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[发明专利]氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法-CN202010756012.2在审
发明人：雷雨;许积文;周志宏;肖世洪;周昭宇;杨永添 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法，其中，氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2至5。氧化铟靶材制备方法包括：按照氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；对粒料进行冷等静压，获取素坯；对素坯进行烧结，获取靶材。本发明提供了的氧化铟靶材制备氧化铟靶材的原料组分包括氧化铈和氧化铟，氧化铈的质量百分比为2至5。通过该材料组分的选取及配比，使得制备获取的氧化铟靶材密度高、成分分布均匀性好，使得使用该靶材制备的导电氧化物薄膜性能得到提高。
氧化铟靶材制备方法

[发明专利]一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310691428.4在审
发明人：谭洪蕾;邵学亮;李开杰 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材的制备方法，采用氧化铟铈钽钛前驱体经过烧结得到氧化铟钛钽铈靶材；所述烧结的工艺参数为：将氧化铟铈钽钛前驱体置于烧结炉中，以0.5‑600‑800℃，保温2‑3h，以0.8‑1.2℃/min升温至1200‑1350℃，进行保温时间为5～10h，继续以0.8‑1.2℃/min升温至1450‑1520℃，进行保温6‑8h，自然降温得到氧化铟钛钽铈靶材；氧化铟铈钽钛前驱体中含有氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈；氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈的摩尔比为81‑87：2‑8：1‑3：5‑11。该靶材采用梯度烧结的方式，实现了氧化铟钛钽铈靶材的导热性能的提高和电子迁移率的改善。同时，本发明还提供了该靶材。
一种基于高温烧结得到氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法和改善氧化铟钛钽铈性能的方法-CN202211616110.1在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化铟钛钽铈粉末的制备方法，将含铟离子、钛离子、钽离子、铈离子的溶液和碱性沉淀剂反应，过滤得到沉淀，将沉淀经研磨、煅烧后制得氧化铟钛钽铈粉末；所述溶液中铟离子的浓度为该方法制备出的氧化铟钛钽铈粉末中氧化钛、氧化钛、氧化铈和氧化铟的粒子分散均匀，用于靶材制作后氧化铈的分布均匀性极高，有效增加靶材的性能。同时，本发明还提供了该靶材的用途。
氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法改善性能

[发明专利]一种高致密性的氧化铟铈靶材及其制备方法-CN202211615763.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;顾德胜;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，公开了一种高致密性氧化铟铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：将氧化铈粉末与第一分散剂和纯水进行预分散，经湿法研磨得到浆料一；向浆料一中加入氧化铟粉末和第二分散剂进行预分散，经湿法研磨得到浆料二；将浆料二进行喷雾造粒、混料和筛分，得到氧化铟铈前驱体；将氧化铟铈前驱体在600～800℃氧气氛围中常压烧结3～6h预处理，然后在真空环境下升温至烧结温度进行加压烧结，得到高致密性氧化铟铈靶材。本发明所得氧化铟铈靶材密度高、成分分布均匀性好，性能优异。
一种致密氧化铟铈靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法和镀膜玻璃片-CN202310678825.8在审
发明人：罗斯诗;李开杰;邵学亮;顾德盛;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化铟钛钽铈靶材，由氧化铟铈钽钛前驱体经过干压和冷等静压处理后烧结得到，氧化铟铈钽钛前驱体中的金属氧化物由氧化铟、氧化铈、氧化钽、氧化钛以重量比98.73～99.42该靶材采用干压和冷等静压处理后烧结的工艺，结合配方优化，可改善镀膜玻璃的方阻、透过率、迁移率。同时，本发明还提供了该靶材的制备方法和镀膜玻璃。
氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法镀膜玻璃片

[发明专利]一种低锆含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法-CN202310691429.9在审
发明人：李开杰;邵学亮;罗斯诗;顾德盛;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种低锆含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为98.73～99.42:0.43～0.19:0.64～0.30:0.20～0.09称取氧化铟、氧化铈、氧化钽和氧化钛粉末，将氧化铈、氧化钽和氧化钛粉末加入到分散剂水溶液中分散研磨，得到浆料一，然后加入氧化铟粉末分散研磨，得到浆料二，再加入粘结剂分散研磨得到浆料三；通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合氧化物粉末经干压和冷等静压，最后热处理，得到低锆含量氧化铟铈钽钛靶材。本发明通过限定各氧化物粉末的成分配比及配合特定的制备工艺，可显著提高靶材的相对密度和降低靶材因研磨带入的锆含量。
一种含量氧化铟铈钽钛靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310678889.8在审
发明人：顾德盛;邵学亮;李开杰;罗斯诗;张兴宇 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种氧化铟掺杂钛钽铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：按摩尔比为90.5～92.5:1.5～2.5:3～5:1.5～2.5称取氧化铟、氧化钛、氧化钽和氧化铈粉末，然后与分散剂加入到纯水中搅拌分散均匀，湿法研磨得到浆料一；再加入氧化铟粉末、分散剂和水经过湿法研磨得到浆料二；再加入粘结剂混合后经过湿法研磨得到浆料三；通过喷雾造粒，再进行混料和筛分，得到混合粉末；最后经过模压和冷等静压后脱脂、烧结，得到氧化铟掺杂钛钽铈靶材。本发明通过限定各氧化物粉末的成分配比及配合特定的制备工艺，可显著提高靶材的各项性能。
一种氧化掺杂钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法-CN202310678924.6在审
发明人：张兴宇;邵学亮;王奇峰;李开杰;罗斯诗;顾德盛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为97.95～98.47:0.23～0.35:0.50～0.75:0.80～1.12称取氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化钽粉末；将上述粉末加入到分散剂水溶液中搅拌分散后研磨，得到浆料一，再加入黏结剂进行预分散和研磨得到浆料二；将浆料二通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合粉末；将混合粉末经过干压和冷等静压后进行热处理，得到高迁移率氧化铟钛铈钽靶材。本发明通过对靶材中各组分进行调节，可显著提高靶材的迁移率和导电性能。
一种迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟锡铈靶材及其制备方法和应用-CN202310412327.9在审
发明人：梅方胜;戚芳芳;曹新鲜;林建国 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡铈靶材及其制备方法和应用，将In2O3粉末、SnO2粉末、CeO2粉末混合获得混合粉，将混合粉球磨、造粒获得粒料，将粒料近净成形获得生坯、生坯于氧化气氛下进行烧结即得高致密、低电阻率的氧化铟锡铈靶材。本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备良好导电性能的高致密度的氧化铟锡铈靶材，利用氧化铟锡铈靶材所制得薄膜具有较高的载流子迁移率，可解决TCO薄膜在近红外波段自由载流子吸收问题，满足了
一种氧化铟锡铈靶材及其制备方法应用

