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[发明专利]在研磨工艺期间离子轰击电研磨指示体以减小噪声-CN200410007296.6无效
发明人：马克·A.·丘奇;维普尔·P.·加亚塞卡拉;霍华德·G.·左拉 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：掩蔽巨磁阻器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽区和包括研磨指示体的未掩蔽区。用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的巨磁阻效应。研磨GMR器件，使用研磨指示体来测量研磨的程度。
研磨工艺期间离子轰击指示减小噪声

[发明专利]处理图像的方法-CN201910618740.4在审
发明人： L.奇西 -专利权人：施耐德电器工业公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理由检测器的测辐射热计收集的原始测量的方法，该方法包括：a)计算掩蔽项，该计算包括从给定列的每个掩蔽的测辐射热计的原始测量中减去所述列的掩蔽的测辐射热计的原始测量的平均值；b)使掩蔽项与掩蔽的测辐射热计的校准分量之间相关
掩蔽测辐射热计原始测量检测器参考测量关系确定计算掩蔽校正测量校正图像原始图像校准减去掩模校正并用参考

[发明专利]噪声掩蔽设备以及用于掩蔽噪声的方法-CN201980089353.4在审
发明人： D·A·范登恩德;S·T·帕斯托尔 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G10K11/175 文献下载
摘要：本发明提供一种用于掩蔽噪声的设备(和方法)，其中，执行校准以确定用户对校准声音的敏感度。在设备使用期间，根据检测到的噪声、用户对检测到的噪声的响应以及用户对校准声音的响应来调整所述掩蔽声音的信号特性。结果，生成了最佳地适于掩蔽不想要的噪声的掩蔽声音，特别是以避免掩蔽噪声本身变成对特定用户的干扰的方式。
噪声掩蔽设备以及用于方法

[发明专利]一种电位限制式电子束投影掩模及光刻系统-CN202210998403.4在审
发明人：刘辉文 -专利权人：陈惠玲
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种电位限制式电子束投影掩模及光刻系统，掩模包括：掩蔽层、带电层。掩蔽层用于掩蔽电子，其上承载有特定几何图形，带电；带电层设置于所述掩蔽层(1)下方，至少一个，其上承载有与所述掩蔽层(1)相应几何图形，用于控制电子运动轨迹。
一种电位限制电子束投影光刻系统

[发明专利]用于检测水质中铅离子的试剂包用掩蔽剂溶液的制备方法-CN201310337490.X无效
发明人：杨瑞;张相发;许卿;吴升海 -专利权人：江苏天瑞仪器股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测水质中铅离子的试剂包用掩蔽剂溶液的制备方法，包括如下步骤：a)称取掩蔽剂；b)将所述掩蔽剂溶解于纯水，得到预制液；以及c）在所述预制液中加入盐酸，得到所述试剂包用掩蔽剂溶液。由于在掩蔽剂溶液中加入浓盐酸，可以在不影响试剂pH值的条件下更好的保存试剂，有利于减少试剂浪费，节约了资源。
用于检测水质离子试剂掩蔽溶液制备方法

[发明专利]客观音质评价中基于噪声掩蔽门限算法的巴克谱失真测度方法-CN200510020202.3无效
发明人：吴江滨;杨波;张知易 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十研究所
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G10L11/00 文献下载
摘要：客观音质评价中基于噪声掩蔽门限算法的巴克谱失真测度方法，提供了一种基于听觉同时性掩蔽效应的原理的扩展巴克谱失真(EBSD)测度方法，包括听觉响度计算，噪声掩蔽门限(NMT)计算和扩展巴克谱失真(EBSD)计算，在失真距离的计算中排除被噪声掩蔽门限(NMT)掩蔽的临界频带，使用EBSD测度后客观评价与主观评价结果之间具有相对其他测度更好的一致性。
客观音质评价基于噪声掩蔽门限算法巴克失真测度方法

[发明专利]用于涂漆操作中的包含基于硅氧烷的表面活性剂的掩蔽溶液-CN200780012042.5无效
发明人： E·W·伍德霍尔;R·L·梅萨 -专利权人：卡尔韦斯特特殊涂料公司
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： B05D1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种可在外涂(例如涂漆)操作中用来保护下层表面(例如汽车表面)的掩蔽材料。在一个实施方式中，所述掩蔽材料包括增稠剂和pH控制剂和水。所述掩蔽材料可被应用到要保护以免受油漆超范围喷涂或其他涂布过程的表面，让所述掩蔽材料干燥，随后涂布所述表面(例如，用油漆涂布)。在油漆或其他涂层干燥后，可通过水洗除去所述掩蔽材料。
用于涂漆操作中的包含基于硅氧烷表面活性剂掩蔽溶液

[发明专利]电容器电极箔的制造方法、电容器电极箔、层叠型电解电容器以及缠绕型电解电容器-CN200580013613.8无效
发明人：桥本武典 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：一种制造电容器电极箔的方法，包括如下步骤：用掩蔽材料使带状电极箔材料的具有预定宽度的至少一侧边缘部分的两个表面沿所述侧边缘部分掩蔽；在用所述掩蔽材料掩蔽至少一侧边缘部分的两个表面的情况下，蚀刻所述电极箔材料的未掩蔽部分
电容器电极制造方法层叠电解电容器以及缠绕

