专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚乙烯绝缘电缆的制备工艺-CN202310816241.2在审
  • 张海涛 - 苏州道旺电子科技有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-10-27 - H01B13/06
  • 本发明公开的一种聚乙烯绝缘电缆的制备工艺,涉及电缆技术领域。本发明的聚乙烯绝缘电缆的制备工艺,包括以下工艺步骤:先确定聚乙烯绝缘电缆的结构、再将配料混合进行高温密炼制备聚乙烯绝缘母料、制备聚乙烯绝缘电缆;其中,聚乙烯绝缘母料的配料包括低密度聚乙烯乙烯‑醋酸乙烯共聚物、增容剂马来酸酐接枝聚乙烯、防火材料硼酸铵、炭黑母料、吸湿剂硝酸镁、抗氧剂、润滑剂;本发明制备聚乙烯绝缘电缆的抗拉性、阻燃性较好。
  • 一种聚乙烯绝缘电缆制备工艺
  • [发明专利]一种三层共挤流延膜及其制备方法-CN201810759553.3有效
  • 陈洪;汪培杰 - 银金达(上海)新材料有限公司
  • 2018-07-11 - 2021-01-08 - B32B27/06
  • 本发明公开了一种三层共挤流延膜及其制备方法,三层共挤流延膜包括基层、芯层、表层,其特征在于,制备基层的原料和制备表层的原料相同包括:高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、茂金属线性低密度聚乙烯、填料;制备芯层的原料包括:高密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、茂金属线性低密度聚乙烯乙烯乙烯醇共聚物、乙烯‑醋酸乙烯共聚物。本发明制备得到的三层共挤流延膜制备工艺简便,生产高效环保,各向同性性能好,机械性能优异。
  • 一种三层共挤流延膜及其制备方法
  • [发明专利]一种户外抗老化电缆料及其制备方法-CN202310157814.5有效
  • 张斌良;龚明;陆永建;包富民 - 江苏馨德高分子材料股份有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-09-01 - C08L23/08
  • 本发明涉及电缆料技术领域,具体为一种户外抗老化电缆料及其制备方法。方案以基础聚乙烯、EVA、炭黑、润滑剂和阻燃剂等作为体系组分,经过合适的配比以制得电缆料,在该配方中,方案引入了聚乙烯母粒A、聚乙烯母粒B、聚乙烯母粒C,其中聚乙烯母粒A、聚乙烯母粒B、聚乙烯母粒C均熔融支化法进行制备,通过丙烯酸丁酯制备得到聚乙烯母粒A;通过新戊二醇二丙烯酸酯制备得到聚乙烯母粒B;通过季戊四醇四丙烯酸酯制备得到聚乙烯母粒C;再在电缆料中复配添加聚乙烯母粒A、聚乙烯母粒B和聚乙烯母粒C,在该体系配方下,制备得到的电缆料力学性能优异,整体强度高,且耐水耐溶剂性能更为优异,实用性更高。
  • 一种户外老化电缆料及制备方法
  • [发明专利]一种聚乙烯薄膜制备工艺-CN202310141173.4在审
  • 占港林 - 占港林
  • 2023-02-21 - 2023-06-23 - B29C41/24
  • 本发明涉及薄膜制备领域,更具体的说是一种聚乙烯薄膜制备工艺。包括以下步骤:S1:将聚乙烯原料从制备装置上的出料头喷出;S2:使出料头在喷出聚乙烯原料时往复移动,使聚乙烯原料落在平板上;S3:通过刮板将落在平板上的聚乙烯原料刮动至斜板上;S4:使聚乙烯原料顺着斜板上流下,聚乙烯原料不断延展;S5:使聚乙烯原料流过挡板与斜板形成的缝隙,聚乙烯原料进一步变薄;S6:使聚乙烯原料继续从斜板上流下,形成聚乙烯薄膜,然后对聚乙烯薄膜进行裁剪。可以使聚乙烯原料快速延展成聚乙烯薄膜。
  • 一种聚乙烯薄膜制备工艺
  • [发明专利]一种自清洁聚乙烯薄膜及其制备方法-CN201710585336.2有效
  • 余旺旺;李彩虹;汪勇;张奥涵 - 南京工业职业技术学院
  • 2017-07-18 - 2019-07-02 - B32B9/04
  • 本发明公开了一种自清洁聚乙烯薄膜及其制备方法。一种自清洁聚乙烯薄膜,包括顺序相接的改性微晶蜡膜层、铁酸锌层、第一导电聚乙烯薄膜层、氧化钴层和第二导电聚乙烯薄膜层。上述自清洁聚乙烯薄膜的原料组分包括:改性微晶蜡膜、铁酸锌、氧化钴和导电聚乙烯薄膜,其中,改性微晶蜡膜、铁酸锌、氧化钴、导电聚乙烯薄膜的质量比为1:12~19:1~8:49~76。本发明采用改性微晶蜡膜、铁酸锌、氧化钴、导电聚乙烯薄膜制备了自清洁聚乙烯薄膜,通过压力贴合工艺制备聚乙烯薄膜,该方法制备的自清洁聚乙烯薄膜材料具有优异的自清洁性和力学性能。
  • 一种清洁聚乙烯薄膜及其制备方法

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