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[实用新型]混动汽车功率单元-CN202222032386.7有效
发明人：蒋佳奇 -专利权人：上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混动汽车功率单元，包括：散热装置上表面与带有IGBT功率模块的双面覆铜绝缘板下表面固定连接；双面覆铜绝缘板上IGBT功率模块划分为并列布置的两个硅基晶圆区域，其左侧的硅基晶圆区域包括两个硅基晶圆，其右侧的硅基晶圆区域包括四个硅基晶圆；其中，左侧的硅基晶圆区域是每个相位的用于发电机进行发电充电模块，右侧的硅基晶圆区域用于扭矩电机输出功率。本实用新型将两个IGBT的功能集成在同一模块中，将该功率模块划分两个硅基晶圆区域，进而实现可压缩混动双逆变器设备的体积，降低原材料采购制造成本，最大程度发挥IGBT功率半导体性能。
汽车功率单元

[发明专利]一种钴基非晶合金丝的制备方法-CN201010273992.7有效
发明人：沈宝龙;宁伟;蔡平平;乔文 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴基非晶合金丝的制备方法，使用导热性能良好的铜辊轮切削母合金并连续快速抽拉，通过铜辊轮转动线速度和母合金进给速度的匹配实现母合金的连续进给，同时使用铜辊水冷技术对高速旋转的铜辊进行持续冷却，使铜辊切割面始终保持30℃～50℃，从而得到连续的直径为10μm～200μm的钴基非晶合金丝；另外，制备过程在氩气保护的条件下进行，避免了钴基非晶合金丝形成过程中的氧化以及与其他冷却介质反应所带来的影响，保持钴基非晶合金丝表面光洁、性能均一、圆度高，可广泛应用于交流传感器技术、磁敏传感器技术领域。
一种钴基非晶合金丝制备方法

[发明专利]一种铜基非晶钎料及其制备方法-CN202111300008.6在审
发明人：罗良良;王晓蓉;黄世盛;罗寿根;卓晓;刘金湘;房敏 -专利权人：杭州华光焊接新材料股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜基非晶钎料及其制备方法，所述铜基非晶钎料各组分质量百分比为：P：6%～7%；Sn：9%～10%；Ni：4.5%～6.5%；Si：0～0.1%；Cu：余量。铜基非晶钎料的制备方法包括：备料；使用中频炉进行熔炼并浇铸成合金铸锭；合金铸锭放入石英坩埚中，石英坩埚抽真空，启动并调整石英坩埚功率，当合金铸锭表面受热变红时驱动冷却辊转动，控制石英坩埚内温度在750℃～850℃之间；待合金铸锭全部熔化并有熔液从石英坩埚底部滴落时，开启吹压缩空气装置，开启惰性气体吹气装置并将石英坩埚逐步下降至冷却辊上方0.2mm～1mm，制备出铜基非晶钎料带材。
一种铜基非晶钎料及制备方法

[发明专利]锆基、铜基非晶合金及其制备方法、及由其制得的电子产品结构件及加工方法-CN201310059735.7在审
发明人：李杨勇;魏冬;胡浩;李建邦 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆基、铜基非晶合金及其制备方法、及由其制得的电子产品结构件及加工方法，其中，该锆基非晶合金具有结构式(Zr_aAl_bCu_cNi_d)_100-e-fTi_eM_f，铜基非晶合金(Cu_aZr_bAl-3torr的条件下，将本发明提供的铜基或锆基非晶合金熔融得到熔融液；将模具加热至温度大于等于150℃且小于等于350本发明提供的锆基、铜基非晶合金具有较低的临界冷却温度，由其制得的电子产品结构件具有更好的力学性能，并且其加工工艺简单且成本低。
锆基铜基非晶合金及其制备方法电子产品结构件加工

