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[发明专利]铜离子处理系统及其废水处理系统-CN201910288975.1在审
发明人：李金城;吴豪旭 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：一种铜离子处理系统及其废水处理系统，铜离子处理系统包括：蚀刻机台，用以利用铜蚀刻液进行蚀刻制程；中和单元，与蚀刻机台连通，用以收集并中和来自蚀刻机台的铜蚀刻液；铜离子去除单元，与中和单元连通，用于收集来自中和单元之经中和的铜蚀刻液，将铜离子自铜蚀刻液中分离；以及铜蚀刻液的补充单元，与铜离子去除单元以及蚀刻机台连通，用以接收来自铜离子去除单元的铜蚀刻液，并调整铜蚀刻液的比例后，传送回蚀刻机台以进行蚀刻制程；废水处理系统，包括：废水回收单元；废水中和单元；以及废水铜离子去除单元。
铜蚀刻液铜离子去除蚀刻机台铜离子废水处理系统处理系统中和单元连通蚀刻制程废水回收单元机台补充单元废水中和并中和回蚀刻传送废水中和

[发明专利]铜蚀刻液添加剂以及铜蚀刻液的生成方法-CN201610446967.1在审
发明人：武岳;周佑联;周志超 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液添加剂以及铜蚀刻液的生成方法。方法包括：生成铜蚀刻液添加剂，其中铜蚀刻液添加剂为包括二价铜离子的无机溶液，铜蚀刻液添加剂以去离子水为溶剂，呈电中性；在进行湿法蚀刻之前将铜蚀刻液添加剂添加到铜蚀刻液中，使得二价铜离子的浓度为700‑1000ppm通过以上方式，本发明能够改善铜蚀刻液的蚀刻品质，使蚀刻速率、均一性得到提高。
蚀刻添加剂以及生成方法

[发明专利]一种金属钨和铜的选择性蚀刻液-CN202011394817.3在审
发明人：王书萍;钟昌东;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;万杨阳;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种对金属铜和金属钨具有选择性蚀刻的蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、有机酸、螯合剂、pH调节剂和铜蚀刻抑制剂。本发明所述金属铜和钨的选择性蚀刻液能够在高效蚀刻金属钨的同时保证金属铜的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属铜的蚀刻。在蚀刻过程中，咪唑等pH调节剂稳定蚀刻液pH，避免蚀刻液pH的大幅波动，从而对金属铜和钨的蚀刻速率及蚀刻稳定性造成较大的波动；螯合剂快速与蚀刻液中生成的铜离子形成配位键进行螯合，避免蚀刻液中铜离子的累计造成氧化剂双氧水的分解，硬性蚀刻液的稳定性；氨基四唑等铜离子蚀刻抑制剂在蚀刻过程中，抑制铜离子的蚀刻保证金属钨相对铜的高选择性蚀刻。
一种金属选择性蚀刻

[发明专利]一种选择性铜蚀刻液-CN202110926379.9有效
发明人：王书萍;钟昌东;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;万杨阳;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性铜蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、有机羧酸、螯合剂、pH调节剂和铜蚀刻加速剂。本发明所述选择性铜蚀刻液能够在高效蚀刻金属铜的同时保证金属钨的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属钨的蚀刻。在蚀刻过程中，咪唑等pH调节剂稳定蚀刻液pH，避免蚀刻液pH的大幅波动，从而对金属铜和钨的蚀刻速率及蚀刻稳定性造成较大的波动；螯合剂快速与蚀刻液中生成的铜离子形成配位键进行螯合，避免蚀刻液中铜离子的累积造成氧化剂双氧水的分解，影响蚀刻液的稳定性；金、银和铂族金属（钌、铑、钯、锇、铱、铂）等贵金属与有机羧酸的复配物作为铜离子蚀刻加速剂，在蚀刻过程中，加快铜离子的蚀刻保证金属铜相对钨的高选择性蚀刻。
一种选择性蚀刻

[发明专利]铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法-CN201210244572.5无效
发明人：洪振燮;朴庆浩;李期范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。
蚀刻工序控制方法组合再生

