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[发明专利]一种采用蚀刻补偿的印制线路板生产方法-CN201910674009.3在审
发明人：王育亮;欧阳正海 -专利权人：沪士电子股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用蚀刻补偿的印制线路板生产方法，包括以下步骤：S01，前处理：将铜面板经过前处理处理使铜面粗糙度符合要求；S02，压膜：选择干膜在铜面贴膜；S03，曝光：通过UV光源将底片图形上的干膜聚合，其中底片图形先整体在外圈增加线宽补偿，然后在线头位置两侧向外延伸增加额外补偿以及线脚位置向内凹进进行反补偿；S04，显影：将曝光环节未聚合的干膜显影掉，裸露出需要蚀刻的铜面；S05，蚀刻：将需要蚀刻掉的铜蚀刻掉，保留需要的铜面及线路图形；S06，除胶：将保护铜面的干膜去除掉。本发明提供的一种采用蚀刻补偿的印制线路板生产方法，能够解决线宽设计中的线头、线脚位置的宽度，即降低圆弧倒角的弧度，避免影响影响PCB产品信号。
干膜铜面印制线路板生产蚀刻蚀刻补偿线头前处理底片显影线脚聚合线宽设计线路图形向内凹进圆弧倒角曝光粗糙度反补偿铜面板铜蚀刻除掉除胶贴膜线宽压膜延伸保留环节

[发明专利]一种利用氯化铜酸性蚀刻废液生产高纯海绵铜工艺-CN202110811960.6在审
发明人：刘爱华;王正达;钟景;张碧明 -专利权人：上海新禹固废处理有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C22B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及海绵铜生产技术领域，尤其为一种利用氯化铜酸性蚀刻废液生产高纯海绵铜工艺，其步骤具体如下：S1，配水：在10m3反应釜中，投入氯化铜酸性蚀刻液，并向10m3反应釜内部的氯化铜酸性蚀刻液一直加水搅拌均匀，当氯化铜酸性蚀刻液配水至铜含量达到合适的浓度范围后，进行置换，本发明通过采用氯化铜酸性蚀刻废液置换得到高纯度的海绵铜，铜含量达到90％左右，水分含量10％左右，铁含量稳定在0.3％～1％，其余杂质总含量不足0.5％，从而制得的海绵铜质量高，活性高，并且能够直接作为原料制备其他铜盐产品，从而利用氯化铜酸性蚀刻液生产的高纯海绵铜
一种利用氯化铜酸性蚀刻废液生产高纯海绵工艺

[发明专利]一种柔性印刷电路板及其制备方法-CN202110774819.3在审
发明人：郑晓娟;李金明 -专利权人：江西柔顺科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性印刷电路板的制备方法，包括步骤：提供基材层；于基材层表面制备剥离层；于剥离层表面制得导电铜层；对导电铜层进行蚀刻处理，形成线路层；对蚀刻后的线路层涂胶制备绝缘层，且将线路层嵌入绝缘层内；借助剥离层剥离基材层；在露出绝缘层的线路层表面制备增厚铜层。该方法制得的柔性印刷电路，能够从薄铜到厚铜，薄铜时进行蚀刻，蚀刻方便且成本较低，且蚀刻精准及蚀刻线路线宽小，能提升电路板的利用率及增大数据传输效果；厚铜时更有利于信号传输。
一种柔性印刷电路板及其制备方法

[发明专利]一种埋铜线路板的制作方法-CN202210539669.2在审
发明人：邱小华 -专利权人：广东依顿电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种埋铜线路板的制作方法，包括以下步骤：蚀刻：在一铜板上进行区域划分，在不需要蚀刻的区域标记上埋铜块区，对铜板上除埋铜块区以外的区域进行蚀刻，得到与埋铜块区对应的若干个凸铜以及与若干个凸铜相连的铜底板；开槽：在中间介质层上开出与若干个凸铜位置对应的第一开槽；压合：将单面铜箔、中间介质层和蚀刻后的铜板依次压合在一起，使若干个凸铜嵌入第一开槽的位置上；再蚀刻：分别对单面铜箔和铜底板进行蚀刻，使单面铜箔和铜底板完全去除掉
一种铜线制作方法

