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[发明专利]用于制造负离子等离子体的处理系统-CN200880109229.1有效
发明人：陈立;麦里特·法克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区域以通过与第二处理气体碰撞而形成静止等离子体。利用耦合至第二室区域的压力控制系统来控制第二室区域中的压力，以使来自第一室区域的电子与第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，该高能电子产生具有负电荷离子的静止等离子体。
用于制造负离子等离子体处理系统

[发明专利]基于等离子体活化和化学链相耦合的常压制氨装置及方法-CN202211536646.2在审
发明人：张浩;程思哲;隆颜徽;张奕麟;王君;黄群星;李晓东;严建华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离子体活化和化学链相耦合的常压制氨装置及方法，首先将N2通入并驱动等离子体反应器，形成等离子体射流反应区，惰性的N2经等离子体活化作用形成以振动激发态为主的高活性氮分子。等离子体高速射流驱动载氮体形成流态化反应区，发生高效吸氮反应，通过旋风分离器实现气/固分离，载氮体进而进入释氮反应器中与电解出的氢气发生释氮反应，产生高纯度氨气。完成释氮反应后，载氮体回到氮气等离子体射流区进行吸氮反应。本发明采用等离子体实现N2的常压高效活化，借助化学链制氨反应能垒低，副产物小以及载氮体在吸氮、释氮反应区间的循环的特点，利用多级反应实现N2
基于等离子体活化化学耦合压制装置方法

[发明专利]一种新型的可调速旋转低温等离子体大批量催化装置-CN202211336614.8在审
发明人：张呈旭;陈健;胡觉;张延通;韩颖;张英杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的一种新型的可调速旋转低温等离子体大批量催化装置，涉及低温等离子体催化技术、电解水、尾气处理等领域。本发明是通过巧妙的设计，把石英玻璃作为介质阻挡体，介质阻挡体外设置了不锈钢管作为电极体，当高压电源作用在电极体上，使得电极体和阻挡体内部产生大面积放电区。一方面，当污染气体通过放电区，因为放电区的等离子体浓度高，可以更充分地与放电区的等离子体接触从而得到净化，又因抽气增加了流速，进一步提高净化效果。另外一方面，将催化剂置于放电区，介质阻挡体内抽真空，可以真空处理，也可以通入氩气等气体，通过造气氛将催化剂等离子体处理，进一步提高催化剂的性能。
一种新型调速旋转低温等离子体大批量催化装置

[发明专利]辐射源-CN201880060612.6在审
发明人： A·M·雅库尼恩;J·A·C·M·皮耶宁堡;C.G.N.H.M.柯林 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：燃料发射器配置成将燃料目标提供至等离子体形成区。激光系统被配置为当燃料目标位于等离子体形成区时用激光辐射照射燃料目标，以便将燃料目标的一部分转换成等离子体。特别地，激光系统配置成使得在垂直于激光辐射的传播方向的平面中，燃料目标处的激光辐射的横截面小于转换成等离子体的燃料目标的部分的横截面。这种辐射源提供相对于已知的激光产生等离子体(LPP)源具有改良的转换效率的激光产生等离子体源。
辐射源

[发明专利]干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置-CN200510092109.3有效
发明人：江泓庆;张奕锟;洪国展;侯建州 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-08-19 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种干蚀刻装置，其利用等离子体进行薄膜蚀刻。此干蚀刻装置由真空腔、上电极板、下电极板、等离子体真空放电区、电源以及气体出口所组成。下电极板亦安装于真空腔内，而等离子体真空放电区介于上电极板与下电极板之间。电源电连接上电极板与下电极板，用以提供等离子体真空放电区所需的电位差。气体出口连接真空腔与真空系统，用以维持真空腔内的等离子体状态。而上述的气体入口更具有一树脂层，用以保护气体入口免于被蚀刻影响。
蚀刻装置以及安装气孔

