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[发明专利]一种包覆夹层的钛/铝复合板及其制备方法-CN201910997992.2在审
发明人：史长根;房中行;冯柯;吴晓明;林孙朗 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B23K20/08 文献下载
摘要：由爆炸焊接法制备的包覆铝合金夹层的钛/铝复合板，先将钛板、铝板(基板和夹层)进行退火处理，退火的温度分别是650～700℃和350～500℃，退火时间均为2h。对复合板进行均匀化退火工艺处理后，通过辊式校平机进行3～5次的校平处理，再进行检验裁边，制成包覆铝合金夹层的钛/铝复合板。本发明所提出的包覆铝合金夹层的钛/铝复合板及其爆炸焊接制备方法，充分利用了炸药的爆轰能量，于界面处产生较好的波状结合，提高金属的接触面积，进而保证了钛和铝的结合强度；在基复板间设置铝合金夹层，提高了配合金属的相溶性
铝合金夹层退火焊接钛/铝复合板包覆爆炸基复板夹层炸药熔化金属间化合物氧化处理工艺装配工艺过程金属均匀化退火板材表面动能损失工艺处理焊接接头静态参数乳化炸药退火处理校平处理复合板界面处石英砂相溶性校平机爆轰波状裁边辊式基板铝板钛板制备渗入装配检验配合保证

[发明专利]一种自动内循环和流量控制的水镀装置-CN201910994420.9在审
发明人：夏一娇 -专利权人：广东坤川实业有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C25D21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动内循环和流量控制的水镀装置，入池区中，铜膜的内外侧分别设有第一内进液管和第一外进液管，第一内进液管的液体穿过第二入池钛蓝到达铜膜的内侧面，第一外进液管流出的液体穿过第一入池钛蓝到达铜膜的外侧表面；出池区中，铜膜的内外侧设有第二内进液管和第二外进液管，第二内进液管的液体穿过第二出池钛蓝到达铜膜的内表面，第二外进液管流出的液体穿过第一出池钛蓝到达铜膜的外侧表面；铜膜的内侧设有第二出池钛蓝和第二内进液管
进液管铜膜出池穿过入池外侧表面电解液流出浓度探测器自动内循环调整电流流量控制上侧边缘实时反馈不均匀导流板电镀池镀液池回液槽内表面内循环铜离子有效地水镀侧面灵活

[发明专利]一种工业纯钛板材的深低温加工成形方法-CN202011332812.8在审
发明人：汪炳叔;周保雪;徐戴;邓丽萍 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种工业纯钛板材的深低温加工成形方法，具体为：第一步：将一块工业工业纯钛板材放在两硬质合金衬板中间，叠置为三明治状，板材接触面间刷水，使其相互吸合；第二步：将上步三明治状结构浸泡在液氮中，静置20‑30分钟，获得均匀深冷温度；第三步：在轧机轧辊两侧安装并开启液氮喷射装置，对轧辊进行持续冷却，随后调整轧机上下辊辊速，使上下轧辊差速转动，随后快速取出液氮中的三明治（工业纯钛板材及两衬板）结构，在轧机上对其进行深冷异步轧制变形，期间控制样品轧制时的温度不高于‑100℃；第四步：重复第二步和第三步，使纯钛样品达到40%～95%变形量。本发明可增大钛的道次压下量，轧制道次少、效率高，较大程度上优化板材轧制组织、提高板材的强韧性及塑性变形能力，具有良好的工业应用潜力。
一种工业板材低温加工成形方法

[发明专利]窄带隙、无铅、稳定和光电性能优异的DJ二维双钙钛矿-CN202111188310.7在审
发明人：陈名;董晓凤 -专利权人：山西大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C07C211/09 文献下载
摘要：一种窄带隙、无铅、稳定和光电性能优异的DJ二维双钙钛矿，属于光伏材料技术领域，目的在于提供一种具有窄的直接带隙和高稳定性的光电性能的光伏材料，所述DJ二维双钙钛矿的带隙小于2eV，结构通式为BDA钛矿，提升相应二维钙钛矿的光电性质。结果表明：这些层状双钙钛矿表现出窄的直接带隙、更好的稳定性以及光谱极限最大效率与MAPbI3的相当的光电性能，有望成为一种新的潜在光伏材料。
窄带稳定光电性能优异 dj 二维双钙钛矿

