专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]水浴恒温制备近红外表面增强拉曼散射基底金纳米岛膜的方法-CN201310189676.5无效
  • 刘仁明;张德清;司民真 - 楚雄师范学院
  • 2013-05-21 - 2013-09-18 - G01N21/65
  • 水浴恒温制备近红外表面增强拉曼散射基底金纳米岛膜的方法;其特征是:方法步骤如下:1)将30℃下10.0~30.0μL氯酸金AuClO4、80.0~100.0mg聚乙烯醇[C2H4O]n粉末、10.0~30.0mg柠檬酸钠C6H5O7Na3固体颗粒加入到100~300mL超纯水中,充分溶解;2)将反应溶液倒入反应容器内;取表面正电的粘附载玻片,用去离子水超声清洗三次,每次超生清洗不少于20min;3)然后将清洗过的粘附载玻片贴紧容器壁浸入反应溶液,将粘附载玻片带正电的一面朝向氯酸金、聚乙烯醇、柠檬酸钠的混合液;4)把盛有以上粘附载玻片和反应溶液的容器放入到水浴箱中,恒温70~90℃加热,加热时间2~4h;5)把粘附载玻片从反应溶液中拿出来晾干
  • 水浴恒温制备红外表面增强散射基底纳米方法
  • [发明专利]一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法-CN201710228753.1有效
  • 周勇;余亚伟;高从堦 - 浙江工业大学
  • 2017-04-10 - 2019-06-04 - B01D71/68
  • 本发明公开了一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法,将氯甲基化聚砜放入三甲胺溶液中从而得到带正电的聚砜材料,磁力搅拌24h。然后将带正电的聚砜材料放入乙二醇甲醚中制备铸膜液,将铸膜液涂覆在聚砜超滤底膜的表面,然后在30℃‑40℃的温度范围内烘干制备成纳滤膜。由于成膜材料中含有荷正电基团,因此膜对带正电的染料的截留率均在95%以上,因此可以应用于盐与带正电的染料分离,同时由于其带有亲水性基团,因此制备的纳滤膜也具有较好的抗污染性能。
  • 一种氯甲基化制备电纳滤膜方法
  • [实用新型]一种薄膜锁边机-CN201621227677.X有效
  • 熊露璐 - 上海大觉包装制品有限公司
  • 2016-11-15 - 2017-06-06 - B29C41/52
  • 本实用新型公开了一种薄膜锁边机,包括流延机的出膜口、用于冷却定型的冷凝辊以及静电发生器,静电发生器上设有正电极,正电极指向冷凝辊表面且与冷凝辊间隙设置,还包括除湿器,除湿器上设有用于输出干燥空气的输气管,输气管的一端与除湿器相连,另一端设有环形的出气口,出气口套接于正电极外且出气口的出气的方向与正电极指向冷凝辊的方向相同;通过除湿器以及隔离罩,使正电极附近的空气中保持干燥,空气越干燥其湿度越小,薄膜导向性越差,正离子与薄膜结合后流失速度越慢,薄膜上正电增加的速度大于正电流失的速度,使接触后使分布在薄膜上的正电密度变大,薄膜与冷凝辊的吸附力也加强,进而提高静电吸附的效果。
  • 一种薄膜锁边
  • [实用新型]一种灭菌头盔-CN202020411896.3有效
  • 冷涛;王文祥 - 冷涛
  • 2020-03-26 - 2021-03-02 - A42B3/04
  • 本发明提供的一种灭菌头盔,第一电极板和第二电极板分别带有正电和负电荷,由于从病患者口中排出的病毒,携带着游离态过剩的正电或负电荷,第一电极板和第二电极板之间又存在电场,在电场力的作用下,带有游离态过剩的正电或负电荷的病毒被吸到第一电极板或第二电极板上,与第一电极板或第二电极板上的正电或负电荷结合,使病毒的结构被破坏,进而杀灭病毒,杀菌效果好。
  • 一种灭菌头盔
  • [发明专利]提取电子器件氧化层中正电的方法-CN202010735718.0有效
  • 李兴冀;杨剑群;吕钢;应涛 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-07-28 - 2023-05-05 - G01R29/24
  • 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中正电的方法,包括以下步骤:S100、选择P型半导体材料制备成衬底;S200、在衬底上制备N型外延层;S300、在外延层上形成P++漏极和栅极;S600、将源极和漏极接地,栅氧电场保持正偏置,阱区负偏置,衬底负偏置,检测栅极处的空穴电流;S700、在偏置过程中,检测平带电压变化,提取氧化物层俘获正电的状态本发明基于MOS场效应管制备工艺,在N型半导体材料衬底上形成正电测试结构,并通过调置不同电极之间的电压,快速检测正电状态,达到高效高灵敏度检测氧化层中正电的目的。
  • 提取电子器件氧化中正电荷方法

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