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[发明专利]一种聚甲醛薄膜及其制备方法-CN201710997805.1有效
发明人：王亚涛;李建华;马小丰;刘莉莉;郭学华 -专利权人：唐山开滦化工科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C08L59/02 文献下载
摘要：针对聚甲醛结晶速率快，结晶度高造成的成膜困难问题，通过引入线性酚醛树脂作为结晶干扰剂，降低结晶速率，延长结晶时间，以改善聚甲醛的成膜性，并采用同步双向拉伸法，防止了纵向拉伸后，快速结晶造成横向拉伸成膜困难
一种甲醛薄膜及其制备方法

[发明专利]一种结晶水电池及其制备方法-CN201811644220.2有效
发明人：张汉平;程春雷;张圣景;王亮;周佩 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01M4/60 文献下载
摘要：本发明提供一种以结晶水合物作为正极活性物质的电池及其制备方法，其中结晶水电池包括正极、负极和隔膜，正极以结晶水合物作为正极活性物质，负极以活泼金属的单质、混合物或其合金作为负极活性物质，隔膜为多孔态膜、凝胶态膜、全固态膜中的任意一种。本发明的结晶水电池以活泼金属作为负极活性物质，与正极活性物质结晶水合物发生氧化还原反应，产生电流向外供能。本发明采用易得、便储的结晶水合物作为正极活性物质，制备方法简单、原料来源广泛、成本低，具有很好的工业化前景。
一种结晶水电池及其制备方法

[发明专利]一种膜界面调控的自动晶核筛选的方法和系统-CN201910215458.1在审
发明人：贺高红;李冠男;姜晓滨;侯潇涵;李清泉;史浩楠;肖武;李祥村;吴雪梅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜界面调控的自动晶核筛选的方法和系统，属于晶体工程技术领域，所述系统为膜蒸馏‑结晶技术中利用膜的异相成核界面作用，在膜表面促发成核，通过对溶液粘度和进料流速的调控，使得不同粒度的晶体实现在膜表面的滑移、脱附进入结晶器，作为晶核进行晶体生长。晶核成批次在膜表面生长、脱附，实现晶种尺寸的自主筛选。这一方法和系统可以用于结晶控制工艺改进，实施相关理论和应用研究。
晶核膜表面膜界面筛选脱附调控理论和应用工艺改进结晶技术结晶控制界面作用进料流速晶体工程晶体生长溶液粘度异相成核结晶器膜蒸馏成核滑移晶种生长研究

[发明专利]导电性膜及其制造方法-CN201780038948.8在审
发明人：村上俊秀 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：一种导电性膜，为具有基材膜和设置在上述基材膜上的有机导电层的导电性膜，上述基材膜由树脂形成，上述树脂包含具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物，上述基材膜的厚度为5μm以上且50μm以下，上述具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物的晶化度为上述具有结晶性的含有脂环式结构的聚合物优选为双环戊二烯的开环聚合物的加氢物。
基材膜脂环式结构导电性膜结晶性聚合物树脂聚合物优选开环聚合物双环戊二烯有机导电层加氢物晶化度制造

[发明专利]结晶化高分子膜及其制造方法-CN201480031325.4有效
发明人：西川茂雄;吉田光伸 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种结晶化高分子膜，含有重均分子量为5万～100万、且在结晶化速度最快的温度下的半结晶时间在180秒～900秒的范围内的高分子(A)，所述结晶化高分子膜的通过DSC法得到的结晶度为20％～80％，依照JIS‑K7105
结晶高分子及其制造方法

[发明专利]一种多级膜控制的连续结晶方法-CN201711068489.6有效
发明人：姜晓滨;李冠男;贺高红;脱凌晗;卢大鹏;肖武;李祥村;吴雪梅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多级膜控制的连续结晶方法，属于结晶工程技术领域。待结晶溶液加入结晶釜中，开启搅拌和温控装置，同时开启冷却或溶析剂料液回路；系统稳定后，开启待结晶溶液回路，使待结晶溶液在多级膜组件中，分别进行结晶成核、结晶生长、和晶体熟化等，并循环稳定一段时间，而后将其输送至过滤装置和干燥装置中通过对待结晶溶液和冷却或溶析剂料液的流量和温度，以及对两液相的接触时间来系统调控晶核的产生和晶体的生长，从而得到理想的晶体产品。
一种多级控制连续结晶方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202110942163.1在审
发明人：香川兴司;关口贤治;米泽周平;铃木大介;竹泽由裕;松原义久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供使硅膜适当地结晶并使结晶成长的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法是一种通过热处理使硅膜结晶并使结晶成长的基片处理方法，其包括：在进行热处理前，保持形成有硅膜的基片的保持工序；和附着工序，其通过对在保持工序中保持的基片供给含金属的溶液，使金属以1.0×10cm2]以上且1.0×1020[原子/cm2]以下的范围内的附着量附着在硅膜的表面
处理方法装置

