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[发明专利]一种冶金级多晶硅掺磷吸杂的方法-CN201510129336.2在审
发明人：苏旭平;宋媛媛;王俊文;刘亚;曹达纯;王建华 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种冶金级多晶硅生产过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法，主要技术方案为：将掺磷后的冶金级多晶硅置于赤磷熔点以下温度300～590℃退火0.5～5小时，使磷在冶金级多晶硅中分布均匀，然后将冶金级多晶硅置于该方法利用磷在高温半导体内部的扩散，硅晶体中的硅-自间隙原子增多，为金属杂质从替代位置移动到间隙位置提供条件，从而加快金属杂质的扩散。最终，在退火过程中，使金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放，并扩散到冶金级多晶硅表面而被捕获，最终到达吸杂的目的。本发明提供的一种冶金硅磷吸杂方法，掺磷吸杂效果较好、工艺较简单、成本较低，适合于工业化生产。
一种冶金多晶硅掺磷吸杂方法

[实用新型]一种用于三氯氢硅精馏提纯的装置-CN201920822681.8有效
发明人：何瑞;李力;葛冬松;谢岩;童贵;王苏俊 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于三氯氢硅精馏提纯的装置，包括依次串联的除硼吸附器、一级精馏塔、二级精馏塔、除磷吸附器和三级精馏塔；除硼吸附器主要用于去除原料氯硅烷中的硼杂质，同时去除部分磷杂质和金属杂质；一级精馏塔为隔壁塔，可以同时从塔顶切除二氯二氢硅，从塔釜切除四氯化硅，从塔中侧线采出已脱去低沸物和高沸物的、纯度达99％～99.99％的三氯氢硅；二级精馏塔为隔壁塔，可以分别从塔顶和塔釜同时去除三氯氢硅中的轻组分杂质和重组分杂质；除磷吸附器主要用于去除三氯氢硅中的磷杂质，同时去除部分硼杂质和金属杂质；三级精馏塔再次脱除三氯氢硅中的重组分杂质，得到合格的三氯氢硅。
一种用于三氯氢硅精馏提纯装置

[发明专利]一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺-CN201510823969.3在审
发明人：柯汉奇;张鹏;许国华;陈静 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺，涉及电子级多晶硅生产领域。经过精馏提纯的液相三氯氢硅首先进入汽化器，经过加热后汽化，汽化后的三氯氢硅温度为40～110℃；气相三氯氢硅进入固定床对硼和磷元素杂质进行吸附，得到高纯三氯氢硅。本发明实现了三氯氢硅通过吸附过程去除硼、磷元素杂质的工艺方法，大幅降低了三氯氢硅中的含硼和磷元素杂质的含量，提升了三氯氢硅的品质，突破了国外的技术垄断，可为未来实现稳产电子级多晶硅奠定基础。
一种三氯氢硅中 ppb 元素杂质吸附杂工

[发明专利]高硅磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏的方法-CN201410069087.8有效
发明人：龚家竹 -专利权人：龚家竹
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C01B25/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏的方法，由含高硅磷矿粉进入1级以上逆流分解反应槽进行1级以上逆流分解反应及稠厚，所述逆流分解反应槽由分解反应槽和稠厚分级器组成；经逆流分解反应及稠厚后的物料一部分进入沉淀结晶槽与硫酸进行沉淀结晶反应后制取磷酸和低硅磷石膏，另一部分进入固液分离机进行固液分离，再一部分返回第一级分解反应槽与高硅磷矿粉进行反应。解决了生产湿法磷酸时副产磷石膏中硅含量太高的难题，提高了副产磷石膏的产品质量，且降低了磷石膏中硅含量，消除了因硅含量对磷石膏开发应用的影响因素，为全方位的利用磷石膏打下了坚实的资源基础，增加了生产者的经济效益，消除了磷石膏堆放处理的环保难题。
磷矿生产磷酸副产低硅磷石膏方法

[发明专利]一种物理除磷制备多晶硅的方法及设备-CN201010286544.0有效
发明人：苏文华;李胜路 -专利权人：江西盛丰新能源科技有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种物理除磷制备多晶硅的方法及设备，公布了一种使用物理方法降低冶金级硅中磷含量的方法和设备。该方法主要利用磷的物理特性，经过将冶金级硅在特定的环境下将磷去除，使其达到太阳能级硅的要求，同时设计出了一种带微孔搅拌托盘的与上述方法配套使用的设备。本发明过程简单，效率高，且节能环保，适合推广使用。
一种物理制备多晶方法设备

[发明专利]一种冶金级硅中磷和硼的去除方法-CN201010177776.2有效
发明人：陈朝;何发林;陈文辉;庞爱锁;罗学涛 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅
一种冶金级硅中磷去除方法

