专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]偶氮类色素作为基质在MALDI-TOF质谱分析硅油上的应用-CN202210274708.0在审
  • 蒋可志;李慧茹 - 杭州师范大学
  • 2022-03-21 - 2022-07-01 - G01N27/64
  • 本发明公开偶氮类色素作为基质在MALDI‑TOF质谱分析硅油上的应用,包括以下步骤:采用弱极性的偶氮类色素作为MALDI的基质;采用钠盐或银盐作为MALDI的离子化试剂;将基质溶液和离子化试剂溶液,以及有机硅聚合物溶液混合后进行点靶,待晾干后进行MALDI‑TOF质谱分析。该方法首次采用弱极性的偶氮类色素作为MALDI质谱分析的基质,有利于提高弱极性的聚硅氧烷在固体MALDI基质的分散度,首次实现了各类硅油样品的有效MALDI电离和质谱分析。采用的偶氮类色素作为MALDI质谱分析的基质,点靶制样简单方便,并且使分析工作者不用接触气味难闻的有机碱物质。
  • 偶氮色素作为基质malditof谱分析硅油应用
  • [发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法-CN201811351479.8有效
  • 佐佐木玄 - 住友重机械离子科技株式会社
  • 2018-11-14 - 2022-07-29 - H01J37/317
  • 质量分析装置(22)具备:质量分析磁铁(22a),对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转;质谱分析狭缝(22b),设置于质量分析磁铁(22a)的下游,且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过;及透镜装置(22c),设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间,且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内,利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置,由此调整质量分辨率。
  • 离子注入装置控制方法
  • [发明专利]一种基于倒谱分析的水雷目标识别方法-CN200810247571.X有效
  • 田杰;张扬帆;薛山花;黄海宁 - 中国科学院声学研究所
  • 2008-12-30 - 2010-02-10 - G01S7/539
  • 本发明提供一种基于倒谱分析的水雷目标识别方法,包括如下步骤:1)获取声纳阵接收的目标的回波数据信号并对信号进行预处理;2)将回波数据分为若干个长度为L的子段;3)根据这些数据子段进行差分倒谱分析,将目标数据与其前一段底回波数据进行倒谱处理后进行相减处理;4)对通过所述差分倒谱分析所得到的特征进行频谱分析,获取水雷的几何分布特征以及弹性特性特征,并进一步构成识别所需的特征向量;5)利用分类器对步骤4)的特征向量进行识别,确定目标是否为水雷目标。根据本发明的基于倒谱分析的水雷目标识别方法,通过倒谱分析分离底回波特征与水雷目标特征,可以有效地消除掩埋状态下干扰项的影响,提高对水雷目标的识别能力。
  • 一种基于谱分析水雷目标识别方法

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