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- [发明专利]高精度电压基准电路-CN200910023592.8无效
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刘成;魏廷存;孙井龙
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西安龙腾微电子科技发展有限公司
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2009-08-14
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2010-03-10
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G05F3/24
- 本发明公开了一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特点是还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOSNMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强型NMOS晶体管M5的源极和负电源VSS相连接，增强型NMOS晶体管M5的栅极即为电压基准的输出端由于耗尽型NMOS晶体管M3和耗尽型NMOS晶体管M4组成共源共栅电路，具有很高的输出阻抗，从而稳定了电压基准的输出。
- 高精度电压基准电路
- [实用新型]高精度基准电压源-CN201420541253.5有效
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李启龙;邱德华;单来成;尚绪树;桑涛;宋金凤
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山东力创科技有限公司
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2014-09-22
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2014-12-31
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G05F3/20
- 本实用新型公开了高精度基准电压源，包括由PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1组成的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的带隙基准电压源电路与由NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5组成的低温漂控制开关连接；带隙基准电压源电路的输出端与输出调整电路连接；输出调整电路包括第二运算放大器OP2，电阻R10、R11，电阻串序列R12，NMOS开关阵列MN6，NMOS开关阵列MN6为输出电压开关。该高精度基准电压源，在遇到失配、工艺偏差等非理想状况时，输出基准电压精度高，可以广泛应用于模数转换器、数模转换器等需要高精度基准电压的模拟电路。
- 高精度基准电压
- [发明专利]高精度恒流源装置-CN202111111191.5在审
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桑泉;陈雪山
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华东光电集成器件研究所
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2021-09-23
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2021-12-14
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G05F1/56
- 本发明涉及一种高精度恒流源装置，包括高精度基准电压源、第一电压跟随器、第二电压跟随器与高精度低温漂电阻，高精度低温漂电阻的两端分别连接第一电压跟随器的同相输入端与第二电压跟随器的输出端，第一电压跟随器的输出端作为基准电压源的地端，基准电压源的输出端连接第二电压跟随器的同相输入端；高精度低温漂电阻电阻与第一电压跟随器相连的一端作为恒流输出端。本发明的有益效果是，采用电压跟随器和高精度基准电压源，保证了第一电压跟随器的同相输入端电压和第二电压跟随器的输出端电压的压差始终等于基准电压源的输出电压，也即保证高精度低温漂调电阻两端的电压恒定，在固定高精度低温漂电阻阻值的情况下即可实现高精度恒流输出
- 高精度恒流源装置
- [发明专利]提高芯片电压测试精度方法-CN201210206527.0无效
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王华;季海英;叶建明;周建青
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上海华岭集成电路技术股份有限公司
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2012-06-21
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2012-10-03
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G01R19/00
- 本发明涉及一种提高芯片电压测试精度方法，如下：将一待测芯片的测试端接测试机；将所述待测芯片的参考接地端接一电压误差小于所述测试机的电压误差的外部电源，外部电源的参考接地端与测试机的参考地端相连；所述测试机和所述外部电源向所述待测芯片提供电压和/或电流，进行所述待测芯片的电压测试和/或电流测试。本发明通过在芯片的参考接地端接一电压误差小的外部电源，由高精度的外部电源提供给待测芯片接地端的电压作为待测芯片工作电压的参考地，使测试机施加到待测芯片上的电压值相应减少，使测试机的测试量程相应降低，从而有效减小因测试机精度不高引起芯片电压测试的偏差，提高芯片电压的测试精度，适用于芯片的大电压和大电流测试。
- 提高芯片电压测试精度方法
- [实用新型]极高精度基准电压源-CN200420041851.2无效
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张曙;冯秀明
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中国科学院近代物理研究所
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2004-04-16
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2005-04-27
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G05F1/46
- 本实用新型公开一种极高精度基准电压源。供电电路采用串联调整电路、交流220V电压经整流滤波后，再经二级三端稳压器预稳压，将电压稳定在±15V，再经调整放大管放大给末级LM399供电，给运算放大器OPA2227提供基准电压。基准电压与取样电路构成差模电压，经运算放大器放大后去推动复合调整管工作，给LM399提供稳定电流。取末级LM399的Rf＝9KΩ、RL＝20KΩ，最终获得10V基准电压源。本实用新型在重离子加速器中得到了应用，实际工作中性能稳定，工作可靠。
- 极高精度基准电压
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