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[实用新型]一种直线位移绝对位置编码器-CN202020177471.0有效
发明人：郭海平;李昊晨;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种直线位移绝对位置编码器，用于检测被测设备的位移，该直线位移绝对位置编码器包括：基座、磁电阻传感器阵列、编码带和背磁铁，编码带固定在基座上并沿被测设备的轨道方向延伸，编码带是一条具有标识不同位置编码信息的凹部和凸起的磁性材料块，磁电阻传感器阵列非接触地设置在编码带和背磁铁之间，背磁铁用于在编码带周围产生不均匀的磁场以为编码带充磁，磁电阻传感器阵列用于通过检测编码带的磁场信息获取编码带的位置编码信息。该编码器能够实现长距离的位置监测，且成本较低。
一种直线位移绝对位置编码器

[发明专利]一种独立封装的磁电阻角度传感器-CN201110130222.1有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;张小军;雷啸锋;金英西;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用MTJ或GMR元件的磁电阻角度传感器，磁电阻角度传感器的输出是与磁场角度成正弦或余弦关系的电压信号，磁场可以由一位于传感器正上方的小磁块提供，用于探测两个正交的磁场分量的角度传感器，由具有两个正交的敏感轴的一对全桥构成，该传感器可以是并排布置，也可布置成该正交传感器具有一个共同的中心，传感器的元件小方块通过封装引线邦定连接，同时可以封装成各种标准半导体封装形式或是封装成低成本的半导体封装形式
一种独立封装磁电角度传感器

[实用新型]一种独立封装的磁电阻角度传感器-CN201120160722.5有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;张小军;雷啸锋;金英西;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用MTJ或GMR元件的磁电阻角度传感器，磁电阻角度传感器的输出是与磁场角度成正弦或余弦关系的电压信号，磁场可以由一位于传感器正上方的小磁块提供，用于探测两个正交的磁场分量的角度传感器，由具有两个正交的敏感轴的一对全桥构成，该传感器可以是并排布置，也可布置成该正交传感器具有一个共同的中心，传感器的元件小方块通过封装引线邦定连接，同时可以封装成各种标准半导体封装形式或是封装成低成本的半导体封装形式
一种独立封装磁电角度传感器

[发明专利]高灵敏度巨磁电阻和隧穿磁电阻生物传感器-CN200510005035.5无效
发明人：王磊;王明;李飞飞;丰家峰;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度巨磁电阻和隧穿磁电阻生物传感器，包括：GMR传感器或TMR传感器和保护层，保护层覆盖在所述GMR或TMR传感器上；其中，所述保护层由塑性材料制成，其厚度小于100nm。本发明采用聚二甲基硅氧烷等塑性材料作为保护层和生物适应层，可以将检测信号提高27倍以上，检测灵敏度最大可达10^－5Oe；相对于其他氮化硅作为保护层的传感器而言，不仅简化了工艺，而且降低了成本
灵敏度磁电生物传感器

[发明专利]一种电流传感器-CN201110452834.2有效
发明人：韩连生;白建民;黎伟;王建国;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，该永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压本发明采用以上结构，能对温度漂移进行补偿的电流传感器，具有灵敏度高，线性范围宽，功耗低，温度特性好的优点。
一种电流传感器

[发明专利]一种磁电阻传感器芯片-CN202111258971.2有效
发明人：刘明;关蒙萌;胡忠强;朱红艳;朱家训 -专利权人：珠海多创科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种磁电阻传感器芯片，包括：第一、第二磁感应单元，感应单元均包括连接成惠斯通电桥的磁电阻单元，其中两个磁电阻单元被软磁材料屏蔽；罩在第二磁感应单元之外的导体罩，导体罩和第二磁感应单元由绝缘材料隔开；与第二磁感应单元的输出端相连的反馈调节电路；与反馈调节电路相连的导体，导体上的电流方向和磁电阻单元的磁敏感方向相垂直，第二磁感应单元与反馈调节电路及导体组成闭环零磁通电路；第一、第二磁感应单元位于导体的同一侧且与导体间的距离相同，能够感应外磁场的磁电阻单元在导体所在平面上的投影位于导体在其所在平面上的投影内本发明的磁电阻传感器芯片在高频磁场的应用中具有对来自低频磁场的抗干扰能力，拥有更精准的输出。
一种磁电传感器芯片