[发明专利]一种封装基板上实现高密度高精度空腔结构的方法-CN202211138650.3在审
发明人：环珣 -专利权人：苏州芯唐格电子科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装基板上实现高密度高精度空腔结构的方法，包括以下步骤：S1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为基板；S2、基板覆铜，在基板上覆盖一层铜层；S3、覆干膜；S4、曝光干膜；S5、显影未曝光区域干膜；S6、蚀刻无干膜保护区的铜层；S7、去膜，剥离干膜剩余部分；S8、高速等离子蚀刻，利用蚀刻气体无法蚀刻金属的特性，高速等离子蚀刻机进行蚀刻树脂介电料；S9、去铜，去除铜层，完成基板空腔的雕刻。本发明通过金属保护罩后，等离子蚀刻介电材料的方式，能够制作高度一致性和高精度的基板空腔，在封装基板上实现高密度孔；实现了高密度空腔一次完成加工，产品空腔数量越多，提高了加工效率。
一种封装基板上实现高密度高精度空腔结构方法

[发明专利]一剂型高效长寿命铜钼蚀刻液、其制备方法及应用-CN202210179170.5有效
发明人：侯军;请求不公布姓名;滕越 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种一剂型高效长寿命铜钼蚀刻液、其制备方法及应用。所述一剂型高效长寿命铜钼蚀刻液，包括质量配比如下的各组分：氧化剂5‑10份；三元无机酸1‑3份；有机酸2‑8份；有机碱4‑9份；磷酸二氢盐和/或砷酸二氢盐0.1‑1份；有机金属盐0.05‑0.1份；蚀刻抑制剂本发明铜钼蚀刻液能应用在TFT‑LCD面板制造所涉及的铜制程领域中，在铜钼金属层蚀刻过程中不需要补充抑制剂，即可实现高效蚀刻，其稳定的使用寿命可达到10000ppm溶铜量，并且仅在添加极少量氮唑类抑制剂的基础上，即可以保证极为可靠的蚀刻效果。
剂型高效寿命蚀刻制备方法应用

[发明专利]电路板酸性废蚀刻液氯化亚铜(Cu⁺,CuCL)离子隔膜电积再生-CN201210164142.2在审
发明人：叶福祥 -专利权人：叶福祥;叶萌;叶欣
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C25F7/02 文献下载
摘要：电路板酸性废蚀刻液氯化亚铜(Cu+，CuCl)离子隔膜电积再生：是用单液型蚀刻子液(NH4Cl-HCl-添加剂、HCl-添加剂)进行蚀刻，不但满足蚀刻电路板品质要求和效率，更能产生百分百一价亚铜。可实现一价铜离子隔膜电积出紫铜板。其电耗仅为二价铜(CuCl2)的一半。往离子隔膜电积阴极区加入酸性废蚀刻亚铜溶液，其电积残液仅含少量铜甚至不含铜，把这电积残液加入有机物作为阳极区抑氯及产生盐酸，并补充添加剂，调节酸度氯离子浓度即可返回到蚀刻生产线上。
电路板酸性蚀刻氯化 cu sup cucl 离子隔膜再生

[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法-CN201210179719.7有效
发明人：户田健次;高垣爱 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明的蚀刻液，将电绝缘件（1）上铜层的未被抗蚀剂（3）覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案（2）。
蚀刻导体图案形成方法

[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法-CN200810214328.8有效
发明人：户田健次;高垣爱 -专利权人： MEC股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明的蚀刻液，将电绝缘件(1)上铜层的未被抗蚀剂(3)覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案(2)。
蚀刻导体图案形成方法

[发明专利]铜/钼系多层薄膜用蚀刻液-CN201280037180.X有效
发明人：冈部哲;安谷屋智幸;丸山岳人 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的
多层薄膜蚀刻

