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[发明专利]利用[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线为传感器芯片制备的巨磁电阻位移传感器-CN201310618729.0无效
发明人：王宏智;张卫国;姚素薇 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及利用[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线为传感器芯片制备的巨磁电阻位移传感器；包括传感器芯片、亥姆霍兹线圈、直流电源、小磁铁、直流数字电压表、直尺；传感器芯片材料是多层纳米线[NiFe/传感器芯片采用四个完全相同的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列构成桥式构型。传感器芯片的最佳位置为两个亥姆霍兹线圈轴线的中点，纳米线的轴线方向与磁力线的方向平行。本发明的巨磁电阻位移传感器灵敏度高、功耗小、成本低，可应用在材料的杨氏模量测量、金属热胀系数测量、水面液位检测、磁性材料定位等方面。
利用 nife cu co 多层纳米传感器芯片制备磁电位移

[发明专利]用于磁开关传感器的电路-CN201210410359.7有效
发明人：钟小军 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了用于磁开关传感器的电路，包括磁电阻元件(1)、电阻(2)、带温度系数的电压源(3)和比较器(4)；磁电阻元件(1)与电阻(2)电连接，且磁电阻元件(1)和电阻(2)分别作为一个桥臂构成一个半桥，磁电阻元件(1)与电阻(2)之间的第二节点N2与比较器(4)的第一输入端In1电连接，比较器(4)的第二输入端In2被输入开关阈值信号，电压源(3)与磁电阻元件(1)或电阻(2)电连接；磁电阻元件(1)用于感测待测磁场信号，电阻(2)用于提供与磁电阻元件(1)匹配的电阻值，且电阻(2)与磁电阻元件(1)的电阻值的匹配度为2-10‰，电压源(3)用于在第一节点N1与地之间施加恒定的电压，比较器(4)用于将半桥输出的信号与开关阈值信号比较后输出开关信号
用于开关传感器电路

[实用新型]用于磁开关传感器的电路-CN201220548495.8有效
发明人：钟小军 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了用于磁开关传感器的电路，包括磁电阻元件(1)、电阻(2)、带温度系数的电压源(3)和比较器(4)；磁电阻元件(1)与电阻(2)电连接，且磁电阻元件(1)和电阻(2)分别作为一个桥臂构成一个半桥，磁电阻元件(1)与电阻(2)之间的第二节点N2与比较器(4)的第一输入端In1电连接，比较器(4)的第二输入端In2被输入开关阈值信号，电压源(3)与磁电阻元件(1)或电阻(2)电连接；磁电阻元件(1)用于感测待测磁场信号，电阻(2)用于提供与磁电阻元件(1)匹配的电阻值，且电阻(2)与磁电阻元件(1)的电阻值的匹配度为2-10‰，电压源(3)用于在第一节点N1与地之间施加恒定的电压，比较器(4)用于将半桥输出的信号与开关阈值信号比较后输出开关信号
用于开关传感器电路

[实用新型]一种电流传感器-CN201520930491.X有效
发明人：王志波;韩连生;王建国;白建民;黎伟 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流传感器，包括多个串联的传感单元，所述传感单元环绕待测导线m圈，每一圈上相邻的传感单元之间的距离相等，每圈上的传感单元的个数均相同；其中，m≥1。本实用新型还公开了一种电流传感器，包括多个并联的传感单元，所述传感单元环绕待测导线m圈，每一圈上相邻的传感单元之间的距离相等，每圈上的传感单元的个数均相同；其中，m≥1。本实用新型采用各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁性隧道结元件为敏感元件的电流传感器，该传感器具有高精度、高灵敏度、成本低的特点。
一种电流传感器

[实用新型]单片参考全桥磁场传感器-CN201120118714.4有效
发明人：詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋;薛松生;王建国;雷啸锋 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单片参考全桥磁场传感器，该磁场传感器是一种由磁电阻参考元件和传感元件组成的惠斯通全桥，感应臂和参考臂都是采用磁隧道结电阻或巨磁电阻材料。在本实用新型中，传感元件和参考元件的灵敏度是通过控制一个或一组磁偏置组合，交换偏置，磁屏蔽或形状各向异性能来进行调节的。此外，还可以通过预先设定调整参考元件和传感元件的阻值比来优化电桥输出偏移和对称性。通过使用该技术，该磁场传感器展现出了卓越的温度稳定性，低偏移电压以及优异的电压对称性。
单片参考磁场传感器