[实用新型]一种电流传感器-CN201120565375.4有效
发明人：韩连生;白建民;黎伟;王建国;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电流传感器，包括集成设置在同一芯片内的由MTJ磁电阻组成的惠斯通电桥以及MTJ温度补偿磁电阻、电流导线，电流导线靠近惠斯通电桥并且其中可通有被测电流，MTJ温度补偿磁电阻四周设置有永磁体，永磁体将MTJ温度补偿磁电阻的自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向呈反向平行以使MTJ温度补偿磁电阻处于阻值在测量范围内仅随温度变化的高阻态，惠斯通电桥和MTJ温度补偿磁电阻相串联以在惠斯通电桥的两端得到稳定的输出电压本实用新型采用以上结构，能对温度漂移进行补偿的电流传感器，具有灵敏度高，线性范围宽，功耗低，温度特性好的优点。
一种电流传感器

[发明专利]磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法-CN201611140368.3有效
发明人：余天;徐延浩;张兆伟 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明属于传感器领域，具体为一种磁性薄膜结构以及含有其的磁敏传感器器件、应用方法。本发明提供的磁性薄膜结构可通过时变电磁激励产生自旋整流效应，从而使得该薄膜结构的磁敏传感器调制，包括调整磁敏传感器工作电压窗口以及提高测量磁电阻率。另外，本发明还提供一种在给定磁场和给定直流工作电流下的输出电压窗口调制、利用上述磁性薄膜结构或相应磁敏传感器器件进行微波功率探测的使用方法，其通过将磁性薄膜结构或相应磁敏传感器器件的第一磁性层、第二磁性层各引出两个电极接口，并通过预先标定好输入的不同微波功率与磁性薄膜结构磁电阻率值的对应关系，在需要微波探测的场合，通过检测磁性薄膜结构的自旋整流电压或磁电阻率的变化，获得微波功率数值。
磁性薄膜结构以及含有传感器器件应用方法

[发明专利]一种化学链燃烧过程金属载氧体检测装置及方法-CN201610703448.9有效
发明人：张文彪;闫勇;何宇婷 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：该检测装置包括：激励线圈、巨磁电阻检测阵列、线圈激励模块、信号调理模块、微处理器和计算机；巨磁电阻检测阵列由上下游两组排列在测量区域四周的巨磁电阻传感器组成，巨磁电阻传感器与信号调理模块连接；微处理器与信号调理模块
检测装置载氧体信号调理模块化学链燃烧线圈激励金属巨磁电阻传感器微处理器激励线圈巨磁电阻测量计算机连接参数检测混合颗粒流动参数浓度分布实时检测速度分布灵敏度多相流检测两组侵入计算机

[实用新型]一种温度补偿电流传感器-CN202122076936.0有效
发明人：刘明;关蒙萌;胡忠强;周子尧;朱家训;黄豪 -专利权人：珠海多创科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：一种温度补偿电流传感器，包括：聚磁环、绕制于所述聚磁环上的反馈线圈、设置于所述聚磁环缺口处或开口处的磁传感芯片，所述磁传感芯片包括连接成全桥结构的磁电阻元件以及集成于所述磁传感芯片内的热敏电阻；所述热敏电阻与温度采集电路的输入端相连，所述温度采集电路的输出端与所述磁传感芯片的输入端子相连，为所述磁传感芯片供电，所述磁传感芯片经磁平衡电路与所述反馈线圈相连。本实用新型通过温度采集电路直接驱动磁电阻元件构成的全桥电路，将温度补偿信息耦合到磁场传感器进行电流传感器温度漂移补偿，不需要额外的温度补偿电路，从而降低了成本。
一种温度补偿电流传感器

