专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器-CN202111331624.8在审
  • 曾丽珍;徐燕萍;肖功利;杨宏艳 - 桂林电子科技大学
  • 2021-11-11 - 2022-01-18 - G01N21/59
  • 本发明公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器,包括二氧化硅衬底,以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元;每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成;金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙;金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形;金属纳米棒为矩形;金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向,且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本发明通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子,两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数,可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控,并获得高灵敏度。
  • 基于缺陷圆盘耦合纳米结构spr传感器
  • [实用新型]基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器-CN202122754551.5有效
  • 曾丽珍;徐燕萍;肖功利;杨宏艳 - 桂林电子科技大学
  • 2021-11-11 - 2022-04-12 - G01N21/59
  • 本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器,包括二氧化硅衬底,以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元;每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成;金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙;金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形;金属纳米棒为矩形;金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向,且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子,两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数,可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控,并获得高灵敏度。
  • 基于缺陷圆盘耦合纳米结构spr传感器
  • [发明专利]一种基于T形对和纳米线对的光学传感器-CN201710907474.8有效
  • 王俊俏;高念;张佳;袁栋栋;吴亚南 - 郑州大学
  • 2017-09-29 - 2023-06-16 - G01N21/41
  • 本发明涉及一种基于T形对和纳米线对的光学传感器,包括电介质层、金属纳米结构和基底,金属纳米结构为二聚体结构,金属纳米结构包括设置于基底上的线型金属纳米对和位于线型金属纳米对之间的T型金属纳米对,各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离与两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等,所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等,T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等,T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。
  • 一种基于纳米光学传感器
  • [实用新型]基于T形对和纳米线对的光学传感器-CN201721265139.4有效
  • 王俊俏;高念;张佳;袁栋栋;吴亚南 - 郑州大学
  • 2017-09-29 - 2018-04-03 - G01N21/41
  • 本实用新型涉及基于T形对和纳米线对的光学传感器,包括电介质层、金属纳米结构和基底,金属纳米结构为二聚体结构,金属纳米结构包括设置于基底上的线型金属纳米对和位于线型金属纳米对之间的T型金属纳米对,各所述T型金属纳米线的横边的两端与相应的线型金属纳米线之间的距离与两个T型金属纳米线各自的纵边之间的距离相等,所述线型金属纳米线的长度与T型金属纳米线的横边的长度相等,T型金属纳米线的纵边的宽度和横边的宽度以及线型金属纳米线的宽度相等,T型金属纳米线的高度与线型金属纳米线的高度相等。
  • 基于纳米光学传感器
  • [发明专利]触控面板及其制造方法-CN201810706419.7有效
  • 董强 - 广州国显科技有限公司
  • 2018-06-30 - 2022-12-02 - G06F3/044
  • 本发明提供了一种触控面板及其制造方法,所述触控面板的制造方法包括:提供一基板;在所述基板上涂布纳米金属线以形成纳米金属线导电层;图案化所述纳米金属线导电层以形成纳米金属线导电结构;及在所述纳米金属线导电结构中形成固定结构,以使所述纳米金属线导电结构中的纳米金属线之间固定连接。通过在纳米金属线导电结构中形成固定结构,以使纳米金属线导电结构中的纳米金属线之间固定连接,由此可以使得纳米金属线导电结构中的纳米金属线之间能够可靠连接,从而提高了纳米金属线导电结构的灵敏度及导电能力。
  • 面板及其制造方法
  • [发明专利]制备纳米金属材的方法及其制得的纳米金属-CN201410015483.2有效
  • 王浡生;林岳辉;徐嘉泽;潘建亮 - 仙资堂生技股份有限公司;林岳辉;徐嘉泽;潘建亮
  • 2014-01-14 - 2017-04-12 - B22F9/30
  • 一种制备纳米金属材的方法及其制得的纳米金属材,该制备纳米金属材的方法包含以下步骤将一种或多种金属叠氮化合物置于一密闭环境中;施予一驱动能,以激发该金属叠氮化合物进行爆轰反应;接着,进行急速降温处理,即可获得该纳米金属材;该金属叠氮化合物是叠氮化银、叠氮化铜、叠氮化锌、叠氮化铅、叠氮化金、叠氮化锆或叠氮化铈;该纳米金属材是纳米金属纳米金属合金;当使用一种金属叠氮化合物时,该纳米金属材为纳米金属;及当使用多种金属叠氮化合物时,该纳米金属材为纳米金属合金。该纳米金属材是由前述制备纳米金属材的方法所制。本发明制法简单、成本低且可快速生产,同时符合节能的环保概念。
  • 制备纳米金属方法及其
  • [发明专利]一种完美吸收体涂层及其制备方法-CN201910269793.X有效
  • 高俊华;臧睿;曹鸿涛;胡海搏 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2019-04-04 - 2020-12-11 - C23C14/14
  • 本发明公开了一种完美吸收体涂层,自衬底向外依次包括金属反射层、电介质层、金属纳米线阵列‑陶瓷复合层、金属纳米颗粒‑陶瓷复合层以及电介质减反射层;所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中,金属纳米线阵列垂直分布在陶瓷相中,金属纳米线的直径不小于3.5nm,高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同,相邻金属纳米线的间距为1~15nm,金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的体积百分数为20%~60%;所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层中,金属纳米颗粒弥散均匀分布于陶瓷相中,金属纳米颗粒的直径4~15nm,占所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层的体积百分数为5%~45%。
  • 一种完美吸收体涂层及其制备方法
  • [发明专利]金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的制造方法-CN200910200533.3有效
  • 张源;向群;徐甲强;许鹏程 - 上海大学
  • 2009-12-22 - 2010-06-16 - B82B1/00
  • 本发明涉及一种金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的制造方法。该方法的具体步骤为:将贵金属纳米晶均匀分散在溶剂中,再滴加到2-巯基乙基磷酸的乙醇溶液中,过夜反应,得到磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液;将金属氧化物纳米线加入到该磷酸功能化的贵金属纳米晶溶液中,过夜反应,经过滤,并用乙醇和去离子水洗涤,即得到金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料。本发明方法采用2-巯基乙基磷酸(2-MEPA)作为联结剂,使贵金属纳米晶和金属氧化物纳米线能够通过功能性有机基团结合;通过调节贵金属纳米晶的尺寸及其在金属氧化物纳米线表面分散状态,进而调控金属氧化物纳米线/贵金属纳米晶复合材料的光、电、催化及敏感特性。
  • 金属氧化物纳米贵金属复合材料制造方法

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