[发明专利]一种SiC增强铜基复合材料及其制备方法-CN202010037815.2有效
发明人：张锐;关莉;李明亮;李纪鹏;高前程;李哲;马嘉彬;刘成璞;冯泽琦;范冰冰 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷增强金属基复合材料技术领域，具体涉及一种SiC增强铜基复合材料及其制备方法。本发明的SiC增强铜基复合材料，包括Cu颗粒和SiC颗粒，所述Cu颗粒和SiC颗粒之间设有非晶玻璃相，所述非晶玻璃相为SiO2和Cu2晶玻璃相作为界面过渡层，避免了SiC颗粒与Cu颗粒的直接接触，从而使得SiC增强铜基复合材料的性能得到提高。
一种 sic 增强复合材料及其制备方法

[发明专利]抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法-CN202011004538.1有效
发明人：丁文红;臧之祺 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法，以钢为基材、镍基合金为覆材制备异质金属层状复合材料时，在镍基合金再结晶温度以下温度进行轧制变形，改善合金元素在镍基合金中的分布，抑制合金元素偏聚所导致的晶界腐蚀，提升直接轧制镍基合金/钢复合板的耐蚀性能，避免热轧后增加固溶处理对复合板冲击韧性的影响。
抑制合金元素导致腐蚀方法

[发明专利]铜基钎料及其制备方法和应用-CN202111158543.2在审
发明人：龙伟民;张雷;纠永涛;钟素娟;赵丹;孙华为;程战;王蒙 -专利权人：中机智能装备创新研究院（宁波）有限公司;机械科学研究总院南方中心
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明涉及焊接材料技术领域，尤其是涉及一种铜基钎料及其制备方法和应用。铜基钎料，以质量百分数计包括：Mn 10％～12％、Ni 3％～4％、Si 0.5％～2％、Cr 0.3％～0.9％、B 0.03％～0.5％、Fe 1.5％～3％、Co 0～0.2％、Zn 0～0.5本发明的铜基钎料，杜绝了低熔点铜铝共晶、铝硅共晶化合物的产生，并通过调控各成分在上述范围内，提高了铜基钎料的高温性能。采用本发明的铜基钎料钎焊得到的钎焊部件，硬质合金与钢基体焊接强度高，能够显著提高部件的使用寿命。
铜基钎料及制备方法应用

[发明专利]一种低熔点耐腐蚀镍基共晶钎焊材料及其应用-CN201910164925.2有效
发明人：盛洪超;金汉兵;杨奇佳;许淋琪 -专利权人：苏州昆腾威新材料科技有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种低熔点耐腐蚀镍基共晶钎焊材料及其应用。所述低熔点耐腐蚀镍基共晶钎焊材料包括按照质量百分比计算的如下组分：铬10～14wt％、磷8～12wt％、铜9～11wt％、锡0.5～2wt％、硅0.08～0.12wt％，其余部分包含镍及不可避免的杂质。本发明还公开了所述低熔点耐腐蚀镍基共晶钎焊材料于不锈钢材料或纯铜焊接领域中的应用。本发明利用铬、铜、硅、磷在镍中的合金化作用，精确控制铬、铜、硅、磷的含量获得共晶成分，制备获得了一种熔点低、耐腐蚀、耐高温、焊接强度高、润湿性能高的镍基共晶钎焊材料，特别适用于不锈钢电发热管、不锈钢手表、不锈钢首饰、纯铜零件的钎焊。
一种熔点腐蚀镍基共晶钎焊材料及其应用

[发明专利]一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法-CN202110295022.5有效
发明人：马安朋 -专利权人：襄阳汽车职业技术学院
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基钙钛矿纳米晶薄膜的方法，在将钙钛矿纳米晶粉末烧结成钙钛矿薄膜过程中，先将干燥的钙钛矿纳米晶粉末放入模具型腔内，并在氮气气氛中使用冷压法将其压制成直径为Φ20mm×10mm圆柱体素坯；超高压可以大大降低烧结温度，使铜基钙钛矿纳米晶粉末在热裂解温度点以下就可以形成熔融态，同时超高压还可以促进铜基钙钛矿纳米晶粒的重排，择优取向使系统自由能往更低的方向进行，最终获得毫米级厚度的铜基钙钛矿薄膜
一种铜基钙钛矿纳米薄膜制备方法

