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[发明专利]高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法-CN201410145285.8有效
发明人：丁启恒 -专利权人：深圳市荣伟业电子有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明公开了高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法。高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成络合剂0.20‑0.40mol/L；氯化钯0.004‑0.010mol/L；添加剂20‑40ppm；其余为水，其中，镀液的PH值为4.5‑7.0。一种无氰化学镍钯金加工方法，浸钯时采用前述的镀钯镀液，浸钯时的温度为35‑45℃，时间为3‑7min。本发明高可靠性型化学镀钯液采用新的配方比例，以置换方式在PCB板等工件上完成化学钯，可以使后序的浸金过程中，浸金的厚度达到0.02‑0.03μm，具有成本低、高可靠性，其中的浸金过程中，采用无氰金盐，具有无公害的特点
可靠性化学镀钯液氰化学镍钯金加工方法

[发明专利]改善热传导的LED芯片-CN201210045092.6有效
发明人：郭文平;黄慧诗;谢志坚;柯志杰;邓群雄 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：按照本发明提供的技术方案，所述改善热传导的LED芯片，包括LED芯片本体，所述LED芯片本体包括衬底及位于所述衬底上方的P电极与N电极；所述衬底对应设置P电极与N电极另一侧表面镀有反射层，所述反射层上设有键合层；衬底通过键合层与导热基板键合连接。本发明LED芯片本体包括衬底，衬底上蒸镀有反射层，反射层上蒸镀有键合层，衬底通过键合层与导热基板连接成一体；LED芯片本体工作时产生的热量能通过导热基板及时高效的传导出去，降低了LED芯片自身的热阻，提高了
改善热传导 led 芯片

[发明专利]一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法-CN201310556902.9有效
发明人：王子昊;曹亮;崔德国;谈捷;刘城 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。本发明所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，本发明方法可以在200-300℃的相对低温下，仅采用钯层作为中间介质键合层实现了将硅基半导体与化合物半导体键合在一起，不仅成本较低，工艺过程简单，而且有效避免中间介质键合层溢流、粘片且难以卸片的问题。
一种低温化合物半导体进行方法

[发明专利]一种低应力声光器件及其制备方法-CN201911150024.4在审
发明人：曹家强;吴中超;王晓新;刘保见;吴畏;陈虹羽 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明涉及声光器件，具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法，包括：压电晶片和声光晶体，声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层，压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层，声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。本发明的低应力声光器件采用压电晶片先研磨后键合工艺代替传统的压电晶片先键合后研磨工艺，避免了Au‑Au键合残余应力导致的压电晶片研磨开裂现象；本发明改进了Au膜层的制备工艺，Au膜层的应力明显降低，声光晶体和压电晶片键合后声光晶体没有开裂现象
一种应力声光器件及其制备方法

[实用新型]一种化学镍钯金生产线-CN201920475612.4有效
发明人：张毅;张新学;刘龙平;肖开球;李兴海;贺炳祥 -专利权人：深圳市互连微电子材料有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学镍钯金生产线，包括：输送机构；依次相邻设置在所述输送机构运动路径上的前处理区、化学镍钯金区和后处理区。本实用新型将化学镍钯金生产中的前处理、化学镍钯金和后处理整合到一条生产线上,不仅能够节省人力,缩短处理流程,而且能够降低生产线的制造及使用成本。本实用新型涉及到软板化学镍、硬板化学镍、还原钯、置换钯、还原金以及置换金，生产线中设置了三个镍槽、三个钯槽、三个金槽。本实用新型中一条生产线能整合化学镍钯金生产工艺中的所有需求，能降低制造成本及使用成本。
一种化学镍钯金生产线