[发明专利]快速分析钨铁中钨锰铜硅磷的方法-CN201910668506.2有效
发明人：唐芳;阳益军;刘健;余洪信;胡翔 -专利权人：衡阳华菱钢管有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速分析钨铁中钨锰铜硅磷的方法。该方法包括以下步骤：采用钨铁标准样品、铁含量高于99.99wt％的高纯铁及硅锰铜磷的标准溶液作为标准原料，配置不同浓度的钨锰铜硅磷标准样品；采用第一酸溶液将标准样品溶解，形成标准溶液；采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪测量标准溶液中钨锰铜硅磷的谱线强度，以元素浓度为横坐标，谱线强度为纵坐标，绘制校准曲线；选取校准曲线中各元素的灵敏级或次灵敏级谱线作为分析线；采用与第一酸溶液相同的第二酸溶液溶解待测钨铁样品，得到样品溶液；测量样品溶液中钨锰铜硅磷的谱线强度，根据分析线得到钨锰铜硅磷含量。本法能有效测定钨铁中多种元素，准确度较高，方法简单快捷。
快速分析钨铁中钨锰铜硅磷方法

[发明专利]氢气中痕量磷杂质的检测装置及检测方法-CN201610964088.8有效
发明人：刘文明;张鹏;田洪先;刘强;孟凡江;贺璨;帅安强;黄宗武 -专利权人：中国南玻集团股份有限公司;宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢气中痕量磷杂质的检测装置及检测方法，其先采用变温浓缩装置对氢气中的磷杂质进行浓缩，然后将其解吸后用气相色谱仪FPD检测器检测磷杂质的峰面积，外标法定量，检出限低至亚ppb级，能满足电子级多晶硅对氢气的质量要求能准确检测多晶硅生产用氢气中痕量磷杂质的含量，对多晶硅产品质量控制具有重要意义。
氢气痕量杂质检测装置方法

[发明专利]一种氟化钾滤液膜法脱硅脱磷方法-CN201410322014.5有效
发明人：董正军;蒋林煜;王如顺;陈俊祥 -专利权人：厦门嘉戎技术股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C01D3/14 文献下载
摘要：本发明公开一种氟化钾滤液膜法脱硅脱磷方法，将氟化钾压滤液输送至保安过滤器进行预处理，再输送至超滤膜内进行膜过滤，处理后的料液存储在超滤产水灌中；经超滤膜处理后的料液经保安过滤器进入增压泵，输送至纳滤膜进行一级处理，在高压驱动下，绝大部分料液透过纳滤膜由一级产水罐收集，硅、磷杂质保留在浓缩液，浓缩液回流到超滤产水灌进行循环；经过一级纳滤膜处理后的产水经过保安过滤器进入增压泵，输送至纳滤膜进行二级处理，在高压的驱动下，绝大部分料液透过纳滤膜由二级产水罐收集，硅、磷杂质保留在浓缩液，收集浓缩液并回到一级处理进行循环。本发明有效去除氟化钾滤液中的硅、磷杂质，提高氟化钾纯度，回收率较高，减少氟化钾损失。
一种氟化钾滤液膜法脱硅脱磷方法

[发明专利]一种含磷硅阻燃剂及其制备方法-CN201910450522.4有效
发明人：王标兵;乔艺卉 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：本发明属于有机化合物合成领域，具体公开了一种含磷硅阻燃剂及其制备方法。本发明所公开的含磷硅阻燃剂的制备方法如下：将苯基磷酰二氯与端羟基硅油反应，通过取代苯基磷酰二氯的两个氯原子，制备出新型无卤高效含磷硅阻燃剂。本发明提供的含磷硅阻燃剂的制备方法，操作简单，合成条件温和，成本较低，产品产率较高。将制得的阻燃剂添加到聚碳酸酯中，垂直燃烧测试可以达到UL94 V‑0级。
一种含磷硅阻燃及其制备方法

[发明专利]阻燃尼龙及其制备方法-CN202310247143.1在审
发明人：李娟;张伟;郭正虹 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻燃尼龙及其制备方法，所述阻燃尼龙包括：尼龙；磷‑氮‑硅交联聚合物，所述磷‑氮‑硅交联聚合物为含磷‑氮的二酸单体和含硅的环氧单体在催化剂作用下的反应产物，包括环氧基和羧基发生酯交换反应形成的β‑羟基酯键；以及所述磷‑氮‑硅交联聚合物与所述尼龙部分发生熔融混炼反应的生成物，其中，所述生成物包括所述β‑羟基酯键与尼龙中的酰胺键的交换产物，以及尼龙中的氨基和羧基、磷‑氮‑硅交联聚合物中的羟基与环氧基反应的扩链产物本申请所述的磷‑氮‑硅交联聚合物阻燃尼龙的极限氧指数大于30％，UL‑94达V0等级，燃烧过程中没有熔滴滴落。
阻燃尼龙及其制备方法

