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[发明专利]一种耦合变压器型直流断路器用空芯脉冲变压器及其参数获取方法-CN201610046017.X有效
发明人：李黎;程勇;彭明洋;袁召;潘垣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种耦合变压器型直流断路器用空芯脉冲变压器及其参数获取方法，空芯脉冲变压器包括原方绕组、副方绕组、原方绕组高压端、原方绕组低压端、副方绕组高压端、副方绕组低压端、副方绕组匝间绝缘膜、原方绕组匝间绝缘膜、主绝缘膜和绝缘支撑架；副方绕组沿绝缘支撑架径向绕制，副方绕组具有径向电压梯度，且副方绕组的匝间绝缘由副方绕组匝间绝缘膜实现；副方绕组低压端和原方绕组低压端之间采用主绝缘膜绝缘；原方绕组绕制在主绝缘膜外，且原方绕组的匝间绝缘由原方绕组匝间绝缘膜实现。
一种耦合变压器直流断路器用脉冲及其参数获取方法

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200410092936.8有效
发明人：檜上竜也;伊藤文俊;蒲原史朗 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：半导体衬底主表面的第一区上的第一MISFET；和半导体衬底主表面的第二区上的第二MISFET，其中所述第一MISFET的栅绝缘膜包括相对介电常数高于氮化硅相对介电常数的第一绝缘膜，其中第二MISFET的栅绝缘膜包括由氧化硅组成的第二绝缘膜，以及其中转变成氧化硅膜膜厚度的第一绝缘膜的膜厚度比转变成氧化硅膜膜厚度的第二绝缘膜的膜厚度薄。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510106818.2无效
发明人：宇佐美达矢;森田昇;大音光市 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体衬底(未示出)、形成在半导体衬底上的层间绝缘膜102以及设置在层间绝缘膜102上的多层绝缘膜140。半导体器件包括设置为延伸贯穿多层绝缘膜140并包括Cu膜120和阻挡金属膜118的导电体。阻挡金属膜118被设置为覆盖Cu膜120的侧表面和底表面。该半导体器件包括布置在多层绝缘膜140和导电体(即，Cu膜120和阻挡金属膜118)之间的绝缘膜116。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法以及显示装置-CN201180042417.9有效
发明人：吉田昌弘;山田崇晴;堀内智;光本一顺 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：有源矩阵基板具有：电极层，其形成于显示区域中的绝缘性基板（21）上；标记（25），其配置于非显示区域中的绝缘性基板上，由与电极层相同的材料形成；第1绝缘膜（26），其将电极层和标记分别直接覆盖；以及第2绝缘膜，其覆盖第1绝缘膜的一部分。在密封区域的至少一部分中从绝缘性基板上除去了第2绝缘膜。标记配置于除去了第2绝缘膜的区域，并且以与密封区域的至少一部分重叠的方式设置。在绝缘性基板上形成有将覆盖标记的第1绝缘膜的侧面和该第1绝缘膜的与绝缘性基板相反一侧的表面覆盖的保护膜（45）。
有源矩阵及其制造方法以及显示装置

[发明专利]绝缘膜的黏贴设备及其黏贴方法-CN201210240722.5无效
发明人：洪进富;罗世芬;郭胜吉;许宏展;林家荣 -专利权人：湘铧企业股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B32B37/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘膜的黏贴设备及其黏贴方法，用以将绝缘膜黏贴于工件。绝缘膜黏贴于载体料带的多个单位载体之一上，且绝缘膜与所黏贴的单位载体间具有一第一黏度，绝缘膜与工件间具有一第二黏度；该绝缘膜的黏贴设备包括一循环式工作载台、多个工作台、一驱动组件、一热压合组件以及一撕料组件，借由热压合组件对绝缘膜与绝缘膜所黏贴的单位载体自初始工作温度加热至黏度转换温度，并将绝缘膜压合于工件，再以撕料组件撕除单位载体使工件成为贴膜工件；其中，在初始工作温度下，第二黏度小于第一黏度；在黏度转换温度下本发明的绝缘膜的黏贴设备及其黏贴方法，可提高黏贴作业的精度与品质，降低人力训练成本。
绝缘黏贴设备及其方法

