“钼栅网”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果748709个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钼栅网电解抛光用的电解液及其制备方法和应用-CN201010155303.2有效
发明人：刘洋;陈彩云;陈毅飞 -专利权人：南京三乐电子信息产业集团有限公司
申请日： 2010-04-26 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C25F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼栅网电解抛光用的电解液及其制备方法和其在钼栅网电解抛光工艺中应用，它由下列原料组成：磷酸400～450ml、硫酸150～200ml、硫酸镍40～60g、水150～200ml，实验研究表明，该电解液各组分配比科学合理，可以很好的用于钼栅网等电解抛光工艺，本发明所述的电解抛光钼栅网的方法，可操作性强，电解抛光效果好，尤其是在优选的电解电压、时间、温度等工艺参数条件下，能够很好的去除钼栅网表面的毛刺，从而可以提高钼栅网的质量，钼栅网装配到行波管后，打火几率明显降低，行波管的性能提高。
一种钼栅网电解抛光电解液及其制备方法应用

[发明专利]一种基于钼基底的电子控制栅网及制备方法-CN201610538546.1在审
发明人：王鹏康;李金晶;苏静;周秋君;朱刚 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钼基底的电子控制栅网的制备方法，包括如下步骤a)将钼基毛坯片放入900～950℃氢炉内退火，保温3～5分钟；b)将所述步骤a)制得的钼基毛坯片放入特制模具冲压栅网呈球面形状；c)将所述步骤b)冲压好的钼基球面栅网毛坯片放入900～950℃氢炉内退火，保温20～25分钟；d)将所述步骤c)冲压好的钼基球面栅网毛坯片，采用电火花精密加工一次成型三环多轮辐栅网结构；e)将所述步骤d)制得的钼基三环多轮辐栅网放入1000～1100℃氢炉内退火定型，保温5～10分钟；f)将所述步骤e)制得钼基三环多轮辐栅网进行化学去油清洗；g)将所述步骤f)制得的钼基三环多轮辐栅网放置于电解溶液中进行电解抛光后获得电子控制栅网。
一种基于基底电子控制制备方法

[发明专利]一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法-CN201210585107.8有效
发明人：吕琴丽;李弢;杨明华;郜健 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；C.对所制成的栅网进行退火处理本发明利用离子束辅助沉积法在钼栅网基底上沉积反发射薄膜，通过离子束轰击基底表面，提高基底表面粗糙度，从而使得反发射薄膜与钼栅网基底结合力增加，再结合后续高温退火处理，使得反发射薄膜和钼基底间形成合金相，进一步提高了反发射薄膜与钼栅网基底结合力。
一种提高发射薄膜钼栅网基底结合方法

[发明专利]一种衰减器-CN202011471137.7在审
发明人：曹月;孙小续;程春悦 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种衰减器，微波衰减器技术领域，包括：极化栅网和旋转台，所述极化栅网包括金属线框固定连接于所述金属线框上的栅网，所述栅网包括多根并排平行等间距布设的钼丝，所述旋转台用于驱动所述极化栅网转动以改变所述钼丝与电磁波产生的电场矢量方向之间的夹角，相邻所述钼丝的间距为500μm～800μm，所述极化栅网的直径不小于1m。
一种衰减器

[发明专利]一种蜂窝状球面栅网的制备工艺-CN201911335993.7在审
发明人：湛洪;王鹏康;刘鲁伟 -专利权人：安徽华东光电技术研究所有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01J9/14 文献下载
摘要：本发明提供一种蜂窝状球面栅网及其制备工艺，其步骤方法为：首先对钼制的平面栅网进行光刻，制备蜂窝状栅网，对进行清洗去油；随后同时对无氧铜基座和蜂窝状栅网进行真空退火处理。钼制的蜂窝状栅网按照小于10℃/min的升温速度，升温至800℃‑900℃，保温30min‑45min，随炉冷却；从炉中取出栅网与铜基座，迅速将栅网与铜基座装入工装，使用液压机按照4‑5MPa/min的压制速度进行压制，保压30‑60s后，缓慢减少液压机的压力，取出工装；对栅网进行刻蚀，制得蜂窝状球面栅网。
一种蜂窝状球面制备工艺

