专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电池模组-CN202110429177.3有效
  • 曾毓群;赵丰刚;陈传炼;项延火;黄仰枝 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2018-09-14 - 2022-06-03 - H01M50/51
  • 该电池模组包括多个电池单元,电池单元相互串联;电极输出连接片,设置在电池模组的输出端;多个跨接连接片,分别将多个电池单元中相隔的电池单元连接;邻接电连接片,将多个电池单元中的相邻的电池单元连接,通过电极输出连接片、跨接连接片和邻接电连接片以使电池模组形成供电通路;多个跨接连接片以至少两个为一组以绝缘的方式部分重叠贴合设置且包括上跨接片和下跨接片,上跨接片和下跨接片之间设有绝缘件,且绝缘件的周缘超出上跨接片与下跨接片重叠部分的周缘
  • 电池模组
  • [实用新型]一种二次电池模组-CN202021481247.7有效
  • 李欢飞;杜肖源;常利辉;程克强;畅志远 - 中航锂电(洛阳)有限公司;中航锂电技术研究院有限公司
  • 2020-07-23 - 2021-02-09 - H01M50/536
  • 该二次电池模组包括多个二次电池,该多个二次电池沿堆叠方向依次堆叠以形成电池组,还包括设置在电池组上方的跨接连接片、第一邻接电连接片、电路板,其中:电路板分别与跨接连接片以及第一邻接电连接片电信号连接;跨接连接片用于将电池组中相隔的二次电池连接,第一邻接电连接片用于将电池组中相邻的二次电池连接;跨接连接片部分地围绕第一邻接电连接片,且形成朝向电路板设置的第一缺口。上述实施例中,跨接连接片与第一邻接电连接片之间无重叠,同时,高压连接片与低压采集组件之间无重叠,从而提高了散热效果。
  • 一种二次电池模组
  • [实用新型]一种抗跨接断裂的串接石墨化炉-CN201220501642.6有效
  • 陈凤辉 - 江苏舜天高新炭材有限公司
  • 2012-09-27 - 2013-03-20 - C01B31/04
  • 本实用新型涉及一种抗跨接断裂的串接石墨化炉,包括炉墙、位于炉墙内的中间隔墙、设置在所述炉墙上的正负导电电极、以及位于炉墙内的跨接;其特征在于:所述跨接为固定电极,其固定于所述炉墙上;所述正负导电电极为活动电极,该活动电极用于在外力作用下与位于炉墙内的待石墨化的电极柱电连接。与现有技术相比,本实用新型由于正负导电电极为活动电极,分别在外力作用下与石墨化电极连接,因此不会出现由于两个石墨化电极长短不通或内部结构变化等不一致而导致跨接断裂,同时电连接性能更加稳定,产品质量稳定
  • 一种抗跨接电极断裂石墨
  • [发明专利]一种抗硫化跨接阻及其制备方法-CN202110051409.6在审
  • 冯路飞;何国颖;张俊;莫雪琼;杨晓平 - 广东风华高新科技股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-05-14 - H01C1/024
  • 本发明公开了一种抗硫化跨接阻及其制备方法,所述跨接阻包括陶瓷基板、背电极、银浆层、高钯电极层、保护层、端电极层、镍层和锡层;陶瓷基板的下表面两侧分别设置有背电极,陶瓷基板的上表面覆盖有一层银浆层,银浆层的另一面上覆盖有一层高钯电极层,高钯电极层的另一面上覆盖有一层保护层;陶瓷基板的左右两端分别设置有一层导电的端电极层,背电极、端电极层和保护层未覆盖的高钯电极层上覆盖有一层镍层,镍层上覆盖有一层锡层。本发明制作的抗硫化跨接阻通过高钯电极浆将易硫化的银浆完全覆盖,并采用树脂保护层和镍锡层保护电阻,在保证跨接阻阻值符合要求的同时,进一步提高跨接阻的抗硫化能力、耐高温高湿能力和抗腐蚀能力。
  • 一种硫化电阻及其制备方法
  • [发明专利]电池模组-CN201811076080.3在审
  • 曾毓群;赵丰刚;陈传炼;项延火;黄仰枝 - 宁德时代新能源科技股份有限公司
  • 2018-09-14 - 2020-03-24 - H01M2/20
  • 该电池模组包括多个电池单元,所述电池单元相互串联;电极输出连接片,设置在所述电池模组的输出端;多个跨接连接片,分别将多个所述电池单元中相隔的电池单元连接;邻接电连接片,将多个所述电池单元中的相邻的所述电池单元连接,通过所述电极输出连接片、所述跨接连接片和所述邻接电连接片以使所述电池模组形成供电通路;所述多个跨接连接片以至少两个为一组以绝缘的方式部分重叠贴合设置。
  • 电池模组
  • [实用新型]一种U型串接石墨化炉-CN201220497637.2有效
  • 陈凤辉 - 江苏舜天高新炭材有限公司
  • 2012-09-26 - 2013-03-27 - C01B31/04