[实用新型]一种消防安全用补偿电缆-CN201520301589.9有效
发明人：胡光辉;范小树;王海岭;王飞;张红艳;余宗明;周美彪 -专利权人：安徽龙庵电缆集团有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种消防安全用补偿电缆，包括镀镍铜导体，所述镀镍铜导体的外表面挤包有绝缘层以构成线芯，保证了电缆导体外观的圆整性和本身的柔软性，所述绝缘层为陶瓷化聚烯烃材料制成，所述线芯的数量为两根，两根线芯相绞合以构成缆芯
一种消防安全补偿电缆

[发明专利]一种外延层刚性-柔性衬底无机键合转移方法-CN201810386947.9有效
发明人：范襄;于振海;沈静曼;付坤;雷刚;王凯;马聚沙;王训春;杨广 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层刚性‑柔性衬底无机键合转移方法，该方法包含：分别在外延片和柔性衬底的表面镀制键合金属层，并进行热压键合，得到柔性衬底‑外延片；在刚性支撑衬底和柔性衬底‑外延片的柔性衬底上分别镀制无机键合金属层，并进行热压可逆键合；将外延片制备成太阳电池器件；通过加热进行刚性支撑衬底剥离，完成外延层刚性‑柔性衬底转移。其中，外延片包含：生长衬底，以及在该生长衬底上生长的太阳电池材料；太阳电池器件的刚性支撑衬底的热剥离温度不低于键合金属层材料的熔点。本发明的方法在键合过程无有机污染，实现一步外延‑转移键合，转移的外延层厚度均匀一致，与现有太阳电池器件工艺兼容性好。
一种外延刚性柔性衬底无机转移方法

[发明专利]一种用于印制线路板的化学沉金液-CN202110209518.6有效
发明人：洪学平;姚玉 -专利权人：深圳市创智成功科技有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：所述络合剂选自氰根离子、亚硫酸根离子、硫代硫酸根离子、氨、乙二胺，柠檬酸盐、酒石酸盐、磷酸盐、硼酸盐、乙二胺四乙酸、硫代硫酸盐、有机膦酸、2‑氨基正丁醇和异丁醇胺的一种或几种组合，本发明主要是解决了常规化学镀钯金的钯腐蚀问题,杜绝了因钯腐蚀而造成的化学镀钯金的可焊性不良，耐气候条件差,产品的品质和可靠性无法满足高可焊性的要求，可以大幅度提升化学镀钯金的抗腐蚀性，使金面持久保留优良的焊接性能。
一种用于印制线路板化学沉金液

[实用新型]一种入墙式迷你HDMI对接头-CN201720462710.5有效
发明人：湛帮强 -专利权人：中山合泰电子有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及HDMI线技术领域，特指一种入墙式迷你HDMI对接头，包括入墙式HDMI对接母头与入墙式HDMI对接公头，入墙式HDMI对接母头与入墙式HDMI对接公头通过常规HDMI线材对应连接，入墙式HDMI对接母头包括塞子、杜邦2.0铜镀镍端子与胶壳，杜邦2.0铜镀镍端子一端通过塞子与常规HDMI线材焊接，杜邦2.0铜镀镍端子另一端与胶壳插接，入墙式HDMI对接公头包括芯套、金属螺纹外壳与尾座，尾座一端穿于金属螺纹外壳与芯套插接，并通过卡合装置对应卡紧，尾座另一端与常规HDMI线材焊接。母座内部采用杜邦2.0铜镀镍端子，具有抗氧化、抗磨损、保证信号传输的特点，且体积小，不会阻碍管道布线，待线路布设好后，再通过公座与设备对接，操作简单方便，有效解决HDMI布暗线工程困难的问题。
一种入墙式迷你 hdmi 接头