[发明专利]铜蚀刻液及其制备方法和应用、铜蚀刻方法-CN201410613863.6有效
发明人：董艳;王逸群;王洋洋;冯海通 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液及其制备方法，所述铜蚀刻液是含有质量浓度10g/L～15g/L的亚氯酸钠、质量浓度50g/L～70g/L的碳酸氢铵和体积浓度10mL/L～60mL/L的氨水的水溶液；该铜蚀刻液的制备方法包括步骤：A、在蚀刻液槽中加入预定量的水；B、向其中加入预定量的亚氯酸钠和碳酸氢铵，并充分溶解；及C、向步骤B得到的溶液中加入预定量的氨水，混合均匀得到所述铜蚀刻液。本发明还公开了该铜蚀刻液蚀刻铜的方法及其在半导体和微机电系统的制造及封装中的应用，该铜蚀刻液蚀刻铜的方法为将蚀刻对象物与所述铜蚀刻液接触。所述铜蚀刻液克服了干法蚀刻及其他蚀刻液蚀刻铜存在的问题。
铜蚀刻液蚀刻碳酸氢铵氨水亚氯酸钠制备制备方法和应用蚀刻对象物微机电系统干法蚀刻蚀刻液槽蚀刻液铜蚀刻半导体封装溶解应用制造

[发明专利]种子层的蚀刻方法-CN201010586581.3有效
发明人：朱兴华;苏新虹 -专利权人：北大方正集团有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种钛铜种子层的蚀刻方法，其中，包括：步骤1、通过硫酸和双氧水的溶液蚀刻基板上钛铜种子层中的铜层；步骤2、通过氢氟酸溶液蚀刻所述钛铜种子层中的钛层。本发明钛铜种子层的蚀刻方法，通过硫酸和双氧水的溶液蚀刻去除钛铜种子层中的铜层，通过氢氟酸溶液蚀刻去除钛铜种子层中的钛层，蚀刻钛铜种子层的速度适中，可以使蚀刻过程容易控制均匀性和稳定性，有利于蚀刻厚度较小的钛铜种子层
种子蚀刻方法

[发明专利]一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板-CN202010293568.2有效
发明人：梅园 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本申请提供一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板，该铜钼膜层的蚀刻方法包括：在基板上形成铜钼膜层；在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；使用呈酸性的第一蚀刻液对所述铜钼膜层上的铜膜层进行蚀刻；使用呈中性或碱性的第二蚀刻液对所述铜钼膜层上的钼膜层进行蚀刻，形成具有所述预定图案的铜钼金属层。本申请针对铜金属和钼金属发生腐蚀的电位区间差异，采用不同pH值的蚀刻液，仅通过控制铜或钼单层金属的蚀刻工程以进行铜钼膜层的分段蚀刻。
一种铜钼膜层蚀刻方法阵列

[发明专利]镀铜铝基板柔性线路板的制备方法-CN201510849041.2在审
发明人：李杏明;武立志 -专利权人：上海英内物联网科技股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开的镀铜铝基板柔性线路板的制备方法，其镀铜铝基板柔性线路板基板包括柔性耐蚀刻绝缘基材、铝箔层和铜膜；铝箔层位于柔性耐蚀刻绝缘基材和铜膜之间；该制备方法包括贴干膜或油墨印刷步骤、曝光步骤、显影步骤、铜蚀刻步骤、铝蚀刻步骤、去膜步骤、清洗步骤、防氧化处理步骤；其铜蚀刻步骤为：在45℃～51℃下，用铜蚀刻液对所述镀铜铝基板柔性线路板基板的未曝光部分上的铜膜进行蚀刻，蚀刻时间为15-45s；铜蚀刻液由EL-306蚀刻液100质量份和去离子水30～60质量份配置而成。采用本发明的制备方法，在蚀刻铜的时候铝箔不会被同步蚀刻掉，使铝箔和铜膜的蚀刻液完全分开，便于后续处理。
镀铜铝基板柔性线路板制备方法