[发明专利]等离子显示面板的制造方法-CN200980100564.X无效
发明人：今中诚二;石野真一郎;宫前雄一郎;坂元光洋;大江良尚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：在电介质层(8)上形成基底膜(91)，并且在该基底膜附着由金属氧化物构成的多个结晶粒子(92a)，以使上述多个结晶粒子分布在上述基底膜的整个面上而构成的等离子显示面板的保护层(9)的制造方法，具有用于在整个面上涂敷结晶粒子的涂敷步骤，上述涂敷步骤具有下述步骤：搬运步骤，同时搬运多个前面板；定位步骤，同时对多个前面板进行定位；和印刷步骤，固定定位后的多个前面板并且将结晶粒子的膜印刷到规定的部位。
等离子显示面板制造方法

[发明专利]单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法-CN201110177039.7有效
发明人：野口仁;白井省三 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。
结晶金刚石生长基体材料以及制造方法

[发明专利]一种连铸结晶器保护渣液态、固态渣膜与气隙厚度非均匀分布的计算方法-CN201410652827.0在审
发明人：王旭东;姚曼;孔令伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：一种连铸结晶器保护渣液态、固态渣膜与气隙厚度非均匀分布的计算方法，属于钢铁冶金连铸技术领域。基于连铸生产中实时测量的结晶器铜板热电偶温度，建立结晶器传热/铸坯凝固反问题数值模型，利用实测温度反算结晶器与铸坯温度场，获得与实测温度相符的结晶器传热和铸坯凝固进程。在此基础上，结合保护渣物性参数判断结晶器与铸坯间缝隙内渣膜和气隙的存在状态，并利用反算出的铜板热面温度、铸坯表面温度以及铸坯与结晶器间的热流，计算出保护渣液渣膜、固渣膜与气隙的厚度分布。其优点是：针对实测温度的反算模型能够如实反映结晶器内的传热和凝固状况，可获得保护渣和气隙厚度非均匀分布的真实特征，为工艺优化和铸坯质量控制提供可靠依据。
一种结晶器保护液态固态厚度均匀分布计算方法

[发明专利]不同结晶度脂肪族聚酯膜的制备工艺-CN200710018328.6在审
发明人：刘保健 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种不同结晶度脂肪族聚酯膜的制备工艺，首先，在三氯甲烷中加入脂肪族聚酯，充分搅拌使脂肪族聚酯完全溶解制成混合溶液；其次，在混合溶液中加入纯水或有机溶剂混合均匀；最后，将溶液充分搅拌后静置24小时，然后控制成膜温度10－40度、湿度30－80％，得到结晶度在2－60％之间的脂肪族聚酯膜。本发明以三氯甲烷为主要溶剂，其它溶剂成分的加入纯水或有机溶剂能够控制脂肪族聚酯膜的结晶度，是一种成本非常低廉的不同结晶度的聚合物膜的制备方法，工艺方法简单。
不同结晶度脂肪聚酯制备工艺

[发明专利]一种MALDI靶板结晶辅助膜-CN201811337028.9有效
发明人：刘颖超;李顺祥;杨芃原;王梽沣;张权青 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01J49/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种MALDI靶板结晶辅助膜。结晶辅助膜包括与靶板阵列相对应的边壁孔阵列、用于防止液体在靶板表面渗漏的胶体层及防污染的离型膜。本发明将结晶辅助膜张贴于MALDI靶板表面，辅助膜的边壁孔和靶点表面形成柱形微容器。将常规样品与基质上样到微容器中，在边壁对液体表面张力作用下，二者形成的共结晶在靶点中心位置更优。
一种 maldi 板结辅助

[发明专利]半导体器件制造方法以及激光辐照设备-CN200410058844.8有效
发明人：下村明久;古山将树;小路博信 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，及在结晶半导体膜表面上形成网格图形。
半导体器件制造方法以及激光辐照设备

[发明专利]一种不同结晶度聚己内酰胺膜的制备工艺-CN200710018329.0无效
发明人：刘保健 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种不同结晶度聚己内酰胺膜的制备工艺，首先，在三氯甲烷中加入聚己内酰胺充分搅拌使其完全溶解制成混合溶液；其次，在混合溶液中加入纯水或有机溶剂混合均匀；最后，将溶液充分搅拌后静置24小时，然后控制成膜温度10－40度、湿度30－80％，得到结晶度在2－60％之间的聚己内酰胺膜。本发明以三氯甲烷为溶剂，在三氯甲烷中加入纯水或有机溶剂能够控制聚己内酰胺膜的结晶度，是一种成本非常低廉的不同结晶度的聚合物膜的制备方法，工艺方法简单。
一种不同结晶度己内酰胺制备工艺

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380078189.X在审
发明人：毛利友纪;峰利之;三木浩史;松村三江子;滨村浩孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)
半导体装置及其制造方法