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[发明专利]大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法-CN201910014194.3有效
发明人：林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供大颗粒钙钛矿单晶/聚合物复合厚膜、光电探测器及制法，制法包括：步骤1.将钙钛矿充分溶解得到饱和溶液，过滤后持续加热制得钙钛矿单晶；步骤2.将钙钛矿单晶干燥后进行机械碾磨和筛分得到钙钛矿单晶颗粒，真空干燥后得到直径为500nm～10μm的单晶颗粒；步骤3.将单晶颗粒分散于聚合物溶液中，制成分散液；步骤4.将分散液旋涂在沉积有空穴传输层的透明导电基底上，制得大颗粒钙钛矿单晶颗粒与聚合物的复合厚膜，再将该复合厚膜在热台上退火，旋涂转速为100～4000rpm。本发明提供的复合厚膜具有优异的电荷传输性能、快响应速度、高稳定性、低暗电流和噪声、制备简便等优点。
颗粒钙钛矿单晶聚合物复合光电探测器制法

[发明专利]一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法-CN202211609352.8在审
发明人：李青;刘世林;雷威;丁奕婧;梁星辰 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。
一种生长面积厚度可控钙钛矿单晶厚膜方法

[发明专利]一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X-射线探测器及其制备方法-CN201911244055.6有效
发明人：林乾乾;彭家丽 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜X‑射线探测器及其制备方法。该X‑射线探测器包括空穴传输层、钙钛矿单晶颗粒复合膜、电子传输层、界面修饰层和电极，其中钙钛矿单晶颗粒复合膜为钙钛矿单晶与多醇或聚合物的复合膜，膜厚为30～200μm，钙钛矿单晶为甲胺铅溴盐钙钛矿单晶。其制备为：制备甲胺铅溴盐钙钛矿单晶，粉碎和筛分后均匀分散在多醇类或聚合物溶液中，然后旋涂在空穴传输层或电子传输层上，退火后制得钙钛矿单晶颗粒复合膜；在所得复合膜表面沉积电子传输层或空穴传输层、界面修饰层和电极即得基于钙钛矿单晶颗粒复合膜
一种基于钙钛矿单晶颗粒复合射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型钙钛矿X射线探测器及其制备方法-CN202210465909.9在审
发明人：潘旭;张辉;叶加久;汪子涵;徐申东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型钙钛矿X射线探测器，自下而上依次包括透明导电基底、电子传输层、铋基钙钛矿多晶厚膜、空穴传输层和金属电极；其中，所述铋基钙钛矿多晶厚膜采用A3Bi2X9多晶厚膜，厚度800～1200um，且通过刮涂法制得。本发明还提供了一种上述新型钙钛矿X射线探测器的制备方法。本发明的优点在于：本发明采用高性能铋基钙钛矿多晶厚膜为吸光层，能够实现大面积快速成像，优于现有的单晶成像。
一种新型钙钛矿射线探测器及其制备方法

[发明专利]单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器-CN202111483385.8在审
发明人：方铉;张倩文;王登魁;房丹;田丰;王海珠;范杰;李金华;翟英娇;楚学影;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
单晶钙钛矿材料及其制备方法窄带响应探测器

