“膜厚变化”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1705833个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法-CN201410730080.6有效
发明人：林伟华;翟立君;王艾 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法，包括进行基准实验以获取基准膜厚；仅改变基准实验的工艺气体流量进行多组测试实验以获取测试硅片的膜厚；以相对于基准实验气体流量的流量变化值以及该流量变化值造成的相对于基准膜厚的膜厚变化值为变量建立目标函数，并确定该目标函数的约束条件为膜厚变化值与流量变化值呈线性关系；根据多组测试实验结果及约束条件计算目标函数的值最小时的最优流量变化值；以最优流量变化值调节基准流量作为最优气体流量并获取测试硅片的最优膜厚；以及判断最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值大于预定值时以最优气体流量作为基准实验的工艺气体流量，并重复上述步骤。本发明可提高膜厚调节效率。
cvd 工艺调节优化方法

[发明专利]应用于CVD成膜工艺的膜厚流量建模方法及在线优化方法-CN201410730097.1有效
发明人：王艾;徐冬 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚与气体流量的建模方法，包括在基础工艺条件下获取测试硅片的基准膜厚；进行多组膜厚调节实验获得不同实验条件下测试硅片的膜厚，其中每组实验的实验条件为仅改变基础工艺条件的工艺气体流量；以及根据得到的多个测试硅片的膜厚相对于基准膜厚的多个膜厚变化值，以及多个测试硅片的膜厚所对应的气体流量相对于基础工艺条件的气体流量的多个流量变化值，计算得到线性的膜厚流量变化关系模型。本发明还提供了一种膜厚在线优化方法，根据膜厚流量变化关系模型、针对该关系模型设定的限制条件以及目标膜厚与基准膜厚的差值，计算气体流量的最优变化量。本发明可提高调试效率。
膜厚气体流量硅片关系模型基础工艺流量变化测试成膜工艺实验条件在线优化建模工艺气体流量调试效率膜厚变化限制条件变化量目标膜应用

[发明专利]应用于CVD成膜工艺的膜厚流量建模方法及膜厚调节方法-CN201410174251.1有效
发明人：王艾;徐冬 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于CVD成膜工艺的膜厚与气体流量的建模方法，包括在基础工艺条件下获取测试硅片的基准膜厚；进行多组可信的实验获得不同实验条件下测试硅片的膜厚，其中每组实验的实验条件为仅改变基础工艺条件的工艺气体流量；以及根据多组可信的实验所得到的多个测试硅片的膜厚相对于基准膜厚的多个膜厚变化值，以及多个测试硅片的膜厚所对应的气体流量相对于基础工艺条件的气体流量的多个流量变化值计算得到膜厚流量变化关系模型。本发明还提供了一种膜厚调节方法，根据膜厚流量变化关系模型调节工艺气体的流量以实现目标膜厚，缩短了机台的调试时间，提高了调试效率。
应用于 cvd 工艺流量建模方法调节

[发明专利]一种基于滑动轴承静压损失的流量补给方法-CN202010317268.3有效
发明人：张艳芹;罗义;伍儒康;李晓晖 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： F16C25/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于滑动轴承静压损失的流量补给方法，包括以下步骤：分析膜厚与油膜压力损失变化关系，确定油膜膜厚变化参数；根据油膜膜厚变化参数建立油膜膜厚预测模型；根据油膜膜厚预测模型对静压滑动轴承进行流量补给
一种基于滑动轴承静压损失流量补给方法

[发明专利]一种润滑膜厚度测量方法-CN201610227964.9在审
发明人：陈英俊;吴小东 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种润滑膜厚度测量方法。其通过变化摩擦副的运行速度，使得膜厚从零动态变化到待测工况下膜厚，记录期间所有的图像变化信息，通过分析连续变化的图像，动态标定干涉条纹中干涉级次变化，将干涉级次及相应的光强极值代入膜厚计算公式，从而得到更精确的润滑膜厚度测量结果，与一般的膜厚测量方法相比，本发明的方法测量精度更高，更适合于润滑膜厚度的动态测量。
一种润滑厚度测量方法

[发明专利]一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料-CN202010795432.1有效
发明人：兰金鹏;陆冬梅;鹿宁;王要东;周宝荣;王妮;赵科良;马倩 -专利权人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜电阻浆料和由该厚膜电阻浆料制备得到的厚膜电阻。本发明在厚膜电阻浆料中以浆料添加剂的形式加入适量的石墨炔或以玻璃粉添加剂的形式引入适量的石墨炔。由本发明的厚膜电阻浆料能够制备得到电阻温度变化稳定、耐静电放电和/或包封变化率小的厚膜电阻。
一种静电放电低包封变化电阻浆料

[发明专利]膜厚测定装置及膜厚测定方法-CN201080038809.3有效
发明人：大塚贤一;中野哲寿;渡边元之 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：膜厚测定装置(1A)包括：测定光源(28)，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15)；分光光学系统(30)及光检测器(31)，其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度；以及膜厚解析部(40)，其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形，求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值，并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此，实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法，其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量，也可高精度地测定该膜厚变化量。
测定装置方法