[发明专利]一种离子源栅网的加工方法-CN202310706231.3在审
发明人：袁祖浩;龚俊;李明;李勇;袁伟;鲁彤;王佳方 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子源栅网的加工方法，该加工方法包括以下步骤：将钼板材加工成栅网；在加热速率≥20℃/min的条件，将栅网加热至1200℃以上进行真空退火处理，完成对栅网的加工。本发明中，通过将栅网快速升温到1200℃以上进行真空退火处理，可将加工成型的栅网再结晶退火，去除内应力，使栅孔加工变形附近组织再结晶，以此改善组织结构，增加均匀性，增加栅网的稳定性，最终提高离子源栅网的使用寿命进一步的，本发明中通过加工前和加工后的真空退火处理，可改善钼板材的加工性能、力学和物理性能，进而达到进一步改善栅网使用性能，提高稳定性和增加使用寿命的效果。
一种离子源加工方法

[发明专利]一种用于栅控脉冲行波管电子枪中的栅网及其制作工艺-CN201711439142.8有效
发明人：吕琴丽;李帅;王树茂 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01J23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于栅控脉冲行波管电子枪中的栅网及其制作工艺。该栅网包括钼材质的栅网基底、形成在栅网基底上的梯度功能层、及形成在梯度功能层上的复合抗栅电子发射膜；其中梯度功能层采用Nb或Ta制备而成，复合抗栅电子发射膜采用逸出功大于4eV的高熔点材料制备而成。其制作工艺包括以下步骤：(1)将加工成形的钼材质的栅网基底于700‑1000℃进行高温真空除气；(2)采用离子注入和真空沉积镀膜法在栅网基底上制备梯度功能层；(3)采用离子注入和真空沉积镀膜法在梯度功能层上制备复合抗栅电子发射膜；(4)对所制成的栅网进行高温热处理。本发明的栅网能够抑制栅控脉冲行波管栅电子发射，提高栅控脉冲行波管的工作可靠性和使用寿命。
一种用于脉冲行波电子枪中的及其制作工艺

[发明专利]一种栅控脉冲行波管栅网用钼箔及其制备方法-CN201811465938.5有效
发明人：李艳;周增林;惠志林;何学良 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B22F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅控脉冲行波管栅网用钼箔及其制备方法，属于微波真空电子技术及难熔金属粉末冶金领域。本发明的栅网用钼箔厚度为0.03～0.25mm，尺寸偏差≤±5μm；抗拉强度≥800MPa，屈强比≥90％；主织构为{112}110，并含有一定量的{001}110组分；显微组织特征包括晶粒呈相互搭接交错的层状纤维结构其制备方法是低K低W中颗粒规格钼粉为原料，经精制钼压坯制备、复合烧结，再经低温大变形量开坯、低温交叉热轧、碱洗修磨剪切，之后温轧、氢气退火、表面清洗剪切、交叉冷轧、表面除油，最后真空去应力退火，裁剪检验本发明的栅网用钼箔强度高且强韧性匹配、尺寸精度高、冲压性能好，可用于制作栅控行波管球面结构栅网；其制备方法工艺可控度高，产品一致性好，容易实现规模化生产。
一种脉冲行波管栅网用钼箔及其制备方法

[发明专利]一种带有内衬栅网的多级降压收集极及其制法和应用-CN200910244510.2无效
发明人：王自成;董芳 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：一种带有内衬栅网的多级降压收集极，是在多级降压收集极的内表面镶衬有金属栅网，以抑制二次电子发射的原理设计。其中金属栅网材料是镍、钼、钨、无氧铜或不锈钢，厚度为0.1～0.3mm，网孔密度为50～200目。制备方法是将平面金属栅网以冲压或卷压方式制作而成。本发明采用在多级降压收集极的电极内表面镶衬金属栅网的方法，抑制了二次电子的发射，提高了多级降压收集极的效率。
一种带有内衬多级降压收集及其制法应用

