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[发明专利]一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法-CN200710034857.5无效
发明人：钟向丽;廖敏;王金斌;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体无铅铁电铁磁复合薄膜及其制备方法。先配制镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电体溶液，放置3～7天，再配制尖晶石铁氧体铁磁溶液，然后以乙酰丙酮作稳定剂，将镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电溶液与铁氧体铁磁溶液混合，经搅拌后得到镧系稀土离子掺杂钛酸铋和铁氧体的均匀混合溶液；过滤，用甩胶旋涂的工艺将其均匀地涂敷在衬底上得到湿膜，然后在氧气气氛下烘烤、热解、退火处理，得到单层多晶镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜；重复进行甩胶旋涂、烘烤、热解、退火，直到获得所需厚度的薄膜该工艺方法简单易行，制备的薄膜化学均匀性好，铁电相与铁磁相之间可以达到分子级别甚至原子级别的均匀复合，保持更好的微观接触，从而使铁电相与铁磁相之间的乘积效应和交叉耦合效应能充分发挥出来。
一种稀土离子掺杂钛酸铋尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种利用高压晶化钛酸铋系铁电薄膜的方法-CN201410735370.X有效
发明人：刘洪成;于倩;王珏;何冬青;张晓臣;张伟君 -专利权人：黑龙江省科学院高技术研究院
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01F41/24 文献下载
摘要：一种利用高压晶化钛酸铋系铁电薄膜的方法，本发明涉及铁电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的方法制备钛酸铋系铁电薄易产生缺陷，难以与当前半导体材料进行集成的技术问题。本方法：一、按Bi4-xLnxTi3O12(Ln＝La，Nd或Gd)的化学计量比配制前驱体溶胶；二、将前驱体溶胶滴在衬底上涂湿膜、干燥后，在衬底上得到无定形态铁电薄膜；三、将涂覆薄膜的衬底放入高压反应釜中，在压力为20～30MPa的条件下晶化，得到钛酸铋系铁电薄膜。本方法制备的钛酸铋系铁电薄膜可与半导体材料集成，应用在计算机、航空航天和军工等领域。
一种利用高压晶化钛酸铋系铁电薄膜方法

[发明专利]一种大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法-CN201110031846.8无效
发明人：王金斌;贾永锐;钟向丽;王芳;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2011-01-29 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将靶材和衬底安装在真空腔内，靶材尺寸大于衬底尺寸；步骤2：加热衬底至所需沉积温度，即650～780℃，向真空腔内通入氧气；步骤3：开启激光器使激光在靶材表面变速扫描熔蚀靶材，沉积大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜。其关键是通过发展激光变速扫描熔蚀大尺寸靶材工艺和优化工艺参数，实现了大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电薄膜的均匀生长。所制备的5英寸镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电薄膜的厚度均匀性偏差在±3％以内。
一种大面积稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜制备方法

[发明专利]钐-铁-铋-氮系磁铁粉末和钐-铁-铋-氮系烧结磁铁-CN202110805406.7在审
发明人：桥本龙司;榎户靖;冈田周祐;高木健太 -专利权人： TDK株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01F1/059 文献下载
摘要：本发明提供一种钐‑铁‑铋‑氮系磁铁粉末和钐‑铁‑铋‑氮系烧结磁铁。其中，钐‑铁‑铋‑氮系磁铁粉末的特征在于，具有主相，该主相包含钐、铁及铋，其中，铋相对于钐、铁及铋的总量之比为3.0at％以下。
磁铁粉末烧结

[发明专利]钐-铁-铋-氮系磁铁粉末和钐-铁-铋-氮系烧结磁铁-CN201910915564.0有效
发明人：桥本龙司;榎户靖;冈田周祐;高木健太 -专利权人： TDK株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01F1/059 文献下载
摘要：本发明提供一种钐‑铁‑铋‑氮系磁铁粉末和钐‑铁‑铋‑氮系烧结磁铁。其中，钐‑铁‑铋‑氮系磁铁粉末的特征在于，具有主相，该主相包含钐、铁及铋，其中，铋相对于钐、铁及铋的总量之比为3.0at％以下。
磁铁粉末烧结

