专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法-CN201510210826.5在审
  • 吴京锦;慕轶非;赵策洲;汤楚帆 - 西交利物浦大学
  • 2015-04-29 - 2015-08-19 - H01L21/285
  • 本发明公开了一种石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法,包括以下步骤:制备表面干净平整、少缺陷的石墨烯材料作为沉积高k栅介质的基底样品;将基底样品放入ALD反应腔室中,远程操控射线,使石墨烯P轨道电子吸收能量跃迁,改变外层电子取向,破坏离域大π键,形成悬挂键;通入水蒸气,完成石墨烯表面的化学吸附,直至衬底表面达到饱和;通入第一前驱体源,完成石墨烯表面的高k栅介质沉积。本发明所提出的利用伽马射线激发电子,破坏离域大π键,提高石墨烯表面活性,在石墨烯表面原子层沉积高k栅介质的方法,这种方法简便易行可靠,可以直接在石墨烯表面形成连续、均匀、结合紧密的高k栅介质层。
  • 石墨表面原子沉积介质方法
  • [发明专利]一种稀磁半导体(Zn80%-CN202210208975.8在审
  • 张珂 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2022-03-04 - 2022-07-22 - H01F1/40
  • 元素蒸发源的温度和分子线强度的比例,增加退火工序,改善Cr原子在ZnTe半导体晶体中的分布,从而使得Cr原子在ZnTe的禁带中的费米面附近形成局部杂质能级,基于分子束外延生长技术获得的薄膜可以增强Cr的3d轨道电子和ZnTe能带中载流子的2重交换作用,提高铁磁性的居里温度Tc至室温300K,可以应用于电子自旋晶体管(spin‑MOSFET)新型电子器件。
  • 一种半导体znbasesub80

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