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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物-CN201680050482.9有效
发明人：李昇勋;李昇炫;尹相雄;崔映喆 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及本发明涉及耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物，更详细地说，本发明提供I线用负性光致抗蚀剂组合物比于现有的I线用负性光致抗蚀剂体现优秀的耐蚀刻性，因此适合于半导体工艺。
蚀刻优秀线用负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]用于改善中心-边缘之间的台阶差和LER的I-线用负性光致抗蚀剂组合物、及用于改善工艺余裕的I-线用负性光致抗蚀剂组合物-CN202180064462.8在审
发明人：李秀珍;崔映喆;李昇炫;李昇勋 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种相比于现有的I‑线用负性光致抗蚀剂显示出优异的工艺余裕的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物。涉及一种在半导体工艺的图案形成工艺中用于改善中间部分凹陷的中心‑边缘之间的台阶差和LER(Line and Edge Roughness：线边缘粗糙度)的I‑线用负性光致抗蚀剂组合物，所述I‑线用负性光致抗蚀剂组合物为由聚合物树脂、由下述化学式1表示的化合物、交联剂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂及溶剂组成的组合物。
用于改善中心边缘之间台阶 ler 线用负性光致抗蚀剂组合工艺余裕

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物-CN200480012725.7无效
发明人：广崎贵子;新堀博 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种负性光致抗蚀剂组合物，该组合物用于这样形成图案的方法中：其中将底层膜置于基片上，含有负性光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀层置于所述底层膜上面，该光致抗蚀膜被选择地曝光，然后所述底层膜和所述光致抗蚀膜同时经受显影处理，而且该组合物包括(A)碱可溶性树脂，(B)用射线辐照时生成酸的酸生成剂，和(C)交联剂，该组合物的特征在于所述酸生成剂(B)包括含有无亲水基阳离子的鎓盐。该负性光致抗蚀剂组合物可以形成分辨率改善的抗蚀图案。
负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]用于EUV负性光致抗蚀剂的低排气和非－交联聚合物系列-CN200480039655.4无效
发明人： W·岳;H·曹;马尼什·钱德豪克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本文描述了不基于交联化学反应的化学放大的负性光致抗蚀剂的一系列结构。所述光致抗蚀剂可以包括：与环烯烃共聚合的第一芳族结构，其中所述环烯烃用二醇官能化。所述光致抗蚀剂还可以包括光酸产生剂(PAG)。当所述负性光致抗蚀剂的至少一部分被曝光(EUV或UV辐射)时，PAG释放酸，所述酸与官能化的二醇反应以重排成酮或醛。然后，新的酮或醛在显影溶液中较少溶解，导致负性光致抗蚀剂。
用于 euv 负性光致抗蚀剂排气交联聚合物系列

[发明专利]制作具有底切侧壁的抗蚀剂结构的方法-CN201480044078.1有效
发明人：格哈德·埃尔姆斯泰纳;雷蒙德·霍夫曼 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：方法包括以下步骤：将负性光致抗蚀剂层(2)施加在底层(1)上；为负性光致抗蚀剂层提供布置在要制作的抗蚀剂结构(3)的边界区(4)中的图案；根据要制作的抗蚀剂结构辐照负性光致抗蚀剂层的表面区域；以及去除受辐照表面区域外部的负性光致抗蚀剂层
制作有底侧壁抗蚀剂结构方法

[发明专利]有选择地覆盖微机加工表面的方法-CN03824005.X有效
发明人：雷纳多·康塔;艾尔玛·迪赛格纳 -专利权人：好利获得I－JET股份公司
申请日： 2003-09-11 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：在表面有蚀刻的模具上，首先敷设一层负性光致抗蚀剂，借助于曝光和随后的显影，其只在蚀刻上留下；然后，在负性光致抗蚀剂上，敷设一层正性光致抗蚀剂，其受到曝光和显影以产生在薄膜上沉积的功能性几何形状；随后在“剥离”操作中去除正性光致抗蚀剂，并在等离子操作中去除负性光致抗蚀剂，由此展现蚀刻。
选择覆盖微机加工表面方法

[发明专利]通过负性显影形成光刻图形的方法-CN201210597633.6有效
发明人： Y·C·裴;孙纪斌;李承泫;朴钟根;C·安德斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：通过负性显影形成光刻图形的方法。提供了一种通过负性显影形成光刻图形的方法，包含：(a)提供包含一个或多个待图形化的层的基材；(b)在所述一个或多个待图形化的层上施加光致抗蚀剂组合物层；(c)在光化辐射下图形化曝光所述光致抗蚀剂组合物层；(d)在曝光后烘烤过程中加热曝光后的光致抗蚀剂组合物层；和(e)用有机溶剂显影液显影曝光后烘烤的光致抗蚀剂组合物层，从而形成光致抗蚀剂图形，其中，所述光致抗蚀剂组合物包含一种聚合物。
通过显影形成光刻图形方法