[发明专利]骑乘式割草机的操作装置以及骑乘式割草机-CN201810687689.8有效
发明人：杨德中;甄文奇;代修波;山冈敏成;孟鼎铭 -专利权人：南京德朔实业有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： A01D34/00 文献下载
摘要：枢转组合用于将操作杆组件的操作杆可枢转地安装在支架上，使操作杆可在第一内侧位置和第二外侧位置之间转动；位置检测装置包括磁性元件和磁电阻传感器，磁性元件设置在枢转组合或支架上，磁电阻传感器与磁性元件间隔设置，以使得磁性元件和磁电阻传感器能够产生相对移动或转动，用于检测操作杆的第一内侧位置和第二外侧位置。本发明利用磁传感器作为检测装置检测操作杆的第一内侧位置和第二外侧位置，简化结构设计且检测结果可靠。
骑乘割草机操作装置以及

[发明专利]一种用于识别磁性介质的传感器-CN201310380197.1有效
发明人：白建民;王建国;黎伟 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于识别磁性介质的传感器，包括励磁和两个传感单元，所述两个传感单元的磁场感应方向相互垂直。所述传感器适用于识别磁性介质。所述传感器的传感单元中使用的是磁性传感元件，可以是霍尔元件、各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁隧道结元件。磁性传感元件适合大批量生产，制作工艺较简单且成熟，成品率高，因此所述传感器的加工工艺较简单，成本较低。由于所述传感器可以测量磁性介质的两个漏磁方向的场强，因此可以更加精准的区分，检测磁性介质，提高防伪及加密等级。
一种用于识别磁性介质传感器

[实用新型]一种用于识别磁性介质的传感器-CN201320526003.X有效
发明人：白建民;王建国;黎伟 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G07D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于识别磁性介质的传感器，包括励磁和两个传感单元，所述两个传感单元的磁场感应方向相互垂直。所述传感器适用于识别磁性介质。所述传感器的传感单元中使用的是磁性传感元件，可以是霍尔元件、各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁隧道结元件。磁性传感元件适合大批量生产，制作工艺较简单且成熟，成品率高，因此所述传感器的加工工艺较简单，成本较低。由于所述传感器可以测量磁性介质的两个漏磁方向的场强，因此可以更加精准的区分，检测磁性介质，提高防伪及加密等级。
一种用于识别磁性介质传感器

[发明专利]一种开关传感器-CN201110125153.5有效
发明人：庄利锋;钟小军;白建民;黎伟;王建国;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关传感器，包括磁电阻元件和ASIC芯片，所述磁电阻元件与所述ASIC芯片相适配，并且所述磁电阻元件连接在所述ASIC芯片上，所述磁电阻元件为感应元件和/或参考元件，所述感应元件和所述参考元件为一个或者多个MTJ磁电阻元件串联组成。本发明利用MTJ磁电阻元件为敏感元件对靠近的铁磁物质进行感应，具有低功耗和高灵敏度的特性。采用本技术方案的有益效果是：高灵敏度，低功耗，响应频率高，体积小。
一种开关传感器

[实用新型]各向同性的磁场传感器-CN95205934.7无效
发明人：赵学根;李民;赵见高;沈保根;贾克昌;赵同云 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1995-03-22 - 公布日： 1998-03-25 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于测量磁场数值的传感器件,特别是利用磁性颗粒薄带或薄膜材料的磁致电阻效应做成的各向同性磁场传感器件。本实用新型的目的在于快速准确地测量空间某点的磁场时不必考虑调整测量方向,从而提供一种利用磁性颗粒薄带材料或薄膜材料各向同性磁致效应作成的磁电阻作为敏感元件,它与电源相联,磁电阻与标准电阻联接构成电桥,再与差分放大器相连组成各向同性的磁场传感器
各向同性磁场传感器