专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310277589.5有效
  • 程继;邓武锋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-07-03 - 2018-12-21 - H01L21/336
  • 本发明提供一种半导体器件和鳍式场效应晶体管的形成方法。在所述半导体器件的形成方法中,半导体衬底的器件密集区上的半导体材料层表面位置高于器件稀疏区上的半导体材料层位置,因而在器件稀疏区上的半导体材料层上覆盖掩膜层,向密集区上部分厚度的半导体材料层内注入离子形成离子注入区域,之后去除所述离子注入区域。其中,在注入离子后,改变了离子注入区域内的半导体材料特性,使半导体材料层的离子注入区域与非离子注入区域的性质发生差异,进而在后续去除离子注入区域的过程中,对非离子注入区域的半导体材料层几乎不产生影响,从而使最终获得的器件稀疏区和密集区的半导体材料层的高度接近一致,提高半导体器件的性能。
  • 半导体器件场效应晶体管形成方法
  • [发明专利]硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池-CN202110642153.6在审
  • 陈功锋 - 恒大新能源技术(深圳)有限公司
  • 2021-06-09 - 2021-09-17 - H01M4/36
  • 本发明属于电池技术领域,尤其涉及一种硅基负极材料及其制备方法,以及一种负极片,一种二次电池。其中,硅基负极材料包括硅基内核,包覆在所述硅基内核表面的离子导体层,和包覆在所述离子导体层背离所述硅基内核表面的电子导体层,所述电子导体层包括一维导体材料和/或二维导体材料。本发明硅基负极材料中,包覆在硅基内核表面的离子导体层,离子传输速率快,可显著提升内核硅基材料的锂离子离子脱嵌速率;包覆在外表面的电子导体层包含有一维和/或二维导体材料,可以提高硅基负极材料表面的电子传输迁移效率,同时对硅基材料起到缠绕包覆效果,抑制硅基材料的体积膨胀效应,提升硅基负极材料的容量密度、循环性能和安全性能。
  • 负极材料及其制备方法二次电池

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