[发明专利]一种钼负载硅掺杂二氧化钛催化剂及其制备方法和应用-CN202111408701.5在审
发明人：薛灿;梁壹超;熊超;纪红兵;周贤太 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B01J23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼负载硅掺杂二氧化钛催化剂及其制备方法和应用，所述方法包括如下步骤：S1.将三氧化钼加入到过氧化氢中，25～60℃条件下搅拌2～20h，得到溶液A；S2.将溶液A、二氧化钛和硅烷偶联剂混合，25～55℃下搅拌24～48h得到混合液B，后处理得到催化剂前驱体；S3.将前驱体在200～500℃条件下煅烧3～5h后得到钼负载硅掺杂二氧化钛催化剂；所述过氧化氢与三氧化钼的液固比为(1～10)：1mL/g；所述二氧化钛与三氧化钼的质量比为(0.5～4)：1；所述硅烷偶联剂与二氧化钛的质量比为(2～5)：1。
一种负载掺杂氧化催化剂及其制备方法应用

[发明专利]过渡金属掺杂的具有固定形态的二氧化钛制备方法及应用-CN202210634597.X在审
发明人：唐量;陈文倩;王佳俊;吴秋雨;吴明红 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明公开了过渡金属掺杂的具有固定形态的二氧化钛制备方法及应用，包括以下步骤：(1)先取Ti基MOF为前驱体，将Ti基MOF浸入过渡金属盐溶液中并超声处理1‑2h，使得过渡金属盐溶液的金属离子进入Ti基将上述所得的悬浊液置于真空烘箱中进行真空干燥处理，得到固体样品，固体样品先经甲醇洗涤，然后经过离心处理，得到沉淀物；(3)取沉淀物进行室温干燥，将干燥后的沉淀物进行煅烧处理，最后得到过渡金属掺杂的二氧化钛。本发明的方法所得的过渡金属掺杂的二氧化钛有效的减小了二氧化钛的带隙宽度，二氧化钛的电催化性能得到很大的改善。
过渡金属掺杂具有固定形态氧化制备方法应用

[发明专利]一种高稳定钙钛矿相CsPbI3-CN202210851203.6在审
发明人：林佳;刘晓;周超成;刘晓霖;刘永生 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高稳定钙钛矿相CsPbI3纳米晶及其制备方法。得到油酸铯前驱体溶液；然后将碘化铅、十八烯和有机聚合物配体HO‑PS‑N3混合，加入油酸和油胺得到混合液，向混合液中快速注入油酸铯前驱体溶液进行反应，得到高稳定钙钛矿相CsPbI3纳米晶粗液；最后纯化该纳米晶粗液，得到高稳定钙钛矿相CsPbI3纳米晶，该纳米晶的表面被嵌入有机聚合物配体Sub>疏水保护层，能最大程度减少CsPbI3纳米晶表面与水之间的接触，实现了CsPbI3纳米晶在水中长时间保持其钙钛矿相因此，本发明提供的高稳定钙钛矿相CsPbI3纳米晶具有超疏水和高稳定性能。
一种稳定钙钛矿相 cspbi base sub

[发明专利]一种二维碳化钛-氧化锌复合材料的制备方法及其应用-CN202210214083.9在审
发明人：崔景芹;孟思凯;瞿佰华;郑玲玲 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维碳化钛‑氧化锌复合材料的制备方法及其应用，包括如下步骤：(1)将LiF和盐酸溶液混合均匀，再加入前驱体Ti3AlC2，其中的铝被原位生成的HF刻蚀，反应完后加入乙醇并离心若干次，获得沉淀，将该沉淀烘干后，获得表面带有封端基团的二维碳化钛Ti3C2Tx；(2)将乙酸锌和葡萄糖充分分散于无水乙醇中，获得混合溶液，然后加入二维碳化钛Ti3C2Tx，进行溶剂热反应，获得粗产物；(3)将粗产物煅烧，即得所述二维碳化钛‑氧化锌复合材料。本发明制得的二维碳化钛‑氧化锌复合材料中引入的低过电位的过渡金属氧化物促进了钠沉积的均匀性，减少枝晶的生成，增加了电极材料本身的稳定性，有望提高钠金属电池的性能。
一种二维碳化氧化锌复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种冷轧纯钛TA1的阳极氧化电解液及深绿色着色方法-CN202211132194.1在审
发明人：罗嘉庆;冉长荣;郭太雄;徐接旺;董学强;赵平平 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷轧纯钛TA1的阳极氧化电解液及深绿色着色方法，涉及金属材料表面处理技术领域，所述电解液的组分及重量百分含量包括：氟化物：1g/L～5g/L；硫酸盐：100g/L‑200g/L；焦糖色：所述方法包括：冷轧纯钛TA1经酸洗液酸洗，得到纯净化产物；所述纯净化产物经电解液电解，得到深绿色TA1钛阳极氧化膜。本发明的阳极氧化电解液环保无毒，阳极氧化电压较低，使用生物相容性优良的着色剂，氧化着色时间短等优点，深绿色色泽均匀鲜艳，抗氧化，耐蚀性强，不易褪色，适用工业规模化生产深绿色钛板的需要。有利于扩展目前冷轧钛板市场，实现对日用品的升级换代。
一种冷轧 ta1 阳极氧化电解液深绿色着色方法