[实用新型]单芯片推挽桥式磁场传感器-CN201320459796.8有效
发明人：詹姆斯·G·迪克 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单芯片推挽桥式磁场传感器，该传感器包括基片、焊盘、磁电阻传感元件以及通量集中器，其中磁电阻传感元件位于相邻通量集中器的间隙处，其钉扎层方向相同，通量集中器分为推臂和挽臂两种类型，一种与X轴正向的夹角为正，另一种与X轴正向的夹角为负，该传感器的工作原理是通过检测在通量集中器间隙处的磁场大小，来获得在X轴方向上的磁场差值。该传感器具有以下优点：体积小、成本低、制作简单、灵敏度高、线性度好、检测的信号强、工作动态范围宽等。
芯片推挽桥式磁场传感器

[发明专利]一种单轴MEMS加速度计-CN201611031240.3有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：该加速度计包括磁场源，用于产生梯度磁场，所述磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片，所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；所述隧道磁电阻芯片与所述磁场源位于同一直线上，所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线移动，所述隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上。
隧道磁电阻芯片磁场源单轴同一直线加速度计梯度磁场直线移动传感器磁敏感磁矩磁场感知测量

[实用新型]单一芯片桥式磁场传感器-CN201120409449.5有效
发明人：雷啸锋;薛松生;金英西;詹姆斯·G·迪克;沈卫锋;王建国;刘明峰 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种单一芯片桥式磁场传感器，所述设计中GMR或MTJ磁电阻元件的磁性自由层的磁矩方向采用形状各向异性进行偏置，磁电阻元件具有使自由层磁矩方向指向其磁性易轴方向的形状，特别地形状可以是椭圆，长方形，菱形；优选地采用集成于芯片上的片状永磁体对推挽全桥电阻的自由层磁矩进行辅助偏置。采用该设计可以在同一芯片上，一次直接生产出推挽桥式传感器。所公开的单一芯片桥式磁场传感器相对传统的设计具有，输出稳定，性能更好，工艺简单，成本更低的特点。
单一芯片磁场传感器

[实用新型]一种基于隧道磁电阻传感器的磁强计-CN201720827353.8有效
发明人：朱立超;罗志会;潘礼庆;邬丰羽;代智文;王超;王凤钧 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G01R33/028 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于隧道磁电阻传感器的磁强计，它包括依次连接的隧道磁电阻传感器、调制电路模块、低噪声放大电路模块、相敏检波模块、低通滤波模块、DDS模块、高精度模数转换模块和上位机；隧道磁电阻传感器输出的差分电压信号分别接入两个调制电路模块中
一种基于隧道磁电传感器磁强计

[发明专利]磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法-CN200780006264.6有效
发明人：阿恩·克莱默;莱恩哈德·布赫霍德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：为了进一步改进包括：至少一块晶片(10)，特别是至少一块硅晶片；以及至少一个传感元件(30)，特别是至少一个各向异性磁致电阻传感元件和/或至少一个巨磁电阻(GMR)传感元件，比如至少一个多层巨磁电阻(GMR)传感元件；其中所述传感元件(30)安置于基板和/或晶片(10)的上方和/或下方的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)，以及制造这样的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)的相应方法，使得无需使用用于对传感元件(10)和/或磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)进行预置的外部或额外的偏磁场，提出将至少一个磁层(20t，20b)安置在基板或晶片(10)的上方(20t)和/或下方(20b)，并至少部分安置在传感元件(30)上方(20t)和/或下方(20b)，所述磁层(20t，20b)提供至少一个偏磁场。
致电传感器设备以及制造这样方法