[发明专利]含氟硅磷抗滴落阻燃聚对苯二甲酸乙二醇酯的制备方法-CN201110288061.9有效
发明人：徐康林;陈维敏;梁倩倩;唐安斌 -专利权人：四川东方绝缘材料股份有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C08G63/695 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟硅磷抗滴落阻燃聚对苯二甲酸乙二醇酯的制备方法，其特征是：将含磷共聚型阻燃剂预聚合反应，合成含磷共聚型阻燃剂预聚体；将环三氟烷基硅氧烷与八烷基环四硅氧烷进行脱水反应，再加入二羟基硅氧烷、催化剂A反应，合成二羟基氟硅氧烷；将对苯二甲酸与乙二醇进行酯化反应后，加入催化剂B、稳定剂，加入含磷共聚型阻燃剂预聚体和二羟基氟硅氧烷，进行缩聚反应，反应结束后经水冷却切粒，即制得含氟硅磷抗滴落阻燃聚对苯二甲酸乙二醇酯采用本发明，制得的产物同时具有高阻燃性能和抗滴落性能，可作为生产阻燃性能达94ULV-0级或VTM-0级薄膜、阻燃Ⅰ级及以上阻燃纤维及纺织品、V0级阻燃塑料制品的原料。
含氟硅磷抗滴落阻燃对苯二甲酸乙二醇制备方法

[发明专利]基于硅线阵列掺磷的芯壳型结构太阳能电池及其制备方法-CN201010222991.X有效
发明人：郭宁;韦进全;许颖;舒勤科;宋爽;勾宪芳;于晓明;冯维希;朱宏伟;王昆林;吴德海 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了属于硅材料器件、微米材料及太阳能电池应用技术领域的基于硅线阵列掺磷的芯壳型结构太阳能电池及其制备方法。本发明的芯壳型太阳能电池是由边长或者直径在微米量级、高度在微米量级、硅线间距可调控的硅线阵列组成。硅线阵列具有规则的形貌，光滑的表面，均匀的高度，较好的光吸收效率等优点。该硅线阵列由P型硅通过掺磷工艺，制备出外表为掺磷硅层(呈N型)，芯部为呈P型硅层的芯壳型结构，实现了在1×1cm2面积上分布一百万个微米级太阳能电池并联的结构。掺磷工艺中，通过控制鼓入氮气和氧气的体积比，掺磷温度和掺磷时间等来实现掺磷层厚度的控制。本发明的电池转换效率达到9.22％。
基于阵列芯壳型结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法-CN202210463712.1有效
发明人：罗大伟;高子杰;邓佳宝;荣科 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法，属于高纯硅生产领域。本发明采用无机氯化锌作为除杂媒介，在高温下迅速分解为锌离子和氯离子，在与硅熔体接触的过程中杂质磷、硼会与锌离子和氯离子发生反应生成低熔点和高熔点的化合物，低熔点的化合物在硅炉外精炼的高温下挥发逸出工业硅熔体，而高熔点的化合物随着硅凝固后偏析与晶界处，破碎后采用酸洗除去，或者下沉到硅熔体最底部，当硅熔体凝固后，通过切除硅锭底部位置的沉积层除去。本发明方法操作简单，能耗低，只需加入氯化锌一种物质一次性即可除去硅中的磷、硼，且不引入新的杂质，加入的除杂媒介氯化锌来源广泛，成本低，除磷、硼后的硅符合太阳级硅对杂质含量的要求。
一种精炼去除工业硅熔体中磷杂质方法

[发明专利]一种循环氢气再纯化的方法及装置-CN201510820198.2在审
发明人：张鹏;田洪先;刘强;吴学林 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C01B3/56 文献下载
摘要：本发明提供的一种循环氢气再纯化的方法及装置，涉及多晶硅生产领域。将循环氢气通过吸附除杂，使氢气中硼和磷元素杂质含量由10 ppba降至0.1 ppba以下的一种方法及装置。具体是将循环氢气首先通入氢气冷却器进行冷却，将氢气冷却至0～30℃之间，进入一级吸附反应柱，吸附去除含硼元素为主的杂质；经过一级吸附后的循环氢气再进入氢气深冷器，将氢气冷却至-88～-68℃之间，进入二级吸附反应柱，吸附去除含磷元素为主的杂质。本发明实现循环氢气的吸附反应去除硼、磷元素等有害杂质，大幅降低了氢气中的含硼、磷元素杂质的含量，提升了循环氢气的品质，使改良西门子法稳产电子级多晶硅成为可能，突破了国外的技术封锁。
一种循环氢气纯化方法装置

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