“结晶膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1026227个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种降膜结晶管及降膜结晶器-CN202220243437.8有效
发明人：康小玲;唐曦;梁勇军;邹志刚;李明全 -专利权人：上海东庚化工技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型属于结晶设备技术领域，具体涉及一种降膜结晶管及降膜结晶器。当采用内壁结晶时，所述降膜结晶管的内壁设置有若干用于使物料分流的导流凸台；当采用外壁结晶时，所述降膜结晶管的外壁设置有若干用于使物料分流的导流凸台，降膜结晶管使用时，导流凸台的纵向截面上部呈上窄下宽的形状本实用新型中，导流凸台对物料起到“分流”作用，使物料换热、降温更均匀，改善物料的结晶均匀性；左右相邻导流凸台之间形成上宽下窄类似“V”型的卡口，该卡口能够有效支撑并卡住结晶，防止结晶脱落。
一种结晶结晶器

[发明专利]半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法-CN201310068740.4有效
发明人：迫田尚和;高松弘行;乾昌广;尾岛太 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
半导体结晶评价装置方法

[实用新型]一种连续型旋流降膜熔融结晶器-CN202220098491.8有效
发明人：康小玲;丁永良;郑伯川;郑晨;李明全 -专利权人：上海东庚化工技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型属于结晶设备领域，具体公开了一种连续型旋流降膜熔融结晶器，包括物料分布管网和若干结晶管，物料分布管网包括若干分液头，结晶管的顶部连通有旋流布膜头，旋流布膜头的内壁上设有螺旋导流槽一，旋流布膜头与分液头一一对应，且旋流布膜头与对应的分液头之间留有排空通道。本实用新型中，旋流布膜头能够使物料以旋流的方式进入结晶管内，以便物料具有周向初速度，减缓其径向聚集态势，而且排空通道能供结晶管内空气排出，更有利于物料形成旋流，从而进一步使得物料在结晶管壁上均匀成膜，使得结晶更加均匀，提高结晶厚度的均匀性，结晶不易脱落；并且本实用新型中的物料流速得以提高，从而有效缩短结晶时长，提高结晶效率。
一种连续型旋流降膜熔融结晶器

[实用新型]一种焦化粗硫胺膜结晶精制装置-CN201320833874.6有效
发明人：张春桃;王鑫;刘帮禹;王海蓉 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C01C1/24 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种焦化粗硫胺膜结晶精制装置，具体包括粗硫胺溶解釜、过滤器Ⅰ、结晶母液储罐、热交换器、过滤器Ⅱ、膜组件、结晶器以及上述设备之间的管道连接。本实用新型焦化粗硫胺膜结晶装置采用膜蒸馏蒸发浓缩硫铵结晶母液而达到过饱和，而晶体生长位于流化床结晶器，生长的硫铵晶体产品粒度大而且均匀。本实用新型焦化粗硫胺膜结晶装置可有效降低硫铵重结晶精制生产成本。
一种焦化粗硫胺膜结晶精制装置

[发明专利]结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置-CN201080039162.6无效
发明人：濑川泰生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种使用可见光区域波长的激光来形成结晶性稳定的结晶硅膜的结晶硅膜的形成方法。本发明的结晶硅膜的形成方法，包括：第一工序，形成金属膜；第二工序，在金属膜上形成绝缘膜；和第三工序，在绝缘膜上形成由多晶Si形成的结晶硅膜，在第二工序中，以160nm～190nm的膜厚范围来形成所述绝缘膜，所述第三工序包括以下工序：在所述绝缘膜上以30nm～45nm的膜厚范围来形成由a-Si形成的非晶硅膜的工序；和通过对所述非晶硅膜照射可见光区域波长的激光来形成结晶硅膜的工序。
结晶形成方法使用薄膜晶体管以及显示装置