[发明专利]用于认证码键入的系统和方法-CN201980025747.3在审
发明人： I·A·哈吉穆萨;C·A·马登 -专利权人：惠尔丰公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F21/31 文献下载
摘要：在一个实施例中，在包括至少一个计算机处理器、显示器和输入设备的信息处理设备中，一种用于认证码键入的方法可以包括：(1)在信息处理设备处接收用于接收认证码键入的掩蔽模式，该掩蔽模式指定用于键入认证码的顺序；(2)在显示器上呈现提示以根据掩蔽模式键入认证码；(3)在输入设备处接收经掩蔽的认证码键入，其中经掩蔽的认证码键入包括根据掩蔽模式键入的认证码；以及(4)存储经掩蔽的认证码键入。
用于认证键入系统方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统-CN201811510378.0有效
发明人：林尤莉;金显承;尹相植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：所述半导体器件还包括选择/传输电路，所述选择/传输电路被配置为基于选择/传输信号将检测信号或控制数据信号输出为预掩蔽信号。所述半导体器件还包括掩蔽信号生成电路，所述掩蔽信号生成电路被配置为基于管道输入控制信号将预掩蔽信号锁存，并且被配置为基于管道输出控制信号将预掩蔽信号的已锁存信号输出为用于控制数据掩蔽操作的掩蔽信号。
半导体器件包括半导体系统

[发明专利]丢包掩蔽装置和方法以及音频处理系统-CN201480038437.2有效
发明人：黄申;孙学京;海科·普尔哈根 -专利权人：杜比国际公司;杜比实验室特许公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G10L19/008 文献下载
摘要：本申请涉及丢包掩蔽装置和方法以及音频处理系统。根据一种实施方式，提供了丢包掩蔽装置，用于掩蔽音频包流中的包丢失，每个音频包包括传输格式的至少一个音频帧，音频帧包括至少一个单声道分量和至少一个空间分量。该丢包掩蔽装置可以包括：第一掩蔽单元，用于针对丢失包中的丢失帧生成至少一个单声道分量；以及第二掩蔽单元，用于针对所述丢失帧生成所述至少一个空间分量。根据该实施方式，在针对多通道空间或声场编码音频信号的丢包掩蔽中可以尽可能避免空间畸变比如不正确的角度和发散度。
掩蔽装置方法以及音频处理系统

[发明专利]显示装置-CN98803253.8无效
发明人：埃罗尔·J·S·格林利斯 -专利权人：埃罗尔·J·S·格林利斯
申请日： 1998-03-18 - 公布日： 2000-04-12 - 主分类号： G09F11/00 文献下载
摘要：一种用于显示许多不同图像的广告显示装置,包括一图像框格(30),带有出自多种图像的许多隔行的带条;一掩蔽框格(25),靠近图像框格(30),具有与间隔开来的各光窗带条(59F)交替的间隔开来的各掩蔽带条(54E,55E);一安装装置,用于安装图像框格(30)和掩蔽框格(25)以便彼此相对移动;一驱动装置,用于产生在接续的各显示位置之间、图像框格(30)与掩蔽框格之间的相对移动,在这些位置上,掩蔽框格(25)的各光窗带条对准于一特定图像的各图像带条,其他一些图像的各图像带条则被各掩蔽带条予以遮蔽;以及压紧装置(71),用于彼此朝向地推压图像框格(30)的或掩蔽框格(25)的对置的两边缘部分,从而图像框格(30)和掩蔽框格(25)成为曲面的,而图像框格(30)和掩蔽框格(25)在压力作用下被导致彼此紧密接触。
显示装置

[发明专利]一种高选择比的钨蚀刻液-CN202011314350.7有效
发明人：万杨阳;钟昌东;李少平;贺兆波;尹印;张庭;张演哲;冯凯;王书萍;李鑫;倪高国 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：该蚀刻液由双氧水、无机酸、有机碱、二乙二醇单丁醚、金属离子掩蔽剂和去离子水组成。无机酸为硫酸、磷酸中的至少一种，有机碱为辛胺、六次甲基四胺中的至少一种。其中双氧水为氧化剂，将钨金属氧化，然后由无机酸提供H+离子，金属氧化物再被H3O+溶解成水溶性金属离子。金属离子掩蔽剂与金属离子发生络合反应，阻止金属蚀刻反应加快，保持蚀刻速率稳定，提高蚀刻选择比，防止过氧化氢分解，延长蚀刻液的寿命。
一种选择蚀刻

[发明专利]具有磁性和非磁性双相的部件的制造方法-CN202210151675.0在审
发明人：黄慎言;邹民;史蒂夫·约翰·布雷什;张万明;帕扎亚努尔·拉马纳森·苏布兰马尼安 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：该方法可以包括：在初始部件的一部分表面上形成涂层以形成掩蔽区域，同时在其上留下未掩蔽区域。此后，可将初始部件加热至处理温度，使得氮从初始部件的未掩蔽区域扩散出来以在未掩蔽区域中将非磁性奥氏体成分转变为磁性相。此后，可以将初始部件从处理温度冷却以形成双相磁性部件，该双相磁性部件具有对应于未掩蔽区域的磁性区域和对应于掩蔽区域的非磁性区域。
具有磁性部件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210210600.1有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一示例方法可以包括：在衬底上形成第一掩蔽层；以第一掩蔽层为掩模，形成带应力的源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；形成栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。
半导体器件及其制造方法