专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]超声波液位传感器的驱动电路-CN201922002483.X有效
  • 苏巧松 - 厦门伍迪电子科技有限公司
  • 2019-11-19 - 2020-07-17 - G01F23/296
  • 一种超声波液位传感器的驱动电路,所述驱动电路包括:第一NPN三管的基极连接驱动信号输入端;第二NPN三管的发射连接第一PNP三管的发射,第二NPN三管的集电极连接至供电电源端,第一PNP三管的集电极连接模拟地;功率NMOS管的栅极连接第二NPN三管的发射和第一PNP三管的发射,功率NMOS管的源连接模拟地;隔离变压器的输入绕组正端连接供电电源端,隔离变压器的输入绕组负端连接功率NMOS管的漏;第一电容第一端连接在隔离变压器的输入绕组正端
  • 超声波传感器驱动电路
  • [实用新型]高电压输入保护电路-CN201620557832.8有效
  • 谢汉飞 - 广东金莱特电器股份有限公司
  • 2016-06-12 - 2017-04-12 - H02H3/20
  • 本实用新型公开了一种高电压输入保护电路,包括外部电源输入端和电源输出端,在外部电源输入端与电源输出端之间还设有高压保护电路,高压保护电路包括第一电阻、第二电阻、稳压二管、三管、第三电阻、第四电阻和MOS管,MOS管的源与外部电源输入端相连接、MOS管的漏与电源输出端相连接、MOS管的栅极通过第四电阻接地,第一电阻的一端与外部电源输入端相连接、另一端通过第二电阻连接在三管的基极上,三管的发射接外部电源输入端、三管的集电极连接在MOS管的栅极上。
  • 电压输入保护电路
  • [实用新型]一种保护电路-CN202221668242.4有效
  • 于忠祥;张荣;赵常印 - 中寰卫星导航通信有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-12-20 - H02M1/32
  • 本申请公开了一种保护电路,涉及电子电路技术领域,保护电路包括:第一稳压管和三管;第一稳压管的输入端与输入电压连接,第一稳压管对应目标反向导通电压;第一稳压管的输出端与三管的输入端连接,三管对应目标导通压降;三管的输出端与直流变换器DC/DC的使能端连接;其中,在第一稳压管与三管关闭的情况下,输入电压通过第一稳压管与三管为DC/DC提供电能;在输入电压大于目标反向导通电压的情况下,三管开启;在输入电压大于目标反向导通电压和目标导通压降之和的情况下,第一稳压管导通、三管开启、并且DC/DC关断。
  • 一种保护电路
  • [实用新型]一种蓄电池过放电保护装置-CN201420469995.1有效
  • 叶子红;吴锦明;闫鹏飞 - 东莞铭普光磁股份有限公司
  • 2014-08-20 - 2014-12-10 - H02H7/18
  • 一种蓄电池过放电保护装置,包括:场效应管的源接蓄电池的负极,场效应管的漏连接充电器及负载;场效应管的栅极串联一限流电阻后连接三管的集电极,三管的集电极连接光耦的输出侧;光耦的输入侧的阳极通过上拉电阻连接到蓄电池的正极,光耦的输入侧的阴极连接场效应管的漏;差分放大器的正负输入端分别与场效应管的漏和源相连接,差分放大器的输出端与电压比较器的正输入端连接;电压比较器的负输入端连接稳压电路的输出端;电压比较器的输出端连接三管的基极光耦输入侧的阳极通过输入信号接口与输入信号源连接。本实用新型有效避免机械触点的寿命、电弧和易受外界震动影响的问题,结构简单,安装方便,提高了过放电保护性能。
  • 一种蓄电池放电保护装置
  • [发明专利]光伏系统的优化器及其电力转换电路-CN201410468779.X无效
  • 罗宇浩;邓祥纯 - 浙江昱能科技有限公司
  • 2014-09-15 - 2014-12-10 - H02M3/155
  • 本发明提供一种光伏系统的优化器及其电力转换电路,该电路的输入侧分为A、B两路,分别与第一、第二光伏组件连接。A路包括:第一输入电容,并联于第一正、负输入端间,第一负输入端与负输出端连接并接地;第一NMOS管,漏与第一正输入端连接,栅极接收第一驱动信号;第一二极管,正极与第一负输入端连接,负极与第一NMOS管源连接;B路包括:第二输入电容,并联于第二正、负输入端间,第二正输入端与正输出端连接;第二NMOS管,源与第二负输入端连接,栅极接收第二驱动信号;第二二极管,正极与第二NMOS管漏连接,负极与第二正输入端连接;电力转换电路还包括:电感,分别与第一NMOS管的源和第二NMOS管漏连接;输出电容,并联于正、负输出端间。
  • 系统优化及其电力转换电路
  • [发明专利]参考电压产生电路-CN200910119045.X有效
  • 廖英闵;林育信 - 联发科技股份有限公司