[发明专利]有机半导体装置-CN200880118746.5无效
发明人：奥良彰 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该有机半导体装置具有有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管具备：基板(10)；设置在基板(10)上的门极(12)；设置在门极(12)上的第1门极绝缘膜(15)；设置在第1门极绝缘膜(15)上的第2门极绝缘膜(17)；设置在第2门极绝缘膜(17)上、由第1金属层(16、18)与第2金属层(20、22)的叠层结构构成的源极(16、20)及漏极(18、22)；以及设置在源极(16、20)和漏极(18、22)之间、第2门极绝缘膜(17)之上的有机半导体层(24)。其中，第1门极绝缘膜(15)由介电常数高于第2门极绝缘膜(17)的绝缘膜构成，第2门极绝缘膜(17)由薄于第1门极绝缘膜(15)的硅氧化物膜、或低温成膜的薄的硅氧化物膜构成，且它们整体上具有叠层式门极绝缘膜结构
有机半导体装置

[发明专利]绝缘膜、绝缘导体及金属基底基板-CN201980006171.6有效
发明人：石川史朗;山﨑和彦;伯德烈·盖布瑞欧 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01B3/30 文献下载
摘要：绝缘膜(10)包含：树脂(11)，由聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺或者它们的混合物构成；及α氧化铝单晶粒子(12)，平均粒径在0.3μm以上且1.5μm以下的范围内，所述α氧化铝单晶粒子(12)的含量在8体积％绝缘导体(20)是具有导体(21)和配置在所述导体的表面的绝缘膜的绝缘导体(20)，所述绝缘膜由上述绝缘膜(10)构成。金属基底基板(30)是依次层叠金属基板(31)、绝缘膜及金属箔(33)而成的金属基底基板(30)，所述绝缘膜由上述绝缘膜(10)构成。
绝缘导体金属基底

[实用新型]一种双面铜箔基板-CN201120204745.1有效
发明人：王勇 -专利权人：湖北友邦电子材料有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：包括绝缘基层，在绝缘基层的上下表面分别制作上绝缘膜层、下绝缘膜层，于上绝缘膜层、下绝缘膜层上分别覆设上铜箔、下铜箔；绝缘基层为聚酰亚胺层；上绝缘膜层及下绝缘膜层为聚酰亚胺膜层。
一种双面铜箔

[实用新型]一种彩色柔性线路板和彩色LED高压灯带-CN201721744555.2有效
发明人：罗绍静;赖弥勇;卢欣欣 -专利权人：广东顺德施瑞科技有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本申请属于灯带领域，尤其涉及一种彩色柔性线路板，包括绝缘基层，所述绝缘基层的上表面依次设有顶部导电线路层和顶部绝缘膜层，其下表面依次设有底部导电线路层和底部绝缘膜层；所述顶部绝缘膜层上设有元器件通孔以形成焊盘位；所述顶部绝缘膜层为彩色绝缘膜层。本实用新型通过彩色绝缘膜层的设置，在使用白光LED的情况下，实现彩色灯带的效果，在使用彩色LED的情况下，能加强灯带的发光效果；彩色绝缘膜层在制备过程中即掺入色料，避免色料的脱落。
绝缘膜层导电线路层柔性线路板绝缘基层彩色LED 灯带色料本实用新型底部绝缘膜彩色灯带发光效果制备过程白光LED 高压灯上表面下表面掺入焊盘通孔元器件申请

