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[发明专利]一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
发明人：汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法，所述钛同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化钛纳米片，形成钛同源异质结，所述制备方法包括：在导电基底上生长二氧化钛纳米棒阵列；将二氧化钛纳米棒阵列高温退火处理；用非金属掺杂相的二氧化钛纳米片悬浊液对得到的二氧化钛纳米棒阵列进行表面修饰，使二氧化钛纳米棒阵列形成钛同源异质结，得到基于二氧化钛的纳米异质结；将基于二氧化钛的纳米异质结高温退火，获得钛同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法，通过构建异质结，解决了二氧化钛光阳极水分解能力低的问题。
一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法

[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统-CN202010762388.4在审
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统，其中，钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低，在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层，可减少硅异质结的使用，降低硅片衬底的浪费，充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势，同时双面叠层，也可以充分利用了太阳光
钙钛矿硅异质结双面太阳能电池及其制备方法太阳能系统

[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤及其制备方法-CN202310852140.0在审
发明人：王可;刘启东;王振洪;吉建华;曾庆东;宋宇锋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤及其制备方法，基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤包括D形光纤，所述D形光纤设有切削区域，氮化钛/碳化钛异质结材料生长在D形光纤的切削区域表面。采用本发明的技术方案，将新型的氮化钛/碳化钛异质结材料生长沉积在D形光纤表面，得到的氮化钛/碳化钛异质结D形光纤复合结构，该结构体积小巧且具有强大的光学非线性效应，有利于器件的集成化。
基于氮化碳化钛异质结复合结构光纤及其制备方法

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。其制造成本较钙钛矿/晶硅叠层电池及全钙钛矿叠层电池更低，寄生效应更少，光损失更低。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器-CN201720803487.6有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南湘标新材料科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器，包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)为内部分散有有机无机杂化钙钛矿粉体(21)的有机半导体薄膜。该体相异质结型钙钛矿光电探测器光电探测性能优秀、空气稳定性好。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]一种异质结二氧化钛复合光催化剂及其制备方法-CN202010729364.9有效
发明人：袁兴中;谌湘艳;彭馨;蒋龙波;张进 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明“一种异质结二氧化钛光复合催化剂及其制备方法”，属于光催化技术领域。所述异质结二氧化钛复合光催化剂为钛金属有机骨架煅烧后形成的碳掺杂的异质结结构的二氧化钛；所述异质结结构的二氧化钛同时具有锐钛矿晶型和金红石晶型。本发明的异质结二氧化钛光复合催化剂吸附性能好，污染物光催化降解效率高。
一种异质结二氧化复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用-CN202210370642.5有效
发明人：田蒙奎;蒋晓欢 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-04-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用。所述红磷/钛酸锶异质结光催化剂采用红磷和钛酸锶制备，具体是红磷均匀附着在钛酸锶的(110)及(100)晶面上，形成红磷/钛酸锶异质结结构。本发明具有制备方法工艺简单，制备时间短，条件温和，成本低廉，可实现规模性生产，且本发明制备的红磷/钛酸锶异质结光催化剂通过形成异质结结构的方式增强了光生载流子的分离和传输效率，光谱响应拓宽至425nm‑780nm，红磷/钛酸锶异质结光催化剂的光催化水解产氢活性有了大幅度提高，循环稳定性好，异质结的形成，克服了红磷光生电子和光生空穴复合快的缺点，拓宽了钛酸锶的可见光响应范围，提高了光催化活性的有益效果。
一种红磷钛酸锶异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[发明专利]垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用-CN202310918941.2有效
发明人：郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂，不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取，以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂，既保持顶层钙钛矿的结晶浓度，又保持底层不被其溶解；此外，通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度，构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结，本发明的方法更加的简便快速，易于大面积制备，便于工业化生产。
垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法应用

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用-CN202210817546.0在审
发明人：夏虹;李顺心;孙洪波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用，属于有机无机杂化钙钛矿横向异质结技术领域，具体包括钙钛矿前驱体制备、压印模板制备、异质结晶体的制备；利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法，通过两步纳米压印在温度场和重力场的辅助下，避免第二种钙钛矿结晶过程中涉及的溶剂将先沉积的第一种钙钛矿晶体溶解，从而可得到由两种高质量钙钛矿晶体横向拼接而成的横向钙钛矿异质结；制备的横向异质结晶体表面形貌良好，缺陷较少，晶体生长取向良好；并利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法制备了具备自供电、柔性、偏振灵敏性的高性能光电探测器，并且提升了光电响应特性和对环境的稳定性。
利用纳米压印法制双钙钛矿横向异质结制备方法及其应用

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