[发明专利]结晶半导体的制造方法-CN97125255.6无效
发明人：山崎舜平;大谷久 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-10-31 - 公布日： 1998-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为覆盖非晶膜,设置构成掩模的氧化硅膜,在其上形成具有镍等促进结晶化的催化元素的覆膜,在此状态下如果进行热退火,催化元素从孔向非结晶硅膜中扩散,从而获得结晶硅膜。此硅膜具有结晶方向一致的特征。这时虽然在孔部分的硅膜上可使催化元素透过,但调整气氛与温度,形成不蚀刻硅膜厚度的氧化膜。在此工序中用卤素通过孔将硅膜中的催化元素去除,而硅的结晶性不变化。因此得到了良好的结晶性硅膜。
结晶半导体制造方法

[发明专利]一种结合静态结晶工艺提升降膜结晶双酚A收率的方法-CN201610363468.6有效
发明人：范洪明;戴伍国;万荣波;施伟民;周新;盛国峰 -专利权人：南通星辰合成材料有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C07C37/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合静态结晶工艺提升降膜结晶双酚A收率的方法，在以降膜结晶工艺分离双酚A与杂质后的降膜结晶残液送入以导热油冷却/加热操作的静态结晶器中，通过静态结晶器内部通入的导热油的持续降温冷却，双酚A在静态结晶器内壁结晶析出，残液中的双酚A含量不断减少，最后将残留在静态结晶器内部的静态结晶残液排出，再将通入静态结晶器内部的导热油进行加热升温，结晶在静态结晶器内壁的双酚A晶体被加热融化成液体，在全熔融后得到静态结晶回收双酚A，从静态结晶器排放出来，送回降膜结晶进料中。本发明操作方便，能避免将高浓度双酚A直接返回悬浮结晶单元回收处理操作，降膜结晶残液中双酚A的回收率高于65%。
一种结合静态结晶工艺提升收率方法

[发明专利]电子元件及其制造方法-CN200510052992.3有效
发明人：野口隆男;井上宪司;齐藤久俊 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
电子元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410095406.9无效
发明人：大沼英人;坂仓真之;三谷康弘;松尾拓哉;北角英人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种降膜结晶管用旋流布膜头-CN202220098466.X有效
发明人：康小玲;唐曦;梁勇军;邹志刚;唐圆桦 -专利权人：上海东庚化工技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型属于结晶设备领域，公开了一种降膜结晶管用旋流布膜头，包括布膜头本体所述布膜头本体的内壁上设有螺旋导流槽。本实用新型中，物料在螺旋导流槽的导流作用下形成旋流，因此，物料具有周向初速度，能够有效减缓物料的径向聚集态势，从而使得物料在结晶管壁上均匀成膜，进而提高结晶管上结晶厚度的均匀性，结晶不易脱落，减少能耗，且不易造成结晶管堵塞，保证发汗过程顺利进行，从而保证最终产品纯度。而且，本实用新型中物料的流速相比自然布膜时的物料流速提升了1～2倍，从而有效缩短结晶时长，提高结晶效率。
一种结晶管用流布

[发明专利]半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法-CN94112771.0无效
发明人：船井尚;牧田直树;山元良高;森田达夫 -专利权人：夏普公司
申请日： 1994-12-27 - 公布日： 1999-10-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明之半导体膜的制造方法，包含$（ａ）于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；$（ｂ）将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；$（ｃ）借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；$（ｄ）使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。
半导体薄膜使用这种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN03102284.7有效
发明人：矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN200710142234.X有效
发明人：矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]晶体管和半导体电路的制造方法-CN200510091919.7无效
发明人：张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;竹村保彦;山本睦夫 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。
晶体管半导体电路制造方法

[发明专利]一种膜结晶器-CN201410810268.1在审
发明人：刘臻 -专利权人：天津市臻默运和科技有限公司
申请日： 2014-12-21 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： B01D61/36 文献下载
摘要：本发明提供一种膜结晶器，包括料液槽、恒温水浴槽、膜组件、纯水槽、结晶器、搅拌装置、制冷机、循环泵，所述料液槽设置于恒温水浴槽内部，所述加热器位于循环泵和膜组件下侧之间，所述膜组件上侧和纯水槽、循环泵相连，所述结晶器与膜组件下侧右端相连，所述搅拌装置置于结晶器内部，结晶器底部与制冷机相连。本发明所得晶体具有更好的尺寸分布和更好的质量，解决了膜表面结晶问题。
一种结晶器