[发明专利]利用高能球磨法一步制备二氧化硅包裹的全无机高熵双相钙钛矿纳米晶材料的工艺-CN202211042041.8在审
发明人：卢红霞;毛恒彬;薛世威;宫梓钰;孙新鸽;夏正浩;李明亮;邵刚;范冰冰;王海龙;许红亮;张锐 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿纳米晶材料制备技术领域，公开了利用高能球磨法一步制备二氧化硅包裹的全无机高熵双相钙钛矿纳米晶材料的工艺，二氧化硅包裹的全无机高熵双相钙钛矿纳米晶材料为CsMBr3钛矿纳米晶材料CsMBr3/CsM2Br5@SiO2，大量减少了纳米晶材料的铅含量，增强了稳定性；采用了二甲氧基二甲基硅烷合成的二氧化硅包裹的全无机高熵双相钙钛矿纳米晶材料
利用高能球磨法一步制备二氧化硅包裹无机高熵双相钙钛矿纳米材料工艺

[发明专利]一种制备高稳定性CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池方法-CN202310199587.2在审
发明人：王多发;张乐;章天金;邢楚武 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-03-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高稳定性CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池方法。在权衡光吸收特性和稳定性之后，它是一种制备钙钛矿太阳能电池不错的选择。但是其湿度稳定性较差，也成了制约其进一步发展的重要原因，尤其是其薄膜表面与空气直接接触，空气中的水分侵蚀薄膜导致钙钛矿晶体受到破坏。通过将SbI3加入钙钛矿前驱体溶液，Sb元素在旋涂过程中自发向上到达钙钛矿薄膜表面，形成氧化疏水层，且表层部分Sb元素钝化了缺陷，抑制了非辐射复合，从而提升了薄膜质量
一种制备稳定性 cspbi2br 钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]一种可大面积制备FAx-CN202310251946.4在审
发明人：陈海宁;张啟先;刘慧丛;李卫平 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：FAxCs1‑xPbX3高质量钙钛矿薄膜的方法DMAX/FAX半干膜；最后，热退火处理得到FAxCs1‑xPbX3高质量钙钛矿薄膜基于该FAxCs1‑xPbX3钙钛矿薄膜制备的碳基钙钛矿太阳能电池具有高的光电转换效率，并在大面积制备钙钛矿太阳能电池方面更具潜力。
一种大面积制备 fa base sub

[发明专利]两步法制备钙钛矿薄膜用有机墨水及钙钛矿薄膜和应用-CN202211732045.9在审
发明人：杨小青;王良乐;邵君;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09D11/033 文献下载
摘要：本发明涉及两步法制备钙钛矿薄膜用有机墨水及钙钛矿薄膜和应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。有机墨水包括有机卤化物和有机溶剂。本发明引入了具有高挥发性的第二种溶剂，提高溶剂的挥发速率，并引入对PbI2具有一定的溶解性的第三种溶剂，促进大面积钙钛矿薄膜的均匀挥发和结晶，提高大面积钙钛矿薄膜的均一性
步法制备钙钛矿薄膜有机墨水应用

[发明专利]一种新型电解氯钛阳极的涂层配置方法-CN202310201606.0在审
发明人：陈营兴;盛友梅;陈星杰 -专利权人：厦门弘治环保科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明涉及电极板技术领域，具体为一种新型电解氯钛阳极的涂层配置方法，包括以下步骤S1：将钌粉加入次氯酸钠溶液内反应，得到棕黑色溶液；S2：向棕黑色溶液内加入硫酸反应，生成RuO43晶体；S4：将RuCl3晶体颗粒、HCl溶液和C16H36O4Ti溶液进行混合溶解，得到混合溶解液；S5：将上清液涂覆在钛基电极板表面后烧结30min，得到新型氯钛阳极板，本发明在钛基板表面涂覆生成RuO2涂层，使得电极板能够具备较高的电催化活性和较低的析氧电位，能够有效的阻止析氧过程中因氧渗透引起的基材钝化现象，对基体具有良好的保护作用，并且有利于提高阳极的电催化活性和降低槽电压，显著提高了涂层钛阳极的综合电化学性能。
一种新型电解阳极涂层配置方法

[发明专利]氧化锡/Cs3-CN202310669057.X在审
发明人：余家国;徐飞燕;胡佩玉 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01J27/135 文献下载
摘要：本发明提供了氧化锡/Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点梯型异质结复合光催化剂及其制备方法和应用氧化锡/Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点梯型异质结复合光催化剂，所述氧化锡/Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点梯型异质结复合光催化剂由氧化锡纳米纤维和吸附在纤维表面的Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点组成，所述氧化锡纳米纤维的直径为150～250nm；Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点的平均粒径小于5nm。
氧化 cs base sub