[发明专利]用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物-CN201680043047.3有效
发明人：李昇勋;李昇炫;尹相雄;李秀珍;崔映喆 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物。更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光源中具有高透明度、高分辨率，同时具有优秀的轮廓
用于形成半导体图案 krf 激光用负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]制造单体喷墨打印头的方法-CN02150355.9无效
发明人：金泰均;曹瑞铉;郑明松;金敬镒;朴性俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-11-05 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：该方法包括在衬底表面形成通过加热墨汁来产生气泡的加热元件，在其上形成加热元件的衬底上涂敷设定厚度的负性光致抗蚀剂。然后，利用第一光掩模正射曝光并固化负光致抗蚀剂的一部分，此部分形成包围墨腔和限流器的油墨通道成型壁的侧壁，该光掩模上形成有墨汁通道的墨腔和限流器的图样。随后，利用制有喷嘴图样的第二光掩模曝光负性光致抗蚀剂的一部分，且只将该部分固化至设定厚度，该部分形成墨汁通道成型壁的顶壁。最后，用溶剂溶解去除负光致抗蚀剂上未被固化的部分。本方法能形成其元件通过利用单一负光致抗蚀剂的简化工艺整体形成的喷墨打印头。
制造单体喷墨打印头方法

[发明专利]用于胶版印刷的铅版的制造方法以及用于胶版印刷的铅版-CN201680004462.8有效
发明人：孙镛久;李承宪 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B41C1/10 文献下载
摘要：所述用于胶版印刷的铅版的制造方法包括以下步骤：在基板上形成遮光掩模图案；在上面形成有遮光掩模图案的基板上形成负性光致抗蚀剂层；通过向基板施加光来使负性光致抗蚀剂层曝光；以及通过使曝光后的负性光致抗蚀剂层经受显影来形成具有突出凸雕部分和显影凹槽图案的负性光致抗蚀剂图案层，其中负性光致抗蚀剂层的平均厚度为3μm以上，负性光致抗蚀剂图案层具有线宽不同的至少两种凹槽图案，并且所述至少两种凹槽图案之间的线宽差为10μm以上且所述至少两种凹槽图案彼此连接。
用于胶版印刷铅版制造方法以及

[发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
发明人：金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。
模组制造方法

[发明专利]具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物-CN201780019170.6有效
发明人：李昇勋;李昇炫;李秀珍;崔映喆 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及用具有高分辨率和高纵横比的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物；更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂
具有高分辨率纵横 krf 激光用负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]化学放大型负性光致抗蚀剂组合物-CN201780029609.3有效
发明人：李昇勋;李昇炫;李秀珍;崔映喆 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及化学放大型负性光致抗蚀剂组合物，更详细地说，公开了包含特定有机酸添加物，因此相比于现有的负性光致抗蚀剂改善短波长曝光光源中的工艺裕度，适合应用于半导体工艺的化学放大型负性光致抗蚀剂组合物。
化学大型负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物-CN200610072012.0无效
发明人：金玟秀;李学俊;朴赞硕 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种负性光致抗蚀剂组合物，具体地说，本发明提供了一种包含聚(2－乙基－2－噁唑啉)、叠氮化物类光敏剂和纯水的负性光致抗蚀剂组合物。本发明的负性光致抗蚀剂组合物可以防止环境危害，当应用于CRT的B/M生产过程、荫罩生产过程等时可代替采用Cr的光致抗蚀剂，并且可以在曝光时通过适当地选择光使光吸收带符合加工条件，从而增加感光度，使得可以得到具有优异粘附性和分辨率的点状/条状光致抗蚀剂膜。
负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物及使用方法-CN201580043882.2有效
发明人：安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本文的组合物和方法包括负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物和使用这样的组合物的方法。这包括可使用负性显影剂显影的正性光致抗蚀剂，因为所述正性光致抗蚀剂的未曝光部分可被一种或更多种负性显影剂溶剂溶解。一个实施方案包括几乎没有或者没有蚀刻抗性的负性显影剂相容性的光致抗蚀剂。如本文所述的非抗性光致抗蚀剂材料可以包括一种或更多种辐射敏感属性(例如，所述光致抗蚀剂可以被图案化、去保护、溶解度改变、与光化学品相互作用并且响应于曝光剂量)，除了这些材料实际上无蚀刻抗性之外。这样的组合物可实际上不含提供或提高对湿法或干法蚀刻工艺的蚀刻抗性的组分、官能团或添加剂。
显影剂相容性光致抗蚀剂组合使用方法

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