[发明专利]一种多晶-单晶异质结构的钙钛矿/碳量子点/多聚物荧光增强膜的制备方法-CN202310888095.4在审
发明人：王晓武;曹璠 -专利权人：苏州量点新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公布了一种多晶‑单晶异质结构的钙钛矿/碳量子点/多聚物荧光增强膜的制备方法，包括下述制备步骤：S1制备多晶‑单晶异质结构的钙钛矿；S2多晶钙钛矿/单晶碳量子点异质材料的制备；S3钙钛矿/碳量子点/多聚物墨水的制备；S4钙钛矿/碳量子点/多聚物荧光增强膜的制备：将钙钛矿/碳量子点/多聚物墨水采用刮涂法涂布在基材表面，并立刻进行紫外光照射光固化以形成钙钛矿/碳量子点/多聚物荧光增强膜。本发明制得的多晶‑单晶异质结构的钙钛矿/碳量子点/多聚物膜，发光峰位为517～519nm，200小时荧光强度衰减比例最佳为4.4％，荧光量子产率最佳为93％。
一种多晶单晶异质结构钙钛矿量子多聚物荧光增强制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿-闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法-CN202111228351.4有效
发明人：何世熠;李洋;陈亮;欧阳晓平;阮金陆 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿‑闪烁体单晶的复合闪烁体及制备方法，其中钙钛矿‑氧化锌复合闪烁体以闪烁体为基底，于其出射面上覆盖有钙钛矿薄膜，生长有钙钛矿量子点。闪烁体单晶与钙钛矿的结合方式按照制备方法进行，包括如下步骤：(1)制备钙钛矿量子点溶液；(2)将制备好的钙钛矿量子点溶液均匀滴涂在闪烁体单晶基底并静置得到湿膜；(3)将湿膜置于常温负压环境下以加速量子点的凝固，得到基于钙钛矿的复合闪烁体。本发明利用钙钛矿移波与光致发光量子产额近100％的特性，提高了闪烁体光产额，并通过调节钙钛矿的卤素配比实现复合闪烁体的可调波长发射。
一种基于钙钛矿闪烁体单晶复合制备方法

[发明专利]钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法-CN202110031000.8有效
发明人：林乾乾;李威;许亚伦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿厚膜X射线探测器及其制备方法，钙钛矿厚膜X射线探测器的特征在于包括：透明导电膜基底、空穴传输层、钙钛矿厚膜、电子传输层、电极，其中，钙钛矿厚膜通过真空热共蒸发法制得，并且位于空穴传输层和电子传输层之间制备方法的特征在于：将不同的钙钛矿原料分别放入不同的束源炉，并分别加到各自的沸点，同时对基底进行原位加热，然后进行真空热共蒸得到钙钛矿厚膜。本发明所提供的钙钛矿厚膜X射线探测器具有优异的电荷传输性能、极快的响应速度、较高的X射线灵敏度和较好的稳定性，并且制备工艺简单，厚度可调，易于在柔性基底上制备，在医学成像、航空安检等领域具有广泛潜在应用
钙钛矿厚膜射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种金属卤化物微纳阵列、制备方法及光学膜应用-CN202210231544.3有效
发明人：董庆锋;李晓慧;李汉明;毕伟辉;宋益龙 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C07C211/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属卤化物微纳阵列、制备方法及光学膜应用，包括：钙钛矿单晶或多晶膜的制备；钙钛矿单晶或多晶表面通过水合处理形成零维中间体结构；将含有中间体的钙钛矿单晶或多晶浸泡在有机/无机胺盐或钙钛矿前驱体溶液中，根据不同处理方法可在单晶或多晶表面得到三维、二维或一维阵列结构。本发明方法制备的钙钛矿阵列具有维度可调节性，还在放大自发射、偏振发射以及发光成像等方面具有应用潜力。
一种金属卤化物阵列制备方法光学应用

[发明专利]用于外延生长单晶的具有无差别点的单晶钙钛矿固溶体-CN201780067571.9在审
发明人：文森特·弗拉泰洛 -专利权人：奎斯特综合有限责任公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B3/00 文献下载
摘要：通过液相或气相方法生长钙钛矿晶体结构的单晶外延膜可以通过提供在目的晶格参数范围内晶格参数匹配得以改进的单晶钙钛矿基底材料来实现。该问题通过本文所述的单晶钙钛矿固溶体得到解决，所述单晶钙钛矿固溶体由具有无差别熔点的混合物生长而成，所述无差别熔点出现在同成分熔化组成处于伪二元摩尔相图的熔融曲线中的最低温度时。因此，本文描述了单晶钙钛矿固溶体、结构和包括单晶钙钛矿固溶体的设备，以及制备单晶钙钛矿固溶体的方法。
单晶钙钛矿固溶体熔点晶格参数生长钙钛矿晶体结构外延生长单晶熔化单晶外延膜材料成本钙钛矿基晶格匹配熔融曲线可用性混合物基底制备匹配改进