[发明专利]功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺-CN202111553018.0在审
发明人：丁浩宸;杨超;陈志阳;徐彩云 -专利权人：无锡惠芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率MOSFET的高可靠性封装结构及封装工艺，该结构包括MOSFET芯片、第一互连层、底覆铜陶瓷基板、第二互连层、顶覆铜陶瓷基板、引线框架、灌封胶和管壳。本发明将标准TO封装中的铜基板替换为三层结构的底覆铜陶瓷基板，将键合铝线互连以顶覆铜陶瓷基板的铜布线层互连替代。一方面通过双基板外金属层裸露于管壳表面，直接与散热器相连构成双面散热结构，减小MOSFET的封装热阻，另一方面以铜层互连替代键合线可以减小功率回路电感，同时陶瓷层的引入提升器件结构对热膨胀的耐受力，并以石墨烯材料的高导热性能提升器件散热效率
功率 mosfet 可靠性封装结构工艺

[发明专利]曲面玻璃的制备方法-CN201710839757.3有效
发明人：刘伟 -专利权人：安徽精卓光显技术有限责任公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种曲面玻璃的制备方法，包括：提供平板玻璃和侧边玻璃，在所述平板玻璃和侧边玻璃的待键合侧面各镀制一SiO2层，使所述平板玻璃和侧边玻璃的侧面平坦化；将所述平坦化的平板玻璃和侧边玻璃进行真空热键合，然后采用CNC刀具对键合后的玻璃结合体进行切削，以得到所需外形的曲面玻璃。本发明在将用于制备曲面玻璃的玻璃基材进行真空热键合之前，先在预键合处各镀制一SiO2层，这样可降低玻璃基材的表面粗糙度，提升其平坦程度，从而在进行键合时避免或降低出现气泡，提高了键合强度。
曲面玻璃制备方法

[实用新型]一种铜线键合IC芯片封装件-CN200920144119.0有效
发明人：常红军;郭小伟;慕蔚 -专利权人：天水华天科技股份有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种铜线键合IC芯片封装件，包括引线框架载体、引线框架内引脚、引线框架外引脚、塑封体、粘片胶、IC芯片。IC芯片的焊盘上预植一个金球，在金球上堆叠铜键合球，拱丝拉弧在引线框架内引脚上打一个铜焊点，使IC芯片的焊盘与引线框架引脚相连。既解决了铜线键合直接在IC芯片焊盘上打线出现弹坑的难题，又可在多引脚封装中应用，效果很好。本实用新型不仅可以推广到多引脚封装，而且还可以推广到其它高端封装，实现铜线代替金线键合，节约金线焊线成本更加明显。
一种铜线 ic 芯片封装

[发明专利]一种声光晶体与换能器的键合结构及制备-CN201911290832.0在审
发明人：欧惠航;马新建;吴先云;廖洪平;陈秋华;张星;陈伟 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明提出一种声光晶体与换能器的键合结构及制备方法，常见的声光晶体和换能器的键合结构是通过铟冷焊工艺来键合，即在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层、电极层和焊接层，本发明提出电极层同时兼作为焊接层，使用磁控溅射的方式在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层和电极层，声光晶体的电极层和换能器的电极层直接键合在一起。本发明提出的声光器件键合结构更加简单，获得的膜层具有更加优良的表面质量和更高的机械强度，有效解决声光器件在减薄过程中的开裂问题。
一种声光晶体换能器结构制备

[实用新型]一种功率器件模块-CN202121929906.3有效
发明人：谢峰;张孟杰;吕一航 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件模块，包括第一直接铜键合衬底，安装于所述第一直接铜键合衬底上的第一二极管和第一功率器件，所述第一二极管与所述第一功率器件反并联连接；第二直接铜键合衬底，安装于所述第二直接铜键合衬底上的第二二极管和第二功率器件本申请通过在直接铜键合衬底上设置二极管和功率器件的数量不相同，在应用于新能源发电领域时，能够减少功率器件模块的并联，避免功率器件的浪费。
一种功率器件模块

[发明专利]单晶铜键合丝的制备方法-CN200810017812.1无效
发明人：丁雨田;曹军;胡勇;许广济;寇生中 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B21C1/00 文献下载
摘要：单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H₂+Ar₂保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s
单晶铜键合丝制备方法