[发明专利]一种铜及铜合金表面粗化蚀刻液及其制备方法与应用-CN202111496287.8在审
发明人：周煜;黄建东;章晓冬 -专利权人：上海天承化学有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种铜及铜合金表面粗化蚀刻液及其制备方法与应用。所述铜及铜合金表面粗化蚀刻液由以下原料组成：硫酸7‑25％，双氧水3‑9％，缓蚀剂0.7％‑1.5％，卤化盐0.003‑0.006％，有机酸类化合物0.01‑2％，有机溶剂0.1‑1％，余量为去离子水。所述铜及铜合金表面粗化蚀刻液能够使得蚀刻后的电镀铜面呈均匀的蜂窝状结构，表面无针孔或针孔数量很少，大大提高蚀刻良品率。
一种铜合金表面蚀刻及其制备方法应用

[发明专利]一种铜蚀刻液组合物-CN202211620268.6在审
发明人：王维康;黄德新;吴际峰;张家明;操岳峰;许磊 -专利权人：合肥中聚和成电子材料有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液组合物，具体涉及液晶面板加工中铜线路蚀刻技术领域。有益效果：本发明的铜蚀刻液配方提高了铜蚀刻液使用的安全性，为铜蚀刻液的配方升级到更高的使用寿命提供了解决方法，同时此配方体系使用的添加剂都有大规模市场化，成本低，适合大规模使用。
一种蚀刻组合

[发明专利]可循环使用的铜面微蚀刻剂-CN201010123329.9无效
发明人：张小平 -专利权人：张小平
申请日： 2010-02-07 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种可循环使用的铜面微蚀刻剂，可应用于线路板铜表面的蚀刻工艺中，本发明公开的铜面微蚀刻剂，以重量百分比计算包括下列组分：硫酸或/和硝酸1％～20％、硫酸铁或/和硝酸铁1.5％～35％、3-巯基-1-丙磺酸钠盐0.005％～1％，余量为水，在此基本组分的基础上，还可通过增加不同的添加剂在微蚀刻液中，达到其他特殊的铜表面处理的要求。本发明的微蚀刻剂药液可循环使用，不需排放，做到环保、绿色生产的目的。
循环使用铜面微蚀刻

[发明专利]可循环使用的铜和铜合金微蚀刻剂-CN200710031058.2无效
发明人：章晓冬 -专利权人：章晓冬
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种可循环使用的铜和铜合金微蚀刻剂，可应用于线路板铜表面的蚀刻工艺中，本发明公开的铜和铜合金微蚀刻剂，以重量百分比计算包括下列组分：硫酸或/和硝酸1％～20％、硫酸铁或/和硝酸铁1.5％～35％、氟素表面活性剂0.005％～1％，余量为水，在此基本组分的基础上，还可通过增加不同的添加剂在微蚀刻液中，达到其他特殊的铜表面处理的要求。本发明的微蚀刻剂药液可循环使用，不需排放，做到环保、绿色生产的目的。
循环使用铜合金蚀刻

[实用新型]可循环再用铜和铜合金表面微蚀刻处理系统-CN201120134547.2有效
发明人：章晓冬;刘江波 -专利权人：广州市天承化工有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可循环再用铜和铜合金表面微蚀刻处理系统，微蚀刻工作槽，用于蚀刻处理循环再用的铜和铜合金；药剂电解再生及回收金属铜系统，用于将工作后药剂的微蚀能力再生恢复，进行电解再生回收处理；以及将微蚀工作槽及电解回收及再生槽连接并实现自动化稳定控制的自动控制系统；药剂电解再生及回收金属铜系统与线路板生产线微蚀刻工作槽以管道相连，经过处理的药剂通过管道重新回到微蚀工作槽中继续处理工件。本实用新型的电路板微蚀再生循环设备可以降低微蚀刻工艺的生产成本，提高铜及铜合金表面微蚀刻工艺的水平，并达到清洁生产实现零排放的目的。
循环再用铜合金表面蚀刻处理系统