[发明专利]一种复合厚膜的制备方法-CN202210965320.5有效
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本申请涉及基本电器元件技术领域，尤其涉及一种复合厚膜的制备方法，所述方法包括制备钙钛矿颗粒；将所述钙钛矿颗粒与热熔胶混合，获取钙钛矿热熔胶混合粉体；对所述钙钛矿热熔胶混合粉体进行塑形，获取目标厚度的复合厚膜通过本申请提供的方法，有利于简化技术流程，提高成形质量，获得满足市场需求的钙钛矿厚膜。
一种复合制备方法

[发明专利]一种钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池及其制备方法-CN201610589388.2在审
发明人：田汉民;金慧娇;田学民;戎小莹;张天;郭丹;赵昆越 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池由底部电极、N型氧化物半导体膜、C60电子薄膜、钙钛矿单晶光吸收层、单晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过磁控溅射获得的N型的氧化锌薄膜，C60电子薄膜是通过热蒸镀获得的一层缓冲层，钙钛矿单晶是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过磁控溅射获得的P型单晶硅材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜本发明将钙钛矿单晶材料作为光吸收层，将P型单晶硅材料作为空穴传输层，获得了稳定、高效的太阳电池。
一种钙钛矿单晶材料单晶硅结合薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种大面积无铅钙钛矿单晶膜、制备方法及其应用-CN202211366691.8在审
发明人：李建荣;冯艳;刘浪 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积无铅钙钛矿单晶膜、制备方法及其应用，涉及光电探测技术领域，其技术要点为：本发明的大面积无铅钙钛矿单晶膜的制备方法利用气‑液表面与界面作用，通过调节溶剂和生长条件，得到大面积(C7H16N)2CuBr4钙钛矿结构单晶膜。本发明提供钙钛矿单晶膜的生长方法在理论上面积可以无限制延伸，得到的单晶膜厚度能实现在3‑560μm可调。用厚度560μm的单晶膜制备的X射线探测器光电响应开关比达到91.8，且暗电流低至0.11pA。本发明涉及到的单晶膜的生长方法简单，原料廉价易得，适用于大面积的单晶膜生长，有望在X射线探测器具有潜在应用价值。
一种大面积无铅钙钛矿单晶膜制备方法及其应用

[发明专利]一种钙钛矿复合厚膜的制备方法-CN202210965253.7在审
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B29B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及基本电器元件技术领域，尤其涉及一种钙钛矿复合厚膜的制备方法，所述方法包括制备钙钛矿颗粒；将所述钙钛矿颗粒与光敏树脂混合，获取钙钛矿浆料；将所述钙钛矿浆料与导电基板相结合，并对所述钙钛矿浆料进行塑形，获取目标厚度的钙钛矿膜。通过本申请提供的方法，有利于简化技术流程，提高成形质量，获得满足市场需求的钙钛矿厚膜。
一种钙钛矿复合制备方法

[发明专利]一种用于核辐射探测成像的大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列的外延生长方法-CN202011640899.5有效
发明人：张国栋;张龙振;崔富财;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于核辐射探测成像的大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列的外延生长方法，包括步骤如下：将带有镂空阵列的掩模版置于经预处理的CsPbBr3(CPB)衬底上；之后将钙钛矿前驱体溶液转移至掩模板上，覆盖整个掩模板表面，控制相对湿度为30％‑50％，待溶剂挥发完后，将掩膜版与衬底分离，得到带有掩膜版的单晶阵列，即为大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列。本发明的方法，可以生长得到大面积的、结晶取向一致的钙钛矿单晶阵列，并且通过控制掩模板镂空阵列的大小，得到不同尺寸的钙钛矿单晶晶粒。
一种用于核辐射探测成像大面积金属卤化物钙钛矿单晶阵列外延生长方法

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