  • 2009-03-19 - 2009-12-30 - G05F3/16
  • 一种参考电压产生电路,包含:闭环支路,包含放大器,包含正输入端、负输入端及输出端,放大器的正输入端接收输入电压;第一MOS晶体管,包含栅极、源及漏,第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端,第一MOS晶体管的源耦接放大器的负输入端;第二MOS晶体管,包含栅极、源及漏,第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏,第二MOS晶体管的源耦接第一电压源,第二MOS晶体管的漏耦接第一MOS晶体管的源;开环支路,包含第三MOS晶体管,包含栅极、源及漏,第三MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端。
  • 参考电压产生电路
  • [实用新型]一种密封分立元件式的负离子发生器-CN02249208.9无效
  • -
  • 2002-09-17 - 2003-08-27 - H01T23/00
  • 特征是一个独立的密封元件壳体,其上外露有总输入端和总输出端,壳体内封装着构成负离子发生器的变压器、负阻特性二管、电容、电阻和高压整流二管,电阻和负阻特性二管串接于变压器输入端一和总输入端一之间,变压器输入端另一与总输入端另一相连、该相连处同时连接着电容一,电容另一连接于电阻和负阻特性二管的相连处,变压器的输出端与高压整流二管串接、该串接回路与总输出端相连。
  • 一种密封分立元件负离子发生器
  • [发明专利]一种电磁阀控制电路及方法-CN201510428445.4在审
  • 杨迎龙 - 杨迎龙
  • 2015-07-20 - 2015-10-14 - F16K31/06
  • 本发明公开了一种电磁阀控制电路,用于电磁阀中,电路包括控制芯片、三管和稳压二管;其中,控制芯片与三管的基极相连;三管的发射接地,集电极与稳压二管的正极及电磁阀的正输入端相连;稳压二管的负极与正电压源端及电磁阀的负输入端相连;当电磁阀的正输入端电压大于其对应的负输入端电压时,实现控制电磁阀导通;当电磁阀的正输入端电压小于其对应的负输入端电压时,实现控制电磁阀关断。
  • 一种电磁阀控制电路方法
  • [发明专利]低成本与门电路-CN201510705642.6在审
  • 王钊 - 无锡中感微电子股份有限公司
  • 2015-10-27 - 2015-12-30 - H03K19/20
  • 本发明提供一种低成本与门电路,其包括:第一与门输入端;第二与门输入端;与门输出端;第一PMOS晶体管,其源与第一与门输入端相连,其栅极与第二与门输入端相连;第二PMOS晶体管,其源与第一与门输入端相连,其栅极与第一PMOS晶体管的漏相连,其漏与所述与门输出端相连;第一NMOS晶体管,其栅极与第二与门输入端相连,其源接地,其漏与第一PMOS晶体管的漏相连;第一电阻,其连接于所述与门输出端和接地端之间
  • 低成本与门电路
  • [发明专利]背光开路保护电路-CN200710077400.2有效
  • 郑接见;周通 - 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
  • 2007-09-28 - 2009-04-01 - G09G3/34
  • 本发明涉及一种背光开路保护电路,包括多个背光开路检测电路、一输入电路、一控制开关和一脉冲宽度调制器。每一背光开路检测电路包括一检测输出端。该输入电路包括多个二管、多个输入电阻和多个积分电容。该多个二管的正极连接到该输入电路。该多个二管的负极分别经由该积分电容和该输入电阻接地,该多个二管的负极分别电连接到该多个检测输出端。该晶体管的栅极连接到一电源,源连接到该输入电路的多个二管的正极,漏连接到该控制端。该背光开路保护电路结构简单。
  • 背光开路保护电路
  • [实用新型]低成本与门电路-CN201520840349.6有效
  • 王钊 - 无锡中感微电子股份有限公司
  • 2015-10-27 - 2016-03-30 - H03K19/20
  • 本实用新型提供一种低成本与门电路,其包括:第一与门输入端;第二与门输入端;与门输出端;第一PMOS晶体管,其源与第一与门输入端相连,其栅极与第二与门输入端相连;第二PMOS晶体管,其源与第一与门输入端相连,其栅极与第一PMOS晶体管的漏相连,其漏与所述与门输出端相连;第一NMOS晶体管,其栅极与第二与门输入端相连,其源接地,其漏与第一PMOS晶体管的漏相连;第一电阻,其连接于所述与门输出端和接地端之间
  • 低成本与门电路

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