[发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法-CN202010000510.4在审
发明人：石川隆正;野口晴司 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够抑制工时的增加、且能够与栅极沟槽的栅极绝缘膜相独立地进行虚设沟槽的栅极绝缘膜不良的筛查。包括以下工序：掘出栅极沟槽(51)和虚设沟槽(42)；隔着栅极绝缘膜(6)在虚设沟槽(42)中埋入虚设电极(72)，并且隔着栅极绝缘膜(6)在栅极沟槽(51)中埋入栅极电极(71)；以将虚设电极(72)上露出、且将栅极电极(71)覆盖的方式选择性地形成检查用绝缘膜(11)；在虚设电极(72)和检查用绝缘膜(11)上沉积检查用导电膜(20)；以及在检查用导电膜(20)与电荷输送区(1)之间施加电压，由此选择性地检查虚设沟槽(51)内的栅极绝缘膜(6)的绝缘特性。
绝缘栅极半导体装置及其制造方法

[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置-CN201510076792.5有效
发明人：邹志翔;杨成绍;黄寅虎 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。
阵列制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置-CN201310365525.0有效
发明人：崔千基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的一个实施例提供的薄膜晶体管基板包括：基板；位于基板上的栅极；位于栅极上的栅极绝缘膜；位于栅极绝缘膜上的氧化物半导体；位于氧化物半导体上的第一层间绝缘膜；位于第一层间绝缘膜上的数据线；位于数据线上的第二层间绝缘膜；位于第二层间绝缘膜上的源极，通过第二层间绝缘膜的第一接触孔与氧化物半导体以及数据线相连；位于第二层间绝缘膜上的漏极，通过第二层间绝缘膜的第二接触孔与半导体相连。
薄膜晶体管包含有机发光显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610340793.0有效
发明人：宇佐美达矢 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体基板(SUB)，由硅构成；第1绝缘膜(CL)，形成在半导体基板(SUB)的主面上，对基板产生压缩应力；波导(OTL)，形成在第1绝缘膜(CL)上，由硅构成；以及第1层间绝缘膜(ID1)，以覆盖波导(OTL)的方式形成在第1绝缘膜(CL)上。而且，对基板产生拉伸应力的第2绝缘膜(TS)形成在第1层间绝缘膜(ID1)上且从波导(OTL)离开第1绝缘膜(CL)的厚度以上的区域中，通过第2绝缘膜(TS)抵消第1绝缘膜(CL)的压缩应力。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种LED用柔性线路板-CN202022372388.1有效
发明人：林苗虾 -专利权人：深圳市瑞邦创建电子有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED用柔性线路板，涉及电子材料技术领域；本实用新型包括软板、外壳、信号层、基板和信号屏蔽层，两个外壳内侧上下两端连接有信号层和信号屏蔽层，信号层下层设有第一绝缘保护膜，第一绝缘保护膜下层设有铜箔，铜箔下层设有第二绝缘保护膜，第二绝缘保护膜下层设有基板，基板下层设有第三绝缘保护膜，第三绝缘保护膜下层设有信号屏蔽层；本实用新型通过设置第一绝缘保护膜、第二绝缘保护膜、第三绝缘保护膜、信号屏蔽层和外壳
一种 led 柔性线路板

[实用新型]一种CPU绝缘膜-CN201621141210.3有效
发明人：夏跃龙 -专利权人：曲靖师范学院
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01B17/60 文献下载
摘要：本实用新型公开一种CPU绝缘膜，包括绝缘膜本体，绝缘膜本体包括绝缘层、防水层、抗氧化层、支撑层、凹槽和凸体，绝缘膜本体的最上端设置有绝缘层，绝缘层的顶端设置有凹槽和凸体，绝缘层的底端固定设置有防水层，本实用新型安全可靠，通过设有绝缘层和防水层，能够保护CPU，使得CPU能够正常工作，通过设有抗氧化层，能够增加绝缘膜的使用寿命，防止绝缘膜本体因温度的升高加速氧化，保障绝缘膜本体对CPU保护的安全性，通过设有由聚对苯二甲酸乙二醇酯材料制成的支撑层，其具有电绝缘性优良的特性，通过设有含有散热介质的凸体，能够加速散热，不仅能够保护CPU，而且能够降低温度对绝缘膜本体的影响，使用比较方便。
一种 cpu 绝缘