[实用新型]一种等离子体空气净化器-CN201320729513.7有效
发明人：吴玺;朱骞骞;王健翔;杨健;徐晓杰;徐叶昕 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： F24F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体空气净化器，包括进气口、安装在进气口内的过滤网和出气口，等离子体空气净化器还包括设置于进气口后方的等离子体反应器，以及并列安装在等离子体反应器后方的水处理装置、负离子发生器以及出口过滤系统，等离子反应器包括若干个反应基本单元，每个应基本单元都设有一个反应区，反应区包括若干个平行而设的板状极板以及对应数量的设置在相邻两个板状电极之间的线状极板。本实用新型利用静电沉淀去除PM2.5同时利用等离子体与催化剂协同反应除去VOC。
一种等离子体空气净化器

[发明专利]一种航天器尾区离子环境地面模拟方法-CN201410445500.6有效
发明人：赵呈选;李得天;杨生胜;秦晓刚;陈益峰;王俊;汤道坦;史亮 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： B64G7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种航天器尾区离子环境地面模拟方法，本发明中利用特定等离子体源和离子加速栅网相结合，能够有效的产生地面极轨卫星尾区充电实验所需的极轨离子环境，具有结构简单的优点。该方法包括：根据能量守恒定理设计离子加速栅网与等离子体源中主阳极栅网的偏置电压，利用查理-朗缪尔方程求解等离子体源的主阳极栅网与离子加速栅网之间的距离d；实验时，控制等离子体源产生离子；打开离子加速栅网的电源，形成平行电场，等离子体源产生的离子在平行电场的作用下被引出形成离子束流；开启法拉第杯，测量离子束束流强度，当强度达到要求时，开始进行该尾区离子环境中的实验。
一种航天器离子环境地面模拟方法

[其他]一种用等离子弧精炼硅的工艺方法-CN87104483无效
发明人：维叔·达特·道萨耶;阿尔文·威廉·罗荷尔兹 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 1987-05-25 - 公布日： 1988-12-07 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用气体等离子体作能源的生产硅的工艺方法，该方法包括a)利用转移弧结构布置，在反应器中产生一气体等离子弧，这种结构产生等离子体所需的气体量最小；b)把二氧化硅和固体还原剂直接馈入到反应器和等离子体中；c)借助等离子体把二氧化硅和固体还原剂载到反应器的反应区中；d)从反应区中回收熔化态的硅和气体副产品。
一种等离子精炼工艺方法

[实用新型]一种表面等离子体共振光纤pH传感芯片及检测系统-CN201420217242.1有效
发明人：郑改革;徐林华;吴义根 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种表面等离子体共振光纤pH传感芯片及检测系统。该表面等离子体共振pH传感芯片包括光纤基材，其具有pH敏感区；金属层，其置于光纤基材的该pH敏感区之上；以及pH敏感薄膜层，其置于金属层之上。本实用新型通过在pH敏感区制备金属层和pH敏感薄膜层的复合结构，增大被测分子的吸附量，扩展表面等离子体波与被测分子的作用深度，从而提高该表面等离子体共振光纤pH传感芯片的灵敏度。
一种表面等离子体共振光纤 ph 传感芯片检测系统

[实用新型]一种旋风式低温等离子体污染气体净化除尘装置-CN201520578797.3有效
发明人：施利毅;黄垒;王瑞广;潘巧缘;许吉华 -专利权人：上海瑞津环境科技有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： B01D45/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋风式低温等离子体污染气体净化除尘装置，包括圆柱外筒体、锥形外筒体、钢片漏斗、废料收集箱、内筒体、第一等离子体区内电极、第二等离子体区内电极、第一级等离子体区电源、第二级等离子体区电源、进气口和出气口，锥形外筒体安装在圆柱外筒体的下方，废料收集箱通过钢片漏斗安装在锥形外筒体的下方，进气口位于圆柱外筒体左侧的上方，内筒体安装在圆柱外筒体的内部。本实用新型产生旋风气流，大大提高了废气与等离子体的接触时间，增加了低温等离子体反应器的效率，同时利用旋风气流的离心力可有效处理固态和液态污染物，达到气液固污染物全面净化的效果。
一种旋风式低温等离子体污染气体净化除尘装置

