专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]种DHCP地址分配的方法、设备及系统-CN201610465081.1有效
  • 刘必振;娄昆昆;陈保军 - 华为技术有限公司
  • 2016-06-23 - 2021-02-09 - H04L29/12
  • 种DHCP地址分配的方法、设备及系统。所述方法包括:第一式网关设备接收DHCP客户端向DHCP服务发送的用于请求分配IP地址的第一请求报文,根据所述第一请求报文生成第二请求报文,所述第二请求报文携带第一子选项信息,所述第一子选项信息包括第一Back tracking IP地址,所述第一Back tracking IP地址作为所述第一式网关设备用于与所述DHCP服务通信的接口IP地址;所述第一式网关设备向所述DHCP服务发送所述第二请求报文,并且接收来自所述DHCP服务的应答报文,所述应答报文携带第二子选项信息,所述第二子选项信息包括第二Back tracking IP地址;所述第一式网关设备根据所述第二Back tracking从而解决在分布式网关的网络架构中,无需DHCP服务支持相应功能的情况下,也能确保IP地址的正确分配。
  • 一种dhcp地址分配方法设备系统
  • [发明专利]中央空调控制方法和系统-CN201310728345.4有效
  • 姜春苗;周获;何玉雪;宋海川;赵志刚 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2013-12-24 - 2017-01-18 - H02J3/38
  • 本发明公开了种中央空调控制系统和方法。该中央空调控制系统包括第一式发电系统;中央空调主机;以及中央空调群控控制柜,用于判断第一式发电系统的发电量是否大于中央空调主机的耗电量,在第一式发电系统的发电量大于中央空调主机的耗电量时,控制第一式发电系统向市网供电,在第一式发电系统的发电量小于中央空调主机的耗电量时,控制中央空调主机接收第一式发电系统的电能和市网的电能。通过本发明,解决了现有技术中无法根据中央空调的耗电量对分布式发电系统进行发电控制的问题,进而达到了根据中央空调的耗电量对分布式发电系统进行发电控制的效果。
  • 中央空调控制方法系统
  • [发明专利]种存储方法及其装置-CN201910291059.3在审
  • 王晓强;杨雪爽;葛超越 - 北京鲸鲨软件科技有限公司
  • 2019-04-11 - 2020-10-23 - G06F3/06
  • 本发明公开了种存储方法及装置,第一主存储服务持续接收待存储数据,并将接收到的待存储数据发送至第一式复制设备存储为第一存储数据,第一式复制设备将第一存储数据发送至至少第一备存储服务或者第二备存储服务存储;若第一主存储服务发生故障,启动第二主存储服务,改为由第二主存储服务接收待存储数据,并将待存储数据发送至第一式复制设备存储为第二存储数据;第一式复制设备将第一存储数据和第二存储数据发送至第一备存储服务或者第二备存储服务存储由此可知,本发明提供的种存储方法及装置,较好地防止数据丢失,提高数据存储过程的安全性能、增强数据容灾备份能力。
  • 一种存储方法及其装置
  • [发明专利]具有集成的隧道结的垂直腔面发射激光装置-CN201980019325.5在审
  • U·魏希曼;M·F·C·舍曼 - 通快光电器件有限公司
  • 2019-03-15 - 2021-03-09 - H01S5/30
  • 光学谐振包括第一式布拉格反射(115)、第二式布拉格反射(125)以及用于光发射的有源层(120)。有源层(120)布置在第一式布拉格反射(115)与第二式布拉格反射(125)之间。第一式布拉格反射(115)或第二式布拉格反射(125)包括具有至少对具有不同折射率的层的第一(115‑1、125‑1)和具有至少对具有不同折射率的层的第二部(115‑2、125‑2第一(115‑1、125‑1)和第二部(115‑2、125‑2)的特征在于具有不同的导电类型。隧道结(130)布置在第一(115‑1、125‑1)与第二部(115‑2、125‑2)之间。隧道结布置在第一式布拉格反射或第二式布拉格反射中的最佳位置。本发明还涉及包括这样的VCSEL装置(100)的种光学传感种飞行时间传感模块(200)。
  • 具有集成隧道垂直发射激光器装置
  • [实用新型]种高液率的降膜蒸发-CN201520975563.2有效
  • 郑伟;唐勇 - 重庆天奕恒化科技有限公司
  • 2015-11-30 - 2016-05-04 - B01D1/22
  • 本实用新型公开了种高液率的降膜蒸发,包括蒸发室、上管板、加热管、封盖、进料管和液结构,其中蒸发室为圆筒状,上管板设于蒸发室内且与蒸发室的内壁密封性连接,加热管设于上管板上;封盖通过法兰结构连接在蒸发室上端,进料管设于封盖顶端;液结构包括设于上管板上方的第一盘、通过第一支柱设于第一盘上方的第二盘、通过第二支柱设于第二盘上方的溢流盘、设于第二盘上表面中心的溢流台,溢流盘四周设有溢流挡板,溢流盘中心设有溢流孔,第一盘上的第一液孔与第二盘上的第二液孔、第二液孔与加热管在垂直方向均为交错设置。本实用新型结构简单,加工成本低,液均匀性好,拆卸方便。