[发明专利]A位掺杂镧系金属原子的铁酸铋薄膜及其制备方法-CN202211133156.8在审
发明人：代建清;张国栋;张晶;李宇辉;张光成 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种A位掺杂镧系金属原子的铁酸铋薄膜及其制备方法，其中，该方法包括如下步骤：S1，提供衬底；S2，提供前驱体溶胶，所述前驱体溶胶中含有Bi离子和Fe离子，以及镧系金属离子；S3，将所述前驱体溶胶旋涂在所述衬底表面，并进行热处理，得到所述A位掺杂镧系金属原子的铁酸铋薄膜。根据本发明实施例的制备方法，通过溶胶‑凝胶技术将镧系金属元素例如La掺入BFO薄膜中，成功制备出一种无杂质相和物理性能优异的铁酸铋薄膜，所制备的掺杂BFO薄膜极化值得到了极大的提升，剩余极化值可高达140.2μC
掺杂金属原子铁酸铋薄膜及其制备方法

[发明专利]一种可见光响应铁系光催化剂的制备方法-CN201810272602.0在审
发明人：朱蔚;仇建;朱彦兆;冯嘉炜 -专利权人：江苏康润净化科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光响应铁系光催化剂，包括过渡金属、稀土、铋和铁等成分，最终产物分子式计量为Bi(1‑x‑y)TxPyFeO3，式中T为过渡金属，P为稀土元素，0＜x≤0.07，0＜y≤0.07。采用低温热分解配位前驱体法，快速制备掺杂过渡金属和稀土元素的复合铁酸铋，包括配位前驱体的制备和配位前驱体的热分解等二个步骤：先制备共掺杂铁酸铋的前驱体，使金属和稀土离子进入铁酸铋晶格中；然后热分解配位前驱体，使之形成纳米级复合铁酸铋氧化物Bi(1‑x‑y)TxPyFeO3、T为过渡金属，P为稀土元素；该系催化剂具有较强的顺磁性；在可见光下对亚甲基兰水溶液的脱色率大于95％；样品使用后的磁化回收率达90％。
过渡金属前驱体配位稀土元素制备可见光响应光催化剂复合铁热分解铁酸铋酸铋铁系亚甲基兰水溶液磁化低温热分解可见光快速制备前驱体法稀土离子最终产物共掺杂纳米级顺磁性脱色率氧化物晶格式中催化剂回收率稀土掺杂计量金属

[发明专利]一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法-CN202310395496.6在审
发明人：宋睿烜;阮罗渊;陈焕坚;孙沐晨;唐燕如;白石根;杜瑀;林虹宇;单玉凤;邓惠勇;戴宁 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁酸铋纳米柱阵列及其制备方法，包括：准备衬底和铁酸铋溶胶；在衬底上旋涂铁酸铋溶胶得到铁酸铋薄膜，对铁酸铋薄膜刻蚀得到铁酸铋纳米柱阵列模板；在铁酸铋纳米柱阵列模板的阵列面旋涂PVA溶液或PI溶液后经过真空保压和烘干，得到的薄膜作为纳米阵列子模板；在纳米阵列子模板的阵列面旋涂铁酸铋溶胶并经过真空保压处理，将得到样品以铁酸铋贴合的方式转移到铁酸铋薄膜后，经过真空条件退火处理、超声清洗后得到铁酸铋纳米柱阵列该制备方法成本低，可行性较高，同时具有良好的重复性，所制备的铁酸铋纳米柱阵列可以应用于光电、铁电微纳器件中。
一种铁酸铋纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种铁酸铋有机－无机复合材料及其制备方法-CN201710116151.7在审
发明人：马知雨;王海旺;朱婉仪;陈铭芸;孙含丹;卞嘉莉;吴佳洁;魏新芳;徐宏宇;夏天元;汪玲芳 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于铁电磁领域，特别公开一种铁酸铋有机－无机复合材料及其制备方法。该复合材料以纳米级铁酸铋为核心，铁酸铋的核表面键合有PVDF。首先，制备纳米级铁酸铋粉体；然后，再将铁酸铋与偏氟乙烯通过光催化进行复合。与当前技术相比，本发明铁酸铋有机－无机复合材料能够克服过去铁酸铋薄膜分散程度不高的问题，节约铁酸铋粉体，提高了效率。
一种铁酸铋有机无机复合材料及其制备方法