[发明专利]线圈外壳低温等离子体表面处理方法及装置-CN201610547081.6有效
发明人：刘鑫培;朱小刚;柳慧敏 -专利权人：苏州创瑞机电科技有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种线圈外壳低温等离子体表面处理方法及装置，依次通过喷淋清洗、超声波清洗、等离子体清洗和等离子体渗氮完成处理工艺，其装置包括架体和按处理顺序依次设于架体上的物料摆放区、漂洗机、超声波清洗机、第一等离子体清洗机、第二等离子体清洗机和真空等离子体刻蚀机，所述架体上沿处理顺序方向还设有横移模块，所述横移模块上设有升降模块，所述升降模块上设有旋转夹持机构，所述旋转夹持机构上设有与其配合使用的组合托盘，所述第一等离子体清洗机和第二等离子体清洗机上方分别设有多个等离子体喷枪。
线圈外壳低温等离子体表面处理方法装置

[实用新型]一种新型的阴极电弧离子镀膜装置-CN01219841.2无效
发明人：王殿儒;张金平;程云立;王百湘 -专利权人：北京长城钛金公司
申请日： 2001-04-20 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种新型的阴极电弧离子镀膜装置，属于等离子体加速器型离子镀膜技术，本装置是扫描式离子镀膜装置，由上料真空室、真空镀膜室、下料真空室、阴极电弧蒸发离化源、等离子体加速区，所述真空镀膜室置于上料真空室与下料真空室之间，中间由左真空锁、右真空锁相隔开，置于真空镀膜室中的阴极电弧蒸发离化源为圆形、矩形、圆柱形中的任何一种，等离子体加速区与真空镀膜室相通，阴极电弧蒸发离化源置于等离子体加速区的端部。
一种新型阴极电弧离子镀膜装置

[实用新型]一种等离子体炉-CN201720150822.7有效
发明人：陈庆高 -专利权人：陈庆高
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： F23G7/00 文献下载
摘要：一种等离子体炉，包括炉体内型为纺锤形的等离子体炉，所述等离子体炉由上而下分别设有进料区、干燥还原区、氧化区、造渣区、熔融区，所述进料区设有进料口、烟气出口、分料器，所述进料口设有双自动门结构，所述双自动门一开一闭设置，所述分料器设于进料口下端，并且与进料口相通，所述分料器为上尖下圆的圆锥体分料器，所述熔融区由上而下设于分别设有热风入口、等离子炬口、熔渣出口、金属出口。本实用新型为纺锤形等离子体炉，可以有效避免熔渣挂壁、结瘤的问题，通过热风入口将尾气热量回用，从而降低电耗，节约成本，整个处理过程运行稳定，将熔渣和金属分离，实现资源化处置。
一种等离子体

[发明专利]一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法-CN201210358823.2有效
发明人：李刚;孙龙;金玉奇 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜与传统的等离子体源辅助沉积技术相比，本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低，易于放大，可用于大规模工业化生产领域，具有重要的应用前景。
一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法

[发明专利]离子栅结构装置-CN202310570557.8在审
发明人：马宏图;韩华;汪明刚;李琳琳 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及脑科学设备技术领域，尤其涉及一种离子栅结构装置，旨在解决离子轰击对生物组织样片的压实问题。本发明包括等离子体限制桶、栅网、样片台、栅网偏置电源和样片偏置电源；等离子体限制桶内设置有等离子体区，等离子体从等离子体区经栅网出射到样片台；栅网偏置电源一端接地，另一端与栅网连接；样片偏置电源一端与栅网偏置电源连接本发明通过设置栅网偏置电源和样片偏置电源对离子出射速度进行调节，以降低离子能量，进而消除生物组织样片处理过程的表面压实效应。
离子结构装置

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