[发明专利]监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法-CN200710094160.7无效
发明人：季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-10-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，包括如下步骤：(1)编辑锗硅淀积程序时将淀积分为不同的步数，每一步淀积的每一层膜不一样，或掺入锗烷，或不掺入锗烷；(2)编辑对应的膜厚测量程序，不掺锗烷的层次监控设备温度，掺锗烷的层次监控锗烷流量；(3)对设备温度、锗烷流量拉偏，画出不同层膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线；(4)当测量结果异常时，根据上述膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线，将每一层膜厚调整至目标值。本发明利用锗硅淀积程序和膜厚测试程序的配合，对设备温度和锗烷流量的变化及时监控，通过膜厚的变化反映出设备参数的变化，利于发现工艺参数变化的根本原因，以恢复设备的初始状态。
监控外延反应设备参数变化方法

[其他]备有反射防止膜的阴极射线管-CN87101222无效
发明人：竹中滋男;伊藤武夫;松田秀三 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1987-12-23 - 公布日： 1988-07-13 - 主分类号： H01J29/88 文献下载
摘要：一种阴极射线管，在面板上形成有防止光线反射的膜层，由氟化镁形成，其膜厚从面板中央区向周边区连续地减小，并在0.04/n到0.22/n之间，膜厚变化率d/dmax可以下式表示其中d为膜厚，dmax为膜厚的最大值，K为在X＝Xmax处的d/dmax之值，ρ为相对于膜厚变化率的常数。
备有反射防止阴极射线管

[发明专利]备有反射防止膜的阴极射线管-CN87101222.7无效
发明人：竹中滋男;伊藤武夫;松田秀三 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1987-12-23 - 公布日： 1990-11-28 - 主分类号： H01J29/88 文献下载
摘要：在面板上形成有防止光线反射的膜层，由氧化镁形成，其膜厚从面板中央区向周边区连续地减小，并在0.04/n到0.22/n之间，膜厚变化率d/dmax可以下式表示其中d为膜厚，dmax为膜厚的最大值，K为在X＝Xmax处的d/dmax之值，p为相时于膜厚变化率的常数。
备有反射防止阴极射线管

[发明专利]编织机的编织用零件-CN94190178.5无效
发明人：南谷孝典 -专利权人：时至准钟表股份有限公司
申请日： 1994-04-05 - 公布日： 1997-03-12 - 主分类号： D04B15/54 文献下载
摘要：本发明涉及编织机的编织用零件(导纱针、织针、舌杆、沉降片、隔纱板、提花导纱针等)，在该零件基材10的与编织纱频繁接触部分的表面上形成设定膜厚d的硬质碳膜15的包覆，同时，从该设定膜厚d的硬质碳膜15的包覆区域到没有包覆的区域之间形成硬质碳膜的厚度逐渐减少的膜厚变化区域该膜厚变化区域16在膜厚变化方向的长度L和硬质碳膜15的设定膜厚d之比(L/d)设为5以上。这样，该编织用零件的耐久性得到大幅度改善且易于生产，而且，拉毛和断纱均不会发生。
织机编织零件

[发明专利]基板温度测定方法-CN200410047644.2无效
发明人：赤堀浩史;佐俣秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时，在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光，获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时，测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系，从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化，推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
温度测定方法

[发明专利]薄膜的膜厚监控方法和基板温度测定方法-CN02108327.4无效
发明人：赤堀浩史;佐俣秀一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：从某一侧面看到的本发明的膜厚监控方法如以下那样构成。当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时,测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系,从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化,推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
薄膜监控方法温度测定

[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066338.8有效
发明人：乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发光亮度的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发光亮度变化之比处于设定范围内，多个发光亮度测量部各自以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度，针对多个发光亮度测量部各自测量的钢板表面的各发光亮度，通过使用与该发光亮度测量部相对应的膜厚转换信息，求出与该测量的发光亮度相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

[发明专利]氧化膜厚测量装置以及该方法-CN201980066366.X有效
发明人：乾昌广;高松弘行;中西良太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明的氧化膜厚测量装置针对将膜厚测量范围划分的多个子膜厚测量范围分别存储有膜厚与发射率的对应关系的膜厚转换信息，在该子膜厚测量范围内，相对于膜厚变化的发射率变化之比处于设定范围内，以不同的多个测量波长测量钢板表面的发光亮度并测量其温度，求出所述多个测量波长的各个波长下的各发射率，针对按各测量波长求出的各发射率，通过使用与该测量波长相对应的膜厚转换信息，求出与该测量波长下的发射率相对应的膜厚和该膜厚下的比，并且在该求出的比处于与该膜厚转换信息相对应的指定的设定范围内的情况下，将该求出的膜厚作为实际的膜厚的候选值而提取。
氧化测量装置以及方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条