[发明专利]聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法-CN201510350009.X有效
发明人：迟庆国;马涛;高亮;刘刚;王暄;雷清泉 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： B29C43/02 文献下载
摘要：聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10％)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下一、晶化处理；二、施镀；三、熔融共混；四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸铜钙为填料，以PVDF为基体，在低体积浓度(≤10％)填加量下采用熔融共混‑热压成型工艺，结合磁化处理手段，制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料，其介电常数高达
聚偏氟乙烯基复合材料制备方法

[实用新型]一种具有双层复合保护层结构的铜集流体-CN202020950855.1有效
发明人：权泽卫;王文辉;郑依依 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有双层复合保护层结构的铜集流体。所述铜集流体包括铜箔，以及依次设置于所述铜箔表面的Al2O3层和聚偏氟乙烯层。本实用新型所述具有双层复合保护层结构的铜集流体中，靠近铜箔表面的Al2O3层，具有较高的机械模量，可以有效抑制钠枝晶的生长；顶层为柔性的聚偏氟乙烯(PVDF)层，可以缓解循环过程中负极的体积变化，两层保护层共同作用，引导钠均匀沉积，改善钠枝晶生长问题。
一种具有双层复合保护层结构流体

[发明专利]一种MgCl₂掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法-CN201610354579.0有效
发明人：王海军;王帅毅;高治进;李镇伟;阮潇潇 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种MgCl2掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，包括以下步骤：1）使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl2共混溶液；2）在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜，将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成三明治”结构；3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史，然后降温、等温结晶，并施加至共混薄膜完全结晶；4)将共薄膜使用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜，扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征；主要工艺简单，操作方便，制备周期短，可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备，γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。
聚偏氟乙烯薄膜环带制备复合薄膜共混溶液偏氟乙烯掺杂的复合膜共混三明治扫描电子显微镜形貌二甲基甲酰胺示差扫描量热偏光显微镜透明玻璃板等温结晶红外光谱拉曼光谱溶剂配制形貌特征制备周期薄膜夹热历史电性晶型施加

[发明专利]一种制备铜基纳米氧化锌‑聚偏氟乙烯复合材料的方法-CN201510231551.3有效
发明人：王海军;李金祥;王学川 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种制备铜基纳米氧化锌‑聚偏氟乙烯复合材料的方法，具体涉及制备步骤为1）以铜片为基材在热水浴中通过化学浴沉积法制备氧化锌纳米锥膜；2）配置聚偏氟乙烯低固含量的氮氮二甲基甲酰胺溶液；3）通过热固化成膜的方法在氧化锌纳米锥膜表面制备聚偏氟乙烯薄膜，得到一种具有一定疏水性的铜基纳米氧化锌‑聚偏氟乙烯复合薄膜材料，该材料未来将广泛应用于铜基材料的表面修饰以及在压电铁电材料领域的应用；制备工艺简单，成本低廉，利于工业化操作和生产。
一种制备纳米氧化锌聚偏氟乙烯复合材料方法

[发明专利]一种铜锆基非晶合金及其制备方法-CN200810141925.2无效
发明人：文丹华;高宽;张法亮 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-08-16 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜锆基非晶合金及其制备方法，通过本发明所提供的方法制备的铜锆基非晶合金的组成如下述通式所示：(Cu_1-xZr_x)_aTi<本发明制得的铜锆基非晶合金塑性好，临界尺寸大，而且具有优良的压缩断裂强度和维氏硬度。
一种铜锆基非晶合金及其制备方法

[发明专利]形成导电铜结构的阻障层的方法-CN201410098150.0无效
发明人： B·辛茨;F·科琴斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文涉及形成导电铜结构的阻障层的方法，所揭露的一种例示性方法包括：在绝缘材料层中形成凹槽/贯孔；在至少该凹槽/贯孔中形成阻障层；于形成该阻障层之后，进行至少一项制程作业以将锰引进该阻障层中并且借此界定含锰阻障层；在该含锰阻障层之上形成实质纯铜基晶种层；在该铜基晶种层之上沉积主体铜基材料以便过量填充(overfill)凹槽/贯孔；以及移除位于该凹槽/贯孔外侧的过剩材料借此界定铜基导电结构。
形成导电结构阻障方法