  • 本实用新型涉及一种U型串接石墨化炉,包括炉墙、位于炉墙内的中间隔墙、固定在所述炉墙第一侧的正负导电电极、以及设置在所述炉墙第二侧的跨接;所述跨接包括用于与炉墙内待石墨化的两个电极柱分别连接的两个引出电极,该两个引出电极穿过所述炉墙延伸至炉墙之外;还包括连接所述两个引出电极的金属电极,所述金属电极位于所述炉墙之外。与现有技术相比,本实用新型的石墨化炉能够有效避免跨接断裂、电损、烧损等问题。
  • 一种型串接石墨
  • [实用新型]一种抗硫化跨接-CN202120106230.1有效
  • 冯路飞;何国颖;张俊;莫雪琼;杨晓平 - 广东风华高新科技股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-10-15 - H01C1/024
  • 本实用新型公开了一种抗硫化跨接阻,包括陶瓷基板、背电极、银浆层、高钯电极层、保护层、端电极层、镍层和锡层;其中,陶瓷基板的下表面的两侧分别设置有背电极,陶瓷基板的上表面覆盖有一层银浆层,银浆层的另一面上覆盖有一层高钯电极层,高钯电极层的另一面上覆盖有一层保护层;陶瓷基板的左右两端分别设置有一层导电的端电极层,背电极、端电极层和保护层未覆盖的高钯电极层上覆盖有一层镍层,镍层上覆盖有一层锡层。本实用新型提供的抗硫化跨接阻通过高钯电极浆将易硫化的银浆完全覆盖,以及采用树脂保护层和镍锡层保护电阻,在保证跨接阻阻值符合要求的同时,进一步提高跨接阻的抗硫化能力、耐高温高湿能力和抗腐蚀能力。
  • 一种硫化电阻
  • [发明专利]堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装-CN200410072624.0无效
  • 王向军;王仲;赵飞 - 天津大学
  • 2004-11-04 - 2005-05-11 - H01L25/065
  • 堆叠式双面电极封装与堆叠式多芯片组装,在封装芯片的上下端面分别引出电极,封装芯片的侧面预留跨接跨接用于多芯片间连接和间隔跨芯片联接。为了实现堆叠式多芯片组装,封装芯片上下端面分别设有平面跨接连线,构成中间转接层。中间转接层的上下端面同样设有电极,并设有不同的跨接连线,通过中间转接层可实现相邻两个堆叠式双面电极封装集成电路芯片各电极的任意跨接。上下端面电极的形式不限,上端面电极可为微球电极,下端面电极为焊盘电极。本发明的意义在于通过一种新的封装方式和堆叠式电路组装方式,使无PCB的微型电子系统成为可能,可以实现电子系统的微型化集成。
  • 堆叠双面电极封装芯片组装
  • [发明专利]触控模块及触控装置-CN202110608524.9在审
  • 方国龙;陈亚梅;刘琪斌;林家瑞;吴登;杨瑞彬;许培钦;魏均谙;陈俊荣;佘友智;许雅婷;刘宝林;吴永进 - 宸美(厦门)光电有限公司
  • 2021-06-01 - 2022-12-06 - G06F3/044
  • 一种触控模块及触控装置,触控模块包括基板、第一与第二水平触控电极、第一跨接以及第一垂直触控电极。第一与第二水平触控电极沿第一方向间隔设置于基板上。第一跨接连接第一水平触控电极及第二水平触控电极,且具有第一主体部以及与第一主体部相连的至少两第一延伸部,其中第一主体部在第一方向上位于两第一延伸部之间。两第一延伸部分别对应于第一水平触控电极及第二水平触控电极设置,且每一个第一延伸部绕出至少一开孔。第一垂直触控电极设置于基板上,在第一方向上位于第一水平触控电极与第二水平触控电极之间,且与第一跨接电性绝缘。通过跨接在结构上的特殊设计,可提升触控模块及其装置的可靠度,以达到产品的规格要求。
  • 模块装置
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法-CN200910054842.4无效
  • 秦丹丹 - 上海广电光电子有限公司
  • 2009-07-15 - 2009-12-23 - G02F1/1362
  • 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法在第一金属层利用第一道光罩同时形成连续的栅极扫描线和断续的数据线;在栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层利用第二道光罩进行岛刻及孔刻;最后在透明导电层利用第三道光罩形成源极、漏极、像素电极跨接,所述像素电极和所述漏极相连,所述跨接和所述源极相连,所述跨接通过接触孔将相邻两段数据线相连;从而省去了第二金属层和钝化层的制作并将光罩数减少到三道,缩短了制程时间,降低了成本。
  • 薄膜晶体管阵列制造方法

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