;步骤四:将产生的金属颗粒过滤或离心,去除余液和杂质;步骤五:对金属颗粒进行清洗、干燥、分散处理,得到制备好的金属颗粒;步骤六:将干燥的金属颗粒装进充满氩气的瓶子中并放置一包干燥剂,封口保存,完成制备。本发明的一种金属蒸发料的制备方法能够获得高纯金属蒸发料。
  • 一种金属蒸发制备方法
  • [发明专利]利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的舟反应器-CN202310253893.X在审
  • 王新强;刘强;刘南柳;王琦 - 北京大学东莞光电研究院
  • 2023-03-15 - 2023-06-27 - C30B23/02
  • 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的舟反应器,包括用于盛放金属的腔室及内置于腔室并依靠金属浮力漂浮于金属液面上方的活动盖板;腔室包括进气通道、出气通道和源存放区;活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁本发明盛放金属的腔室与活动盖板不连通,因此依靠金属浮力漂浮于金属液面上方的活动盖板可以随着金属消耗随着金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于金属内部的底部基座体积固定,因此所受到的浮力固定,使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定,可保证金属液面下降但是预反应通道固定,以此实现预反应不随金属消耗发生变化。
  • 利用浮力维持hvpe反应炉反应速率稳定反应器
  • [发明专利]具有高雪崩能力的氮化功率器件及其制备工艺-CN202110829213.5在审
  • 张龙;袁帅;马杰;崔永久;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 - 东南大学
  • 2021-07-21 - 2021-11-02 - H01L29/778
  • 一种具有高雪崩能力的氮化功率器件及其制备工艺,器件包括:P型硅衬底上设有氮化缓冲层,氮化缓冲层上设有铝氮势垒层,再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化层及金属栅极;在P型硅衬底内设有N型区域,所述金属漏极延伸穿过铝氮势垒层和氮化缓冲层并连接于N型区域,在金属漏极与氮化缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化缓冲层。制备工艺包括:一,在P型硅衬底中形成N型区域;二,在P型硅衬底上生长氮化缓冲层;三,在氮化缓冲层上生长铝氮势垒层;四,在铝氮势垒层上形成P型氮化层;五,形成氮化物钝化层;六,分别淀积金属以形成金属源极、金属漏极和金属栅极。
  • 具有雪崩能力氮化功率器件及其制备工艺
  • [实用新型]一种使用金属作为冷却剂的快中子反应堆-CN201921404839.6有效
  • 李志峰;蔡杰进;李泽宇;曾勤;杨军 - 华南理工大学
  • 2019-08-27 - 2020-06-19 - G21C15/28
  • 本实用新型公开了一种使用金属作为冷却剂的快中子反应堆。该反应堆包括:堆芯、金属一回路管道、金属主泵、蒸汽发生器、金属二回路管道、实验堆用汽轮机及实验堆用发电机;堆芯通过金属一回路管道与金属主泵、蒸汽发生器依次连接,构成循环通路;蒸汽发生器通过金属二回路管道与实验堆用汽轮机、实验堆用发电机依次连接,构成循环通路;堆芯包括金属冷却剂。该反应堆使用了金属金属熔点低可降低其意外固化的可能,还能避免冷却剂发生火灾,提高了反应堆的安全性;由于金属对反应堆内的结构材料腐蚀较低,能提高反应堆内的结构材料使用寿命,降低成本,提高经济性。
  • 一种使用金属作为冷却剂快中子反应堆
  • [发明专利]一种实现氮化CMOS逻辑电路的结构-CN202210361085.0在审
  • 刘斯扬;刘培港;孙媛;张龙;孙伟锋;时龙兴 - 东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
  • 2022-04-07 - 2022-07-08 - H01L27/085
  • 一种实现氮化CMOS逻辑电路的结构,包括:实现P沟道氮化晶体管:从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝氮缓冲层、第一铝氮势垒层、氮化沟道层,氮化沟道层上方设有第三铝氮势垒层、钝化层、金属源极、金属漏极,第三铝氮势垒层上方设有栅极介质层,栅极介质层上方设有栅极金属。实现N沟道氮化晶体管:从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝氮缓冲层、第一铝氮势垒层、氮化沟道层、第二铝氮势垒层,第二铝氮势垒层上方设有P型氮化层、钝化层、金属源极、金属漏极,P型氮化层上方设有栅极金属本发明实现P沟道和N沟道氮化器件的增强型操作,减少散射对空穴迁移率影响,提高P沟道器件的输出电流。
  • 一种实现氮化cmos逻辑电路结构
  • [发明专利]一种室温下液态金属的快速成型方法-CN202010571337.3有效
  • 胡靓;王新鹏;郭家瑞 - 北京航空航天大学
  • 2020-06-22 - 2022-05-10 - B22F3/22
  • 一种室温下液态金属的快速成型方法,通过将加热熔融为液态的金属均匀地注射至通电状态下的中性导电基质液中,且在注射的过程中控制注射头匀速地移动,移动速度控制为5~400mm/s,得到连续的线型液态金属;再取固体金属作为成核剂,将其与所述的线型液态金属接触,使得所述的线型液态金属发生成核并固化,待所述的线型液态金属全部成核并固化后,得到金属成品。该方法能实现金属在室温条件下的稳定连续加工成型,操作简便,能耗少,适合于推广至大规模的工业生产中。
  • 一种室温液态金属快速成型方法

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