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- [实用新型]一种新型防电磁脉冲门-CN202020353404.X有效
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张永军
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山东申德空调集团有限公司
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2020-03-19
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2021-01-05
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E06B5/18
- 本实用新型公开了一种新型防电磁脉冲门，包括脉冲门框，所述脉冲门框内壁设置有第一屏蔽层，且第一屏蔽层一侧设置有第二屏蔽层，并且第一屏蔽层和第二屏蔽层的材质均为银丝网，所述脉冲门框内壁设置有第五屏蔽层，且脉冲门框外壁设置有把手，所述第二屏蔽层一侧设置有第一屏蔽板，且第一屏蔽板的材质为硅钢板，并且第一屏蔽层、第二屏蔽层和第一屏蔽板间距中设置有钢筋混凝土层，所述第一屏蔽层、第二屏蔽层和第一屏蔽板与第三屏蔽层、第四屏蔽层和第二屏蔽板的材质均相同该新型防电磁脉冲门通过在脉冲门框中设置第一屏蔽层、第二屏蔽层和第一屏蔽板与第三屏蔽层、第四屏蔽层和第二屏蔽板，通过硅钢板和银丝网可以对高频率的电磁场和低频率的电磁场均起到良好的屏蔽作用，提高本装置的实用性
- 一种新型电磁脉冲
- [发明专利]封装结构-CN201910681477.3有效
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陶玉娟
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南通通富微电子有限公司
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2019-07-26
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2021-07-02
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H01L23/552
- 一种封装结构，位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面所述椭球状表面的第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层也不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。
- 封装结构
- [发明专利]显示面板和显示装置-CN202111659646.7在审
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朱绎桦;赖青俊;杨金金;柳家娴
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厦门天马显示科技有限公司
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2021-12-30
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2022-04-15
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H01L27/32
- 本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底、第一屏蔽层和驱动电路层，第一屏蔽层位于衬底一侧，第一屏蔽层包括位于第一显示区的多个第一屏蔽单元和位于第二显示区的多个第二屏蔽单元，至少部分相邻的第一屏蔽单元之间通过第一连接部连接，部分相邻的第二屏蔽单元通过第二连接部连接；驱动电路层位于第一屏蔽层背离衬底一侧，包括多个驱动电路，驱动电路包括驱动晶体管；其中，第一屏蔽单元、第二屏蔽单元与驱动晶体管一一对应，驱动晶体管的有源层的沟道区在第一屏蔽层上的正投影位于第一屏蔽单元、第二屏蔽单元内。本申请提供的显示面板中通过设置第一屏蔽层以防止驱动电路层受衬底中电场干扰，从而提升显示面板的显示效果。
- 显示面板显示装置
- [发明专利]封装结构-CN201910681730.5有效
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石磊
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南通通富微电子有限公司
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2019-07-26
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2021-08-27
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H01L23/552
- 一种封装结构，所述塑封层中具有若干半导体芯片和位于每个半导体芯片一侧的无需屏蔽的电子元件；位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面。所述椭球状表面的第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层也不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。
- 封装结构
- [发明专利]封装结构-CN201910681485.8有效
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陶玉娟
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南通通富微电子有限公司
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2019-07-26
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2021-08-31
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H01L23/31
- 一种本发明的封装结构，位于半导体芯片与塑封层之间以及第一塑封层和第二塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及第一塑封层的侧面表面，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上以及第一塑封层侧面上的第一屏蔽层表面，所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。
- 封装结构
- [发明专利]封装结构-CN201910681773.3有效
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陶玉娟
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南通通富微电子有限公司
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2019-07-26
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2021-07-02
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H01L23/552
- 一种封装结构，位于半导体芯片与塑封层之间以及第一塑封层和第二塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及第一塑封层的侧面表面，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上以及第一塑封层侧面上的第一屏蔽层表面，所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。
- 封装结构
- [发明专利]双向功率器件-CN202210661192.5在审
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杨彦涛;张邵华
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杭州士兰微电子股份有限公司
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2020-10-27
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2022-09-23
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H01L27/092
- 本申请公开了一种双向功率器件，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
- 双向功率器件
- [发明专利]双向功率器件及其制造方法-CN202011163950.8有效
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杨彦涛;张邵华
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杭州士兰微电子股份有限公司
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2020-10-27
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2022-08-02
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H01L21/8232
- 本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
- 双向功率器件及其制造方法
- [发明专利]双向功率器件及其制造方法-CN202011165946.5有效
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杨彦涛;张邵华
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杭州士兰微电子股份有限公司
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2020-10-27
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2023-03-17
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H01L21/8232
- 本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，所述第二屏蔽介质层、所述第一屏蔽介质层以及所述栅介质层的厚度依次递减该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层、第一屏蔽介质层以及栅介质层的厚度依次递减，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
- 双向功率器件及其制造方法
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