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- [发明专利]高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法-CN201710026501.0在审
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刘力;王毅伟;梁永日;温世鹏
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北京化工大学
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2017-01-14
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2017-06-13
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B01D71/34
- 一种高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法,解决现有聚偏氟乙烯薄膜β‑相含量不够高的问题。本发明将聚偏氟乙烯粉末溶解在溶剂N,N‑二甲基甲酰胺中,60℃水浴搅拌得到聚偏氟乙烯溶液,冷却至室温,再加入调节溶剂挥发速率的溶剂丙酮,磁力搅拌得到均匀溶液。在聚偏氟乙烯溶液中添加聚偏氟乙烯质量1%的镀银二氧化硅纤维作为填料,搅拌得到混合均匀的聚偏氟乙烯混合溶液。将配置好的溶液滴在载玻片上,真空环境中在60℃结晶8h,通过FTIR、XRD、DSC等表征得到制备高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜的最佳填料含量和温度影响。该方法采用溶液涂膜法制备聚偏氟乙烯薄膜,通过加成核剂的方法对晶体结构进行改性,得到高β‑相含量聚偏氟乙烯薄膜。
- 含量聚偏氟乙烯薄膜制备方法
- [发明专利]γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法-CN201110058070.9有效
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樊慧庆;惠迎雪
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西北工业大学
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2011-03-10
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2011-09-14
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C08J5/18
- 本发明公开了一种γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法,用于解决现有的聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法不能制备γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的技术问题。技术方案是将聚偏二氟乙烯树脂粉末溶解在极性溶剂N,N-二甲基甲酰胺中,超声处理后得到聚偏二氟乙烯溶液;真空条件下祛气;将配制的聚偏二氟乙烯溶液滴在干净干燥的N型(100)单晶硅片上,静置于水平台上,流延至基片的边缘,在室温环境下继续静置挥发,得到均匀的初始模样;初始模样在30℃~80℃条件下结晶;经等温结晶后的聚偏二氟乙烯薄膜经退火,得到γ-相聚偏二氟乙烯薄膜。该方法采用溶液流延方法制备聚偏二氟乙烯薄膜,通过热处理对其晶体结构进行改性,得到了γ-相聚偏二氟乙烯薄膜。
- 相聚偏二氟乙烯薄膜制备方法
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