[发明专利]一种纯相纳米晶铁酸铋的制备方法-CN201910383717.1在审
发明人：王冠琦;王海旺;李元铭;吴正杰;马源;张煜垲;胡鹏程;魏新芳 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明属于铁酸铋的制备技术领域，公开一种纯相纳米晶铁酸铋的制备方法。本发明以氧化铁和氧化铋为原料，通过机械合金化法对上述原料进行高能球磨，得到非晶铁酸铋，再通过高温热处理的方法使非晶铁酸铋析出纯净的铁酸铋纳米晶结构。此方法所制备的铁酸铋为纯净的铁酸铋纳米晶结构。
铁酸铋纳米晶制备非晶机械合金化法制备技术领域高温热处理析出高能球磨氧化铁氧化铋

[发明专利]制备铁酸铋薄膜的装置、方法及制备太阳能电池的方法-CN201510372226.9有效
发明人：符春林;高荣礼;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有织构特征的铁酸铋薄膜的装置，主要在于在坩埚体侧壁上对称设置有两个相同的通气孔，通气孔上连接有通气管。使用该装置制备铁酸铋薄膜，采用现有方法在基板上沉积铁酸铋薄膜，在退火步骤中将铁酸铋薄膜置于该装置坩埚内腔，使通气管的中心线穿过铁酸铋薄膜，该装置放置在管式炉中对铁酸铋薄膜定向退火。退火过程中用较小的氧气量就使氧气在铁酸铋薄膜表面形成定向流动，从而使铁酸铋薄膜的晶粒在氧气流动方向成长较快，形成织构特征。采用本方法将铁酸铋薄膜太阳电池中的铁酸铋薄膜形成织构特征从而得到具有织构特征的铁酸铋薄膜太阳能电池。
制备铁酸铋薄膜装置方法太阳能电池

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用-CN202010285269.4有效
发明人：欧阳俊;牛淼淼;朱汉飞 -专利权人：欧阳俊
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L41/316 文献下载
摘要：本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。
铁酸铋膜材料低温基底集成制备方法应用

[发明专利]一种钴掺杂铁酸铋系化合物三相复合催化剂的制备方法及其应用-CN201910553639.5有效
发明人：池方丽;边德军;田曦;艾胜书;李广柱 -专利权人：长春工程学院
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴掺杂铁酸铋系化合物三相复合催化剂的制备方法及其应用，属于污水处理技术领域。本发明中钴掺杂铁酸铋系化合物三相复合催化剂是在水热条件下一步合成，制备方法简单。钴掺杂铁酸铋系化合物三相复合催化剂中，BiFeO3与Bi25FeO40形成的异质结构可抑制可见光催化剂
一种掺杂铁酸铋系化合物三相复合催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种坩埚及用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法-CN201510374891.1有效
发明人：符春林;高荣礼;蔡苇;陈刚;邓小玲 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚、用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法，该坩埚包含坩埚体和坩埚盖，主要在于在坩埚体的侧壁上对称开设有两个相同的孔。利用传统方法制备铁酸铋粉末并把粉末进行压型得到铁酸铋块，使用本发明的坩埚烧结铁酸铋块，将铁酸铋块放入该坩埚体中，使坩埚体侧壁上两孔的中心线穿过铁酸铋块，盖上坩埚盖，将坩埚置入微波马弗炉中烧结，铁酸铋块的晶粒在坩埚体侧壁上的两个孔中心线的方向生长较快，具有固定的取向，形成织构，即得到具有织构的铁酸铋靶材。本发明的坩埚结构简单，利用该坩埚对铁酸铋块实现定向烧结，从而获得有织构的铁酸铋靶材，方法简单。
一种坩埚制备具有特征铁酸铋靶材方法

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