专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]复合金属箔及印制电路板-CN201922351774.X有效
  • 苏陟;蒋卫平;张美娟;朱海萍;温嫦 - 广州方邦电子股份有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-08-28 - H05K1/02
  • 本实用新型公开一种复合金属箔及印制电路板,复合金属箔包括载体层、阻隔金属箔层,载体层、阻隔金属箔层依次层叠设置,载体层与阻隔贴合的一面设置有若干凸点,凸点延伸至阻隔内。本实用新型的复合金属箔通过在载体层上设置若干凸点,增加了载体层的表面粗糙度,使载体层与阻隔之间结合更加紧密,从而在剥离载体层时可将阻隔一并完整地剥离,阻隔不会残留在金属箔层上,大大提高了金属箔层的成型效率和成型质量
  • 复合金属印制电路板
  • [发明专利]显示面板-CN202211414587.1在审
  • 李珊;肖军城;余明爵;江志雄;李兰兰 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-11-11 - 2023-02-03 - H01L27/12
  • 本申请实施例提供一种显示面板,显示面板包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅电极;有源部,具有沟道区;源电极,与有源部电连接;以及漏电极,与有源部电连接;其中,栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极包括金属层、第一阻隔以及第二阻隔,第二阻隔与第一阻隔的材料不同。通过将栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极设置为包括金属层、第一阻隔和第二阻隔的结构,第一阻隔和第二阻隔能够阻挡金属层被氧化,且能够防止金属层离子扩散,从而可以减少金属层与有源部的氧结合形成氧化金属物而降低金属层的导电效率的现象,也可以防止金属离子在层间扩散,进而避免在层间形成漏电路径,提升薄膜晶体管的可靠性。
  • 显示面板
  • [实用新型]用于检测阻隔凹槽填充能力的测试结构-CN202221272471.4有效
  • 牛艳宁 - 杭州广立微电子股份有限公司
  • 2022-05-25 - 2022-11-22 - H01L21/66
  • 本实用新型提供用于检测阻隔凹槽填充能力的测试结构,包括测试单元;所述测试单元包括至少两根待测金属线、阻隔凹槽与连接金属线;所述阻隔凹槽设置于相邻的所述待测金属线之间;将垂直于所述待测金属线的方向定义为竖直方向,所述阻隔凹槽在竖直方向上的两端均设置在所述待测金属线上;所述阻隔凹槽垂直于所述竖直方向的尺寸为凹槽宽度,平行于所述竖直方向的尺寸为凹槽长度;所述待测金属线由所述连接金属线连出。构造简单、易于制造,适用于先进工艺节点中填充阻隔凹槽工艺窗口的定义,不需要改变其他工艺过程即可快速地检测阻隔凹槽的填充能力,并给出明确的工艺窗口尺寸,更方便高效的指导工艺生产过程。
  • 用于检测阻隔凹槽填充能力测试结构
  • [实用新型]一种高压静电场保鲜板材-CN202020146125.6有效
  • 罗彬;蒋富华;兰国洲 - 东莞市德盈新材料科技有限公司
  • 2020-01-22 - 2020-10-09 - B32B15/02
  • 本实用新型公开了一种高压静电场保鲜板材,包括金属网层,金属网层的左右两侧贴合有第一阻隔和第二阻隔,第一阻隔和第二阻隔远离金属网层的外侧分别贴合有第三绝缘玻纤层和第四绝缘玻纤层,第三绝缘玻纤层和第四绝缘玻纤层远离金属网层的外侧分别贴合有第五阻隔和第六阻隔,第一阻隔、第二阻隔、第三绝缘玻纤层、第四绝缘玻纤层、第五阻隔和第六阻隔的面积大于金属网层,并通过高周波工艺压合在一起,本实用新型为一种辅助性且通用性较强的静电场保鲜装置,可以灵活的放置在任何有需要静电场保鲜的场所
  • 一种高压静电场保鲜板材
  • [发明专利]一种改善倒晶封装芯片爬锡的凸点结构及其制备工艺-CN202210355825.X在审
  • 曹洋铭 - 芯洲科技(北京)有限公司
  • 2022-04-06 - 2022-07-22 - H01L23/488
  • 本发明涉及芯片凸点制备及封装领域,具体而言,涉及一种改善倒晶封装芯片爬锡的凸点结构及其制备工艺,该结构包括芯片和设于所述芯片的导电连接柱,所述导电连接柱远离所述芯片的一端设有金属阻隔,所述金属阻隔沿所述导电连接柱的径向向外凸出该工艺为在导电连接柱远离所述半导体芯片的一端电镀金属阻隔,在所述金属阻隔表面电镀锡焊料;化学刻蚀种子层和导电连接柱以形成台阶状,随后进行回流焊。通过金属阻隔与导电连接柱形成台阶状,焊料负载在金属阻隔上,在回流焊的过程中,形成台阶状的金属阻隔可改善因毛细现象引起的熔融焊料沿导电连接柱上爬,提高连接处的抗蠕变性,改善焊接层、基体以及金属层因应力导致的破裂现象
  • 一种改善封装芯片结构及其制备工艺
  • [发明专利]一种MRI电磁波保护膜-CN202211501935.9在审
  • 苏伟;王海峰;陆永荣 - 深圳市志凌伟业光电有限公司
  • 2022-11-28 - 2023-03-21 - B32B27/36
  • 本发明公开了一种MRI电磁波保护膜,包括PET基材内膜、复合胶层、屏蔽阻隔、导电胶层和保护层,PET基材内膜、复合胶层、屏蔽阻隔、导电胶层和保护层由内到外依次分布,屏蔽阻隔包括网状铜膜金属层、铝膜片金属层和镁粉金属层,屏蔽阻隔的上表面设置有导电胶层,保护层包括纳米隔热纤维膜、高密度聚乙烯防护膜和纳米液体膜;本发明通过采用导电胶层与屏蔽阻隔之间形成双重MRI电磁波防护结构,网状铜膜金属层、铝膜片金属层、镁粉金属层和金属保护膜层之间相互配合,有效的防止外部MRI电磁波穿过屏蔽阻隔,增强吸收电磁波能力。
  • 一种mri电磁波保护膜
  • [发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202210355376.9在审
  • 张羿 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-04-06 - 2022-07-29 - H01L27/12
  • 本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板制备方法,该阵列基板包括衬底、有源层、第一金属层、阻隔,有源层设置于衬底上方,第一金属层设置于有源层远离衬底的一侧,阻隔设置于第一金属层远离衬底的一侧,其中,在膜层厚度方向上,阻隔至少覆盖有源层、第一金属层设置;通过在第一金属层远离衬底的一侧设置一阻隔,且阻隔至少覆盖有源层、第一金属层设置;不仅保护了第一金属层不被氧化,同时防止水、氧入侵有源层,还提升了
  • 阵列及其制备方法

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