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[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201110021517.5有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200780053264.1有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通微电子株式会社
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]具有涂层的取向性电磁钢板及其制造方法-CN201280064370.0在审
发明人：大久保智幸;木岛刚;渡边诚 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本发明的目的为提供一种具有磷酸系玻璃涂层的取向性电磁钢板，该取向性电磁钢板的铁损得到进一步降低。本发明的具有涂层的取向性电磁钢板具备取向性电磁钢板和涂层，所述涂层形成于上述取向性电磁钢板的表面，其含有P、Si、Cr和O元素、以及选自由Mg、Al、Ni、Co、Mn、Zn、Fe、Ca和Ba组成的组中的至少一种元素，并且5质量％以上为磷酸盐的结晶相。
具有涂层向性电磁钢板及其制造方法

[发明专利]大型平板状陶瓷烧结体及其制造方法和制造装置-CN97115163.6无效
发明人：居上英雄 -专利权人：株式会社粘土烧结陶瓷
申请日： 1997-07-25 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： C04B33/22 文献下载
摘要：本发明涉及利用针状矿物增强组织、而且具有均匀取向组织的大型平板状烧结体及其制造方法和装置。本发明为了强化陶坯土中的针状结晶矿物的取向性，使用含有是针状结晶矿物的β-CaO·SiO2的、长宽比是20以下的硅灰石作为原料。再者，作为装置使用可开发的使和泥机的挤出部的型芯轴自由旋转式的和泥机，为增强针状结晶的取向性，进而使用扭曲回复的辊子，使取向性达到最高。其结果抗弯强度是以往的2倍以上。
大型平板陶瓷烧结及其制造方法装置

[发明专利]方向性电磁钢板-CN202010987608.3在审
发明人：今村猛;新垣之启;末广龙一;高宫俊人 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明涉及铁损特性优异的方向性电磁钢板，其在对含有Si：2～5质量％的冷轧后的钢板进行一次再结晶退火、二次再结晶的最终退火而制成方向性电磁钢板时，通过在上述一次再结晶退火的加热过程中进行急速加热，并且以上述加热中途的温度进行数秒钟的保持处理(保定処理)，从而使得二次再结晶晶粒的晶体取向与高斯取向的取向差角的分布具有多个峰，且优选上述多个峰中的取向差角第2小的峰的取向差角为5°以上，二次再结晶晶粒的粒径为15mm以下而成。
方向性电磁钢板

[发明专利]方向性电磁钢板-CN201380063743.7有效
发明人：今村猛;新垣之启;末广龙一;高宫俊人 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁损特性优异的方向性电磁钢板，其在对含有Si：2～5质量％的冷轧后的钢板进行一次再结晶退火、二次再结晶的最终退火而制成方向性电磁钢板时，通过在上述一次再结晶退火的加热过程中进行急速加热，并且以上述加热中途的温度进行数秒钟的保持处理(保定処理)，从而使得二次再结晶晶粒的晶体取向与高斯取向的取向差角的分布具有多个峰，且优选上述多个峰中的取向差角第2小的峰的取向差角为5°以上，二次再结晶晶粒的粒径为15mm以下而成。
方向性电磁钢板

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201110021520.7有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明半导体装置的制造方法以及半导体装置,形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]无取向性电磁钢板用热轧钢板-CN202180008097.9有效
发明人：市江毅;有田吉宏 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：一种无取向性电磁钢板用热轧钢板，具有以下特征：以质量％计含有：C：0.0010～0.0050％、Si：1.90％～3.50％、Al：0.10％～3.00％、Mn：0.05～2.00％、P：0.10％以下、S：0.005％以下、N：0.0040％以下、B：0.0060％以下；剩余部分由Fe和杂质构成；在无取向性电磁钢板用热轧钢板的板宽方向端部，结晶晶界的C浓度(原子％)是P浓度(原子％)的3.0倍以上；无取向性电磁钢板用热轧钢板的结晶晶界的C浓度(原子％)是晶粒内C浓度的3.5倍以上。
向性电磁钢板热轧

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置-CN202110149865.4在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
金属氧化物半导体装置以及显示装置

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置-CN201680079190.8有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
金属氧化物半导体装置以及显示装置

[发明专利]无取向性电磁钢板和无取向性电磁钢板的制造方法-CN201680076599.4有效
发明人：上坂正宪;千田邦浩;大村健 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供即使在逆变器励磁下铁损也优良、能够适合用作电动机的铁芯的无取向性电磁钢板。一种无取向性电磁钢板，其具有特定的成分组成，平均结晶粒径r为40～120μm，结晶粒径为板厚的1/6以下的晶粒的总面积相对于钢板的截面积的面积率R为2％以上，并且，上述平均结晶粒径r(μm)和上述面积率
向性电磁钢板制造方法

[发明专利]铁损低而且磁通密度高的无取向性电磁钢板及其制造方法-CN00133842.0有效
发明人：早川康之;黑泽光正;河野正树;小松原道郎;小森优佳;田村和章 -专利权人：川崎制铁株式会社
申请日： 2000-09-01 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于电器铁芯材料的无取向性电磁钢板及其制造方法。同时达成低铁损和高磁通密度的新的无取向性电磁钢板及其制造方法。即，本发明是含Si：1.5～8.0％(质量)及Mn：0.005～2.50％(质量)，且将C、S、N、O及B为0.200以下，铁损低且磁通密度高的无取向性电磁钢板。且平均晶粒粒径为50～500μm、结晶面方位为由轴15°以内的晶粒在钢板表面的面积率为20％以下。含有微量的Al、Sb、Ni、Sn、Cu、P和Cr等。以及上述无取向性电磁钢板的制造方法。
铁损低而且密度向性电磁钢板及其制造方法

[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-CN201210086440.4有效
发明人：入泽寿和;桥本笃志 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，能够进行进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法。所述磁记录介质的制造方法是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上方的层的取向性的取向控制层(11)、易磁化轴相对于非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其中，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成取向控制层(11)的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成取向控制层(11)，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层
记录介质制造方法再生装置

[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置-CN200880007478.X无效
发明人：坂口龙二;黑川刚平;佐佐木有三;小松田辰;A·K·辛格 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再现的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。这样的垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中，所述基底层为fcc结构的(111)结晶取向层，所述中间层依次包含bcc结构的(110)结晶取向层和hcp结构的(002)结晶取向层。另外，所述bcc结构的(110)结晶取向层含有60原子％以上的Cr。
垂直记录介质制造方法以及再现装置

[发明专利]取向性电磁钢板的制造方法-CN201480052914.0有效
发明人：竹中雅纪;今村猛;早川康之;新垣之启 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种取向性电磁钢板的制造方法，该方法通过以下的一系列工序来制造取向性电磁钢板对钢坯加热后，进行热轧，根据需要实施热轧板退火，然后通过1次冷轧或其间夹有中间退火的2次以上的冷轧而成为最终板厚，接着实施一次再结晶退火，再实施二次再结晶退火，所述钢坯的组成围以质量％计，含有C0.0005～0.005％、Si2.0～4.5％、Mn0.005～0.3％、S和/或Se(总计)0.05％以下、酸溶Al0.010～0.04％、N0.005％以下，余量为Fe及不可避免的杂质，此时，通过将即将进行最终冷轧之前的钢板的时效指数AI设为70MPa以下，能够在无需含有较多C的限制下使高斯取向晶粒有效地生长，从而得到具有良好的磁特性的取向性电磁钢板
向性电磁钢板制造方法

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