  • 一种高布液率蒸发器
  • [发明专利]增益器件、半导体激光及半导体激光的制作方法-CN202110754239.8有效
  • 李健;韦欣;李川川 - 中国科学院半导体研究所
  • 2021-07-02 - 2023-10-13 - H01S5/125
  • 本发明提供了种增益器件,包括:顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区,双波长分布式布拉格反射区包括第一式布拉格反射区和第二式布拉格反射区;窗口层设置在有源层上;有源层设置在第一式布拉格反射区或第二式布拉格反射区上,用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光;第一式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向,并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层,第二式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向,并将传播方向改变后的第一反射激光反射至有源层。本发明还提供了种半导体激光和半导体激光的制作方法。
  • 增益器件半导体激光器制作方法
  • [发明专利]具有扩大的有源区的构件及其制造方法-CN201980065456.7在审
  • L.霍佩尔 - 欧司朗光电半导体有限责任公司
  • 2019-09-27 - 2021-05-11 - H01L33/38
  • 在此提供种构件(10),其具有半导体本体(2)、第一电极(3)和第二电极(4),其中,半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于其之间的有源区(23)。第一电极设置为与第一半导体层电接触并且具有第一接片(30),第一接片用于在第一半导体层中的均匀的电流分布。第二电极设置为与第二半导体层电接触并且具有第二接片(40),第二接片用于在第二半导体层中的均匀的电流分布第一和第二接片局部地相叠地布置在半导体本体的同侧,其中,第一和第二接片在俯视图中局部地重叠并且仅在部分位置覆盖半导体本体。此外,第一接片在部分位置延伸穿过第二半导体层和有源区到达第一半导体层,其中,有源区在半导体本体与第一接片的重叠区域中仅在部分位置被去除。
  • 具有扩大有源构件及其制造方法
  • [发明专利]发光二极管芯片及其制造方法-CN201510188471.4在审
  • 李贞勋;李剡劤;陈相奇;慎镇哲;金钟奎;李小拉 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2010-11-15 - 2015-07-22 - H01L33/46
  • 这里公开了种发光二极管芯片及其制造方法,所述发光二极管芯片被构造为发射第一波长范围的光和第二波长范围的光,所述发光二极管芯片包括:基板;发光结构,设置在基板的第一表面上,发光结构包括设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层并被构造为发射第一波长范围的光;以及第一布拉格反射和第二布拉格反射,设置在基板的第二表面上,其中,第一布拉格反射设置为比第二布拉格反射更靠近基板;第一波长范围包括蓝光波长范围;第一布拉格反射对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率;第二布拉格反射第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率。
  • 发光二极管芯片及其制造方法
  • [发明专利]垂直腔面发射激光-CN202210065595.3在审
  • 井上大辅 - 住友电气工业株式会社
  • 2022-01-20 - 2022-07-26 - H01S5/183
  • 本发明公开了种垂直腔面发射激光,其具备:衬底,其具有包含第一区域以及第二区域的主表面;极柱,其设置在第一区域上,所述极柱包含设置在第一区域上的第一导电型的第一布拉格反射、设置在第一布拉格反射上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型的第二布拉格反射;层叠体,其设置在主表面上,所述层叠体具备上表面,该上表面具有配置在第二区域上的至少个凹部;树脂部,其配置在至少个凹部内;以及电极焊盘,其设置在树脂部上并且与第一布拉格反射以及第二布拉格反射中的任方电连接
  • 垂直发射激光器

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