[发明专利]一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法-CN200910237091.X无效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种克服钼基金属栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法，包括以下步骤：步骤10：在半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(101)；步骤20：高K栅介质层(101)经过快速热退火处理后，在其上形成钼基金属栅电极层(102)；步骤30：在钼基金属栅电极层(102)上形成势垒层(103)；步骤40：在势垒层(103)上形成硅栅层(104)。本发明在钼基金属栅和硅栅之间加入一层势垒层，可以防止钼基金属栅在硅栅淀积的过程中与硅栅发生反应。另外，该结构的功函数由处于底层的钼基金属栅决定，所以该方法不会影响P管功函数需要的钼基金属栅的功函数，为实现高K/钼基金属栅的叠层结构制备清除了障碍。
一种克服基金属栅叠层结构制备反应方法

[发明专利]一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和装置-CN202111598567.X在审
发明人：王想;刘小波;孙宏博;窦阳;王怡楠;胡冬冬;陈璐;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和装置，是在离子束刻蚀系统反应腔底部增设一层金属栅网，该栅网连接直流电源产生一个正电压，所施加正电压的电压值根据需清除颗粒物的大小在100kv以内调节。金属栅网c的材质是如钼或者镍的坚硬金属，网孔在5mm以下。当刻蚀工艺完毕后，将离子束刻蚀系统的离子源断开，将下电极旋转至垂直于栅网c的位置；打开中和器产生大量电子附着在需要去除的颗粒物上后带上负电；栅网c通过直流电源c施加一个正电压，带负电的颗粒会在电场的作用下向着栅网c方向移动；颗粒物会穿过栅网c的网孔，被分子泵抽走，排出腔外，快速有效去除颗粒，防止反应腔内部颗粒的沉积，提高离子体处理设备的生产效率。
一种去除离子束刻蚀系统颗粒方法装置

[实用新型]一种带有电加速与偏转功能的金刚石膜制备装置-CN201920900222.7有效
发明人：解海卿;郝昕曈;姚芳;郝晋青 -专利权人：太原师范学院
申请日： 2019-06-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种带有电加速与偏转功能的金刚石膜制备装置，包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、圆形绝缘板、圆形绝缘格栅、扇形钼板、热丝阵列、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针、抽气孔、矩形窗孔、第一至第八电源。
金刚石膜导电栅网制备本实用新型偏转制备装置圆饼形热丝化学气相沉积法喇叭形导气罩圆筒形反应室径向支撑杆圆形绝缘板矩形窗孔绝缘格栅热丝阵列速度受限外层水管抽气孔放电针接地针水冷腔内层载台钼板水管电源

[发明专利]一种二硫化钼气敏探测器-CN202210560708.7在审
发明人：王泽高;陶锐 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于痕量气体检测技术领域，涉及一种气敏探测器，特别是一种以二硫化钼为导电层的栅控气敏探测器。该二硫化钼气敏探测器包括基底、二硫化钼、底栅介质层、源电极和漏电极，二硫化钼位于基底和底栅上方，源电极和漏电极位于二硫化钼两端。本发明采用底栅电极，该二硫化钼气敏探测器基底由导电硅层和二氧化硅层构成，绝缘的二氧化硅层作为底栅介质层，导电硅层作为底栅电极。本发明所采用的二硫化钼作为导电层，其二维状态下的高比表面积使得探测器能够检测低浓度的NO2，底栅电极的加入降低了二硫化钼的背底电流，光照增强了二硫化钼与二氧化氮气体分子之间的吸附作用
一种二硫化钼探测器

[发明专利]一种钼铝氮金属栅的制备方法-CN200910087809.1有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明涉及纳米特征尺寸半导体器件制备技术领域，公开了一种钼铝氮金属栅的制备方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数栅介质；在高介电常数栅介质上淀积氮化铝/钼叠层金属栅；对淀积了氮化铝/钼叠层金属栅的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行金属栅淀积后退火，形成钼铝氮金属栅。利用本发明制备的MoAlN金属栅具有非常高的有效功函数(～5.14eV)，满足PMOS器件对金属栅功函数的要求；同时，由于金属栅的采用，可以解决随着小尺寸器件特征尺寸的减小而带来的多晶硅栅耗尽效应、栅电阻严重增大
一种钼铝氮金属制备方法

[发明专利]一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202010748373.2有效
发明人：高庆国 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题
一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条