[发明专利]一种铜蚀刻液及其循环使用方法-CN200510031482.8无效
发明人：李德良 -专利权人：李德良
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： C23F1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜蚀刻液及其循环使用的方法，这种铜蚀刻液以使用有机胺和氧化剂为特征，铜蚀刻液的铜浓度通过采用选择性分离铜的方法使其控制在蚀刻铜过程所要求的范围内，使铜蚀刻液的循环使用成为可能。
一种蚀刻及其循环使用方法

[发明专利]一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法-CN202310157575.3在审
发明人：钟昌东;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;张庭;张演哲;黄锣锣;黎鹏飞;王荣;彭俊杰;尉鹏;李文飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法。利用铜盐，无机酸，有机酸，螯合剂，表面活性剂，抑制剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，蚀刻寿命更长。其中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，提高蚀刻液的稳定性和蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，提升蚀刻液的稳定性及蚀刻寿命
一种寿命蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种铜蚀刻液及其制备方法-CN202211669836.1在审
发明人：钟昌东;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;张庭;张演哲;黄锣锣;黎鹏飞;王荣;彭俊杰 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液利用铜盐，无机酸，有机酸，表面活性剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，对ITO、不锈钢等材料的腐蚀较小蚀刻液中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，可以增加蚀刻液的蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，降低蚀刻液对其它金属的腐蚀
一种蚀刻及其制备方法

[实用新型]一种微蚀刻液再生提铜装置-CN202221225978.4有效
发明人：李琪中;何世武 -专利权人：深圳市瑞盛环保科技有限公司
申请日： 2022-05-21 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微蚀刻液再生提铜装置，包括提铜主体，所述提铜主体的上端左部固定连接有蚀刻箱，所述蚀刻箱的上端中部固定连接有电机，所述电机的输出端贯穿蚀刻箱并固定连接有混合结构，所述蚀刻箱的上端左部设置有溶解器，所述溶解器的下端与蚀刻箱相连通，所述蚀刻箱的右端中部固定连接有连接管，所述装置槽内可拆卸连接有提铜结构。本实用新型所述的一种微蚀刻液再生提铜装置，通过设置混合结构和提铜结构，增加蚀刻液与溶解液混合的高效快捷性，提高蚀刻液的混合效率，增加蚀刻液的混合面积，大大缩短提铜的时长，增加蚀刻液内铜提取的精准度，增加提铜后安装与拆卸的灵活性和便捷性，避免提铜后安装与拆卸时出现错位现象。
一种蚀刻再生装置

[发明专利]一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法-CN202010458991.3有效
发明人：张演哲;郝晓斌;贺兆波;钟昌东;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法。利用双氧水氧化剂，稳定剂，螯合剂，缓蚀剂，表面活性剂以及强极性有机溶剂构成铜制程面板蚀刻液，对铜及其合金进行蚀刻的过程中，随着蚀刻液中铜离子的增加，仍能保持蚀刻锥角的稳定性。铜蚀刻液中的表面活性剂和强极性有机溶剂的配合添加，能够改善蚀刻过程中蚀刻液在光阻‑铜界面处的表面浸润性，并使光阻‑铜界面附近铜蚀刻液中的铜离子及其螯合物更好的分散，维持界面处的侧蚀速率，从而保证蚀刻锥角的稳定性，延长铜蚀刻液蚀刻寿命，保证批量面板的制程质量，节约铜制程面板成本。
一种铜制面板稳定蚀刻方法

[发明专利]铜蚀刻液再生循环方法及装置-CN200710026628.9在审
发明人：何剑波 -专利权人：何剑波
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液再生循环方法及装置，属于废蚀刻液的处理技术领域，本发明采用以下四个闭路循环：废蚀刻液铜分离循环，氨水洗废液铜分离循环，反萃循环，电解提铜循环，废蚀刻液经过废蚀刻液铜分离循环后再经组分调配可供蚀刻机循环使用；氨水洗废液经过氨水洗废液铜分离循环后可供蚀刻机循环使用；铜萃取剂经过反萃循环可进入废蚀刻液铜分离循环和氨水洗废液铜分离循环中循环使用；反萃剂经过电解提铜循环可再进入反萃循环中循环使用，电解提铜循环中产生的电解铜可以作为商品出售
蚀刻再生循环方法装置

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