[实用新型]一种各向异性磁电阻齿轮传感器芯片-CN201620281743.5有效
发明人：沈卫锋;祁彬;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G01P3/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种各向异性磁电阻齿轮传感器芯片。该新型设计将多条响应通道包含于单个响应区域中，使得单一设计图样可以用于生产适应多种齿间距的齿轮传感器。传感器敏感方向同响应区域排列方向一致，能够有效避免强背磁场将传感器芯片进入饱和态。此外，各向异性磁电阻齿轮传感器还具有低温度漂移，低零点漂移，低磁滞，零磁致伸缩，小区域高输出信号及热稳定性的优点。
一种各向异性磁电齿轮传感器芯片

[发明专利]基于磁电阻技术的磁头-CN201410149048.9在审
发明人：白建民;王建国;黎伟 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于磁电阻技术的磁头，其包括至少一个或多个磁场感应方向相同的传感单元以及输出引针；所述传感单元用以检测磁性介质的漏磁场；所述输出引针的输入端和输出端分别与所述传感器的相应端口电连接，用以将传感器与系统连接；所述传感单元的敏感元件为巨磁电阻元件或磁性隧道结元件，所述巨磁电阻元件和磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构，所述纳米级多层膜结构至少包含自由层、非磁性层以及钉扎层三层纳米级薄膜。传感器具有高灵敏度，高精度，小体积，高性噪比，抗干扰能力强的特点，实现了非接触测量且能够内置于移动终端中，适用于移动支付并有效地解决了JitterShift现象，适用于工业化大规模生产。
基于磁电技术磁头

[实用新型]基于磁电阻技术的磁头-CN201420180411.9有效
发明人：白建民;王建国;黎伟 -专利权人：无锡乐尔科技有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种基于磁电阻技术的磁头，其包括至少一个或多个磁场感应方向相同的传感单元以及输出引针；所述传感单元用以检测磁性介质的漏磁场；所述输出引针的输入端和输出端分别与所述传感器的相应端口电连接，用以将传感器与系统连接；所述传感单元的敏感元件为巨磁电阻元件或磁性隧道结元件，所述巨磁电阻元件和磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构，所述纳米级多层膜结构至少包含自由层、非磁性层以及钉扎层三层纳米级薄膜传感器具有高灵敏度，高精度，小体积，高性噪比，抗干扰能力强的特点，实现了非接触测量且能够内置于移动终端中，适用于移动支付并有效地解决了JitterShift现象，适用于工业化大规模生产。
基于磁电技术磁头

[发明专利]磁性传感器及其制造方法-CN200810092230.X有效
发明人：相曾功吉 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性传感器及其制造方法。该磁性传感器包括多个巨磁电阻元件，每个巨磁电阻元件包括顺序层叠在所述基板上的自由层、导电层和固定层，其中该固定层通过顺序层叠第一磁性层、Ru层、第二磁性层和反铁磁层来形成，该固定层经过磁化热处理以固定其磁化方向为了沿三个轴方向探测磁场，一个巨磁电阻元件使用平面表面来形成，其余巨磁电阻元件使用基板上的相应斜坡来形成。根据本发明，在热处理中固定层的磁化方向可以被容易地控制。
磁性传感器及其制造方法

[发明专利]一种钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料、制备工艺及其用途-CN01141853.2有效
发明人：于敦波;应启明;张深根;李宗安;颜世宏;徐静;姚国庆;王永强;张耀;赵斌 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2001-09-20 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料、制备工艺及其用途。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明的巨磁电阻材料化学式为RE1－xTxDO3±y，其中RE＝La，Nd，Sm，Pr，Ce，Eu，Er，T＝Ca，Sr，Ba，Pb，K，D＝Mn，Fe，Cr，Ni。将相应的氧化物和碳酸盐按化学计量比混合均匀，压制成形，800～1000℃烧结3～10小时，然后在1300℃～1600℃高温烧结10～50小时，经过后续热处理最终制备出巨磁电阻材料。该氧化物巨磁电阻材料克服了普通氧化物巨磁电阻材料只有在低温下才显示巨磁电阻效应的不足，在室温附近，具有62％的磁电阻变化率，适合制备高性能的传感器、磁存储设备等。
一种钙钛矿型稀土氧化物磁电材料制备工艺及其用途