[发明专利]In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法-CN201480033152.X有效
发明人：佐藤启一 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种In‑Ce‑O系溅镀靶材及其制造方法，上述In‑Ce‑O系溅镀靶材尽管包含可获得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为O.16～0.40的Ce，也可长时间地抑制结核或异常放电的产生所述溅镀靶材是包含以氧化铟为主成分且含有铈的In‑Ce‑O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用的In‑Ce‑O系溅镀靶材，上述溅镀靶材中Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In‑Ce‑O系氧化物烧结体中。
溅镀靶材氧化物烧结体原子比制造高折射率膜透明导电膜氧化铈粒子异常放电氧化铟折射率粒径

[发明专利]一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用-CN202210402600.5在审
发明人：陈明飞;刘永成;郭梓旋;莫国仁;徐胜利;陈明高;王志杰;江长久 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用，该靶材由基体和分散在所述基体中的硅元素组成；所述基体由以下质量分数的制备原料组成：三氧化二铟93％～98.5％、二氧化铈1％～6％和二氧化锡0.1％～2％；所述靶材中硅元素的质量浓度为5ppm～200ppm。本发明的靶材在连续镀膜过程下，不会造成裂纹、破裂或者喷溅的产生其结果，可连续稳定地获得低的电阻率和高的红外光透射率的晶质的透明导电膜；同时在铈元素的基础上添加了锡元素，获得的靶材具有更好的导电特性，提升了太阳能电池的转化效率
一种用于 rpd 透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]靶材组件及其制造方法-CN201510728688.X在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;段高林 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种靶材组件及其制造方法，包括提供氧化铟锡靶材、背板和焊料，所述氧化铟锡靶材用于焊接的面为第一焊接面，所述背板用于焊接的面为第二焊接面，所述焊料为铟焊料；通过所述铟焊料对所述氧化铟锡靶材的第一焊接面和背板的第二焊接面进行焊接，以形成靶材组件。其中，通过铟焊料对氧化铟锡靶材和背板进行焊接，铟焊料能够很好地浸润氧化铟锡靶材。因此能够提高靶材组件的焊接强度。此外，铟焊料的熔点较低，焊接温度较低，从而焊接过程中氧化铟锡靶材内部组织结构不容易发生变化，且氧化铟锡靶材的第一焊接面不容易被氧化，进而能够使氧化铟锡靶材与背板结合更紧密，因此能够提高靶材组件的焊接强度
组件及其制造方法

[发明专利]一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法-CN202211626321.3在审
发明人：谭洪蕾;邵学亮;李开杰;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。
一种溅镀用 izo 掺杂及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法-CN202211580121.9有效
发明人：姚远;蒋一昌;赵丽媛;杜宝珩;杨冠军;侯远欣;刘金茂 -专利权人：洛阳晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法，所述蒸镀靶材包括以下质量分数的组分：氧化铟(In2O3)98.5‑99.5%，掺杂氧化物0.5‑1.5%，所述掺杂氧化物为氧化铈、氧化钨、氧化钼、氧化钬、氧化钇、氧化锆、氧化镓中的2‑4种。本方案的蒸镀靶材采用独特的化学组成，通过向氧化铟基体中引入掺杂氧化物，通过二元甚至多元的共掺杂可以在产生较高载流电子浓度的同时，载流电子迁移率得到显著提升，采用该蒸镀靶材所沉积的薄膜具有高的近红外透过率和高电子迁移率
一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铈掺杂IZO粉体、靶材及制备方法-CN202111074675.7有效
发明人：甘志俭;张玉玲;袁伟;陈荣华;诸斌 -专利权人：基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及材料加工技术领域，特别是涉及一种氧化铈掺杂IZO粉体、靶材及制备方法。本发明通过选用金属铈作为掺杂剂，与金属铟和金属锌性质匹配，能在800℃～850℃下形成液态合金，对该液态合金进行气雾化处理后，能得到三种金属分散高度均匀的合金颗粒，同时，雾化时施加氧气，能使得合金颗粒在800℃～850℃的温度下迅速被氧化成合金氧化物颗粒，从而获得以机械研磨方式难以达到的均匀程度的氧化铈掺杂IZO粉体，能进一步制成较纯IZO靶材电阻更低，较传统掺杂技术更均匀、性能更好的氧化铈掺杂IZO靶材，而且制备过程中不涉及酸、氨水等试剂的使用，因此不会产生废水废气污染环境，更绿色环保。
